公开(公告)号：CN118186514B

公开(公告)日：2024-09-20

申请号：CN202410151138.5

申请日：2024-02-02

申请人： 重庆大学

发明人： 郭岚峰 ,  付艳梅 ,  贺兆波 ,  叶瑞 ,  秦祥 ,  刘仁龙 ,  谭童

IPC分类号： C25D3/38 ,  C25D7/00 ,  H05K3/42 ,  H05K3/00 ,  H01L21/768

摘要： 本发明提供一种用于芯片封装电沉积铜填充工艺的电解液。其电沉积铜电解液含有加速剂、抑制剂、整平剂等添加剂。本发明提供的添加剂同时具有磺酸基、双硫键以及苯并噻唑结构，以双硫健为中心以对称结构引入苯并噻唑结构，并在分子链两端引入磺酸基，在确保良好的水溶性的同时，加速剂中N+、S原子、噻唑环作为活性位点使所述加速剂吸附在铜表面，加速剂分子两端的磺酸基更好的协同氯离子加速铜离子的沉积。本加速剂不含钠离子，避免后续封测工艺对电信号传输的影响，苯杂环结构设计显著降低了镀层分子间的内应力作用。本发明提供的加速剂配置的电镀液，能够满足深宽比超过1的通孔充填，符合先进封装的要求，具有广阔的应用前景。

公开(公告)号：CN118186514A

公开(公告)日：2024-06-14

申请号：CN202410151138.5

申请日：2024-02-02

申请人： 重庆大学

发明人： 郭岚峰 ,  付艳梅 ,  贺兆波 ,  叶瑞 ,  秦祥 ,  刘仁龙 ,  谭童

IPC分类号： C25D3/38 ,  C25D7/00 ,  H05K3/42 ,  H05K3/00 ,  H01L21/768

摘要： 本发明提供一种用于芯片封装电沉积铜填充工艺的加速剂及电沉积铜电解液。其电沉积铜电解液含有加速剂、抑制剂、整平剂等添加剂。本发明提供的添加剂同时具有磺酸基、双硫键以及苯并噻唑结构，以双硫健为中心以对称结构引入苯并噻唑结构，并在分子链两端引入磺酸基，在确保良好的水溶性的同时，加速剂中N+、S原子、噻唑环作为活性位点使所述加速剂吸附在铜表面，加速剂分子两端的磺酸基更好的协同氯离子加速铜离子的沉积。本加速剂不含钠离子，避免后续封测工艺对电信号传输的影响，苯杂环结构设计显著降低了镀层分子间的内应力作用。本发明提供的加速剂配置的电镀液，能够满足深宽比超过1的通孔充填，符合先进封装的要求，具有广阔的应用前景。