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公开(公告)号：CN107142403B
公开(公告)日：2018-06-29
申请号：CN201710319718.0
申请日：2017-05-09
Applicant: 郑州轻工业学院
Abstract: 本发明公开了一种石墨烯和准晶复合强化的镁基复合材料及其制备方法，它是在含准晶强化的镁合金基体中加入石墨烯制得，石墨烯和镁合金粉末的质量比为1:2‑4，石墨烯和镁合金粉末作为整体与镁合金板材的质量比为1:5‑8；镁合金基体的组分及其质量百分比为：2~8wt.%Zn、1~4wt.%Gd、0.5~2.5wt.%Ca、0.5~2.5wt.%Al，余量为Mg，制备方法包括镁合金粉末和镁合金板材的制备，粉末烘干、锻造和热处理，本发明所述制备方法能使石墨烯在含准晶镁合金基体中分散得比较均匀，并使石墨烯与镁合金基体间很好的结合在一起；方法简单、成本低。
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公开(公告)号：CN107424911A
公开(公告)日：2017-12-01
申请号：CN201710276280.2
申请日：2017-04-25
Applicant: 郑州轻工业学院
IPC: H01L21/02 , H01L21/324
CPC classification number: H01L21/0256 , H01L21/324
Abstract: 本发明公开了一种具有垂直结构的SnSe2/MoSe2新型异质结的制备方法及其场效应性能改性方法，该制备方法采用机械剥离法结合旋转转移法的湿化学合成技术手段，通过调整旋转转移法技术手段的具体实施条件，制得一种基于二维过渡金属硫族化合物Se的垂直结构范德瓦尔斯异质半导体材料，该方法较为简单安全，适用于制备一系列二维过渡金属硫族化物（TMDs）的垂直结构异质结；通过将制备的垂直结构SnSe2/MoSe2范德瓦尔斯异质结进行退火改性处理，选择最优的提升异质结器件的场效应性能的退火改性温度及时间参数，本发明提供的异质结的改性方法，为范德瓦尔斯异质结更深入的应用于新一代光电子器件领域指明了方向。
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公开(公告)号：CN107424911B
公开(公告)日：2020-07-31
申请号：CN201710276280.2
申请日：2017-04-25
Applicant: 郑州轻工业学院
IPC: H01L21/02 , H01L21/324
Abstract: 本发明公开了一种具有垂直结构的SnSe2/MoSe2新型异质结的制备方法及其场效应性能改性方法，该制备方法采用机械剥离法结合旋转转移法的湿化学合成技术手段，通过调整旋转转移法技术手段的具体实施条件，制得一种基于二维过渡金属硫族化合物Se的垂直结构范德瓦尔斯异质半导体材料，该方法较为简单安全，适用于制备一系列二维过渡金属硫族化物（TMDs）的垂直结构异质结；通过将制备的垂直结构SnSe2/MoSe2范德瓦尔斯异质结进行退火改性处理，选择最优的提升异质结器件的场效应性能的退火改性温度及时间参数，本发明提供的异质结的改性方法，为范德瓦尔斯异质结更深入的应用于新一代光电子器件领域指明了方向。
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公开(公告)号：CN107142403A
公开(公告)日：2017-09-08
申请号：CN201710319718.0
申请日：2017-05-09
Applicant: 郑州轻工业学院
CPC classification number: C22C23/04 , B22F3/17 , C22C1/05 , C22C1/1042 , C22C1/1084 , C22C32/0084 , C22F1/06
Abstract: 本发明公开了一种石墨烯和准晶复合强化的镁基复合材料及其制备方法，它是在含准晶强化的镁合金基体中加入石墨烯制得，石墨烯和镁合金粉末的质量比为1:2‑4，石墨烯和镁合金粉末作为整体与镁合金板材的质量比为1:5‑8；镁合金基体的组分及其质量百分比为：2~8wt.%Zn、1~4wt.%Gd、0.5~2.5wt.%Ca、0.5~2.5wt.%Al，余量为Mg，制备方法包括镁合金粉末和镁合金板材的制备，粉末烘干、锻造和热处理，本发明所述制备方法能使石墨烯在含准晶镁合金基体中分散得比较均匀，并使石墨烯与镁合金基体间很好的结合在一起；方法简单、成本低。
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