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公开(公告)号：CN102569064A
公开(公告)日：2012-07-11
申请号：CN201110460740.X
申请日：2011-12-22
Applicant: 通用电气公司
Inventor： H·A·布莱德斯 , G·T·达拉科斯 , D·W·费尔努伊 , A·R·诺尔思拉普 , J·C·罗霍 , P·J·梅施特 , 彭红樱 , 曹洪波 , 奚衍罡 , R·D·戈斯曼 , 张安平
IPC: H01L21/324 , H01L31/20
CPC classification number: H01L31/1884 , C23C14/0036 , C23C14/08 , C23C14/35 , C23C14/548 , C23C14/56 , C23C14/5806 , H01L31/022466 , H01L31/073 , H01L31/1836 , Y02E10/543
Abstract: 本发明为“制作透明传导氧化层和光伏器件的方法”。在本发明的一个方面中，提供一种方法。该方法包括在支承上放置基本非晶氧化镉锡层；并在基本不存在来自外部源的镉的气氛中对基本非晶氧化镉锡层进行热处理以形成透明层，其中透明层具有小于约2x10-4Ohm-cm的电阻率。还提供制作光伏器件的方法。
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公开(公告)号：CN101626995B
公开(公告)日：2014-02-19
申请号：CN200880007318.5
申请日：2008-02-06
Applicant: 通用电气公司
CPC classification number: C04B35/12 , C04B41/009 , C04B41/5007 , C04B41/5031 , C04B41/85 , C04B2235/3206 , C04B2235/3217 , C04B2235/3224 , C04B2235/3225 , C04B2235/3232 , C04B2235/3244 , C04B2235/3248 , C04B2235/3272 , C04B2235/3418 , C04B2235/3463 , Y10T428/249953 , Y10T428/249957 , C04B41/4539 , C04B41/4549 , C04B41/4535 , C04B38/00
Abstract: 处理的耐火材料包括具有布置在耐火材料孔内的一种或多种保护材料的烧结多孔耐火材料，其中保护材料选自氧化铝、氧化铬、二氧化硅、稀土氧化物、稀土锆酸盐、氧化钛、莫来石、氧化锆、硅酸锆、氧化钇、氧化镁、氧化铁和它们的混合物。还提供了制备处理的耐火材料的方法。处理的耐火材料防止渣渗透并延长了耐火材料的使用寿命。
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公开(公告)号：CN1276020A
公开(公告)日：2000-12-06
申请号：CN97182419.3
申请日：1997-10-22
Applicant: 通用电气公司
Inventor： M·G·本兹 , B·P·比莱 , 小M·F·吉格利奥蒂 , 小W·T·卡特 , B·A·克努德森 , P·J·梅施特 , R·J·扎巴拉 , J·P·尼克 , L·C·佩洛赤 , V·N·拉德陈科 , A·D·里尔布特塞夫 , O·V·塔洛夫
IPC: C22B9/18
Abstract: 已经发现,在控制氮分压以及少许氧分压的条件下,用电渣再熔法熔化钛金属或钛合金可以溶解掉富氮夹杂物,因而有助于消除或减少裂纹引发点。该电渣再熔钛和钛合金的方法可保证富氮夹杂物在熔化过程中得以消除,或者缩减至最小。
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公开(公告)号：CN102569064B
公开(公告)日：2016-12-14
申请号：CN201110460740.X
申请日：2011-12-22
Applicant: 通用电气公司
Inventor： H·A·布莱德斯 , G·T·达拉科斯 , D·W·费尔努伊 , A·R·诺尔思拉普 , J·C·罗霍 , P·J·梅施特 , 彭红樱 , 曹洪波 , 奚衍罡 , R·D·戈斯曼 , 张安平
IPC: H01L21/324 , H01L31/20
Abstract: 本发明名称为“制作透明传导氧化层和光伏器件的方法”。在本发明的一个方面中，提供一种方法。该方法包括在支承上放置基本非晶氧化镉锡层；并在基本不存在来自外部源的镉的气氛中对基本非晶氧化镉锡层进行热处理以形成透明层，其中透明层具有小于约2x10-4Ohm-cm的电阻率。还提供制作光伏器件的方法。
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公开(公告)号：CN102689461A
公开(公告)日：2012-09-26
申请号：CN201210087734.9
申请日：2012-03-22
Applicant: 通用电气公司
CPC classification number: C23C28/042 , B32B9/00 , B32B9/005 , B32B15/04 , B32B18/00 , C04B35/48 , C04B35/50 , C04B41/009 , C04B41/5044 , C04B41/52 , C04B41/89 , C23C28/3215 , C23C28/34 , C23C28/3455 , F01D5/28 , F01D5/284 , F01D5/288 , F05D2260/95 , F05D2300/2118 , Y02T50/67 , Y02T50/672 , Y10T428/12611 , Y10T428/12618 , Y10T428/12931 , Y10T428/12944 , Y10T428/12951 , Y10T428/12972 , Y10T428/31678 , C04B35/565 , C04B35/806 , C04B35/584 , C04B35/58085 , C04B41/4527 , C04B41/5096 , C04B41/5024 , C04B41/5037 , C04B41/5031 , C04B41/5042 , C04B41/522 , C04B41/455 , C04B41/5045 , C04B41/5048 , C04B41/5027
Abstract: 本发明涉及一种防热腐蚀涂层和由其保护的元件。在暴露于高温的物品(10，30)的超合金或含硅基底(12，32)上的涂层系统(14，34)。涂层系统(14，34)包括覆在基底(12，32)上并对熔盐杂质促进的热腐蚀敏感的涂层(16，18，20，22，24，36，38)。腐蚀阻挡涂层(26)覆在涂层(16，18，20，22，24，36，38)上并含有至少一种与熔盐杂质反应形成致密的保护性副产物阻挡层(28)的含有稀土氧化物的化合物。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1807357A
公开(公告)日：2006-07-26
申请号：CN200610005145.6
申请日：2006-01-13
Applicant: 通用电气公司
CPC classification number: F23R3/007 , C04B41/009 , C04B41/52 , C04B41/89 , C23C28/321 , C23C28/322 , C23C28/34 , C23C28/341 , C23C28/345 , C23C28/3455 , C23C28/36 , C23C28/42 , F01D5/282 , F01D5/284 , F01D5/288 , F05D2230/90 , F05D2240/40 , F05D2300/143 , F05D2300/21 , F23M2900/05003 , F23M2900/05004 , Y10T428/31678 , C04B41/4527 , C04B41/5096 , C04B41/5037 , C04B41/5024 , C04B41/5032 , C04B41/522 , C04B41/5105 , C04B35/565 , C04B35/584 , C04B35/806
Abstract: 提供一种包括基底(105)和设置在所述基底(105)上的多个(110)涂层单元(115、120、125)的制品(100)。每个涂层单元(115、120、125)包括吸氧剂层(116)和隔离层(117)。本发明的实施例引入冗余重复以增强涂层系统的坚固性。多个保护性涂层单元被设置在基底(105)上，以使得其中一个所述涂层单元的失效将远不可能使基底(105)遭受直接暴露于环境中的风险。外部涂层单元(115、120、125)的失效仅暴露出原始的保护性涂层单元(115、120、125)，而不暴露基底(105)或保护性较弱的涂覆层。通过这种方式，本发明的实施例大大减轻了对一种具体涂覆层的性能的依赖，有利于形成更坚固更可靠的系统。
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公开(公告)号：CN1769043A
公开(公告)日：2006-05-10
申请号：CN200510084434.5
申请日：2005-07-15
Applicant: 通用电气公司
IPC: B32B18/00 , B32B5/14 , B32B1/00 , C23F15/00 , C23F11/00 , C04B41/50 , C23C28/04 , F01D5/28 , F02B77/04 , F28F19/00
CPC classification number: C04B41/89 , C04B41/009 , C04B41/52 , C23C28/042 , C23C28/048 , F05B2230/90 , F05C2201/043 , F05C2203/06 , F05C2253/12 , C04B41/4527 , C04B41/5096 , C04B41/5024 , C04B2111/00405 , C04B35/565 , C04B35/584 , C04B35/806 , C04B35/58092
Abstract: 本发明提供了可在高温环境中使用的制品以及用来在这样的环境中保护制品的方法。制品(10)包含含有硅的基质(20)；沉积在基质(20)上的含硅粘结层(30)；沉积在粘结层(30)上的中间隔离层(40)，该隔离层含至少一层(70)，其中该至少一层(70)包含稀土硅酸盐和基本上不含莫来石；和沉积在中间隔离层(40)上的顶层(50)，该顶层(50)包含稀土单硅酸盐。该方法包括提供基质(20)，该基质(20)包含硅；使含硅粘结层(30)沉积在基质(20)上；使中间隔离层(40)沉积在粘结层(30)上，该隔离层含至少一层(70)，其中该至少一层(70)包含稀土硅酸盐和基本上不含莫来石；和使顶层(50)沉积在中间隔离层(40)上，该顶层(50)包含稀土单硅酸盐。
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公开(公告)号：CN105164087B
公开(公告)日：2018-07-10
申请号：CN201480016254.0
申请日：2014-03-11
Applicant: 通用电气公司
CPC classification number: C09D5/084 , B05D7/52 , C04B41/009 , C04B41/5066 , C04B41/52 , C04B41/87 , C04B41/89 , C23C28/044 , C23C28/048 , C23C28/42 , F01D5/288 , F05D2230/90 , F05D2300/177 , Y10T428/2495 , C04B35/565 , C04B35/806 , C04B35/584 , C04B35/58085 , C04B41/4529 , C04B41/5071
Abstract: 一种制品，包括基材和设置在基材表面上的涂层。该涂层包括至少一个基本上由MoSi2或WSi2或(Mo，W)Si2或铂族金属硅化物构成的金属硅化物层，和至少一个基本上由Si3N4构成的层。
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公开(公告)号：CN101786894A
公开(公告)日：2010-07-28
申请号：CN201010116484.8
申请日：2010-01-26
Applicant: 通用电气公司
CPC classification number: C04B35/12 , B82Y30/00 , C04B35/657 , C04B41/009 , C04B41/4535 , C04B41/5007 , C04B41/5031 , C04B41/85 , C04B41/87 , C04B2235/3217 , C04B2235/3224 , C04B2235/3229 , C04B2235/3241 , C04B2235/3244 , C04B2235/3418 , C04B2235/443 , C04B2235/449 , C04B2235/5454 , C04B2235/616 , C04B2235/77 , C04B2235/9669 , C04B41/455 , C04B41/5033 , C04B41/5045 , C04B41/5042 , C04B35/047 , C04B35/00 , C04B41/4539 , C04B41/4549 , C04B38/00
Abstract: 一种经处理的耐火材料包含具有许多孔的耐火材料，其中耐火材料包括氧化铝、氧化硅、氧化镁、氧化铬、氧化锆、氧化钛、氧化钙、耐火土、碳化硅、钨、富铝红柱石、白云石、菱镁矿、氧化铝镁、铬铁矿、磁铁矿或包含至少一种前述材料的组合；和处于耐火材料的许多孔内的保护性材料，其中保护性材料选自氧化铝、氧化铬、二氧化硅、稀土金属氧化物、稀土金属锆酸盐、氧化钛、富铝红柱石、氧化锆、硅酸锆、氧化钇、氧化镁、氧化铁及其混合物。
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公开(公告)号：CN101676241A
公开(公告)日：2010-03-24
申请号：CN200910175523.9
申请日：2009-09-17
Applicant: 通用电气公司
Inventor： P·J·梅施特
CPC classification number: C04B35/117 , C04B35/18 , C04B35/447 , C04B35/488 , C04B35/6306 , C04B35/6316 , C04B35/803 , C04B2235/3224 , C04B2235/3225 , C04B2235/3227 , C04B2235/3229 , C04B2235/5224 , C04B2235/5228
Abstract: 本发明涉及稀土磷酸盐粘结的陶瓷，更具体而言，本发明涉及一种氧化物/氧化物CMC基体，其包含混入该基体中的稀土磷酸盐粘结剂，在该基体上的绝缘层，或者包含这二者。
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