公开(公告)号：CN115105858B

公开(公告)日：2023-05-26

申请号：CN202210710320.0

申请日：2022-06-22

申请人： 重庆大学

发明人： 刘丹 ,  方亮 ,  黄中浩 ,  刘毅 ,  吴芳 ,  张淑芳 ,  吴旭 ,  林鸿涛 ,  陈国良 ,  刘高斌

IPC分类号： B01D15/04 ,  B01D15/24 ,  B01D15/10 ,  B01D9/02

摘要： 本发明公开了一种ITO刻蚀液结晶抑制装置；所述ITO刻蚀液结晶抑制装置包括离子吸附循环系统和结晶物去除循环系统；所述离子吸附循环系统包括离子吸附管道、第一加热装置和离子吸附装置；所述结晶物去除循环系统包括结晶物去除管道、冷却装置、离心过滤机和第二加热装置。本发明能够有效的使ITO刻蚀液中的金属离子浓度保持低水平，并且高效的去除ITO刻蚀液中的结晶物。

公开(公告)号：CN115094424A

公开(公告)日：2022-09-23

申请号：CN202210711514.2

申请日：2022-06-22

申请人： 重庆大学

发明人： 刘丹 ,  方亮 ,  黄中浩 ,  刘毅 ,  吴芳 ,  张淑芳 ,  吴旭 ,  陈国良 ,  管飞 ,  林鸿涛 ,  刘高斌

IPC分类号： C23F1/46

摘要： 本发明公开了一种Cu刻蚀液结晶抑制装置；所述Cu刻蚀液结晶抑制装置包括离子去除循环管道、冷却装置、离心过滤机和离子吸附装置，所述离子去除循环管道与刻蚀液槽连接并且用于将刻蚀液从刻蚀液槽引出处理后送回刻蚀液槽，所述冷却装置用于冷却刻蚀液，所述离心过滤机用于离心分离刻蚀液中的结晶物，所述离子吸附装置用于吸附刻蚀液中的金属离子，所述冷却装置、离心过滤机和离子吸附装置沿刻蚀液流向依次设置在离子去除循环管道上。本发明能够有效的使Cu刻蚀液中的金属离子浓度保持低水平，并且高效的去除Cu刻蚀液中的结晶物。

公开(公告)号：CN118248593A

公开(公告)日：2024-06-25

申请号：CN202410333978.3

申请日：2024-03-22

申请人： 重庆大学

发明人： 刘丹 ,  方亮 ,  黄中浩 ,  陈国良 ,  吴芳 ,  张淑芳 ,  刘高斌 ,  管飞 ,  吴旭 ,  林鸿涛

IPC分类号： H01L21/67

摘要： 本发明公开了一种用于PAN型刻蚀液的湿法刻蚀装置，所述湿法刻蚀装置包括刻蚀腔、刻蚀液槽、喷淋系统，所述刻蚀腔用于容纳并刻蚀基板，所述刻蚀液槽用于储存刻蚀液，所述喷淋系统用于将刻蚀液槽内的刻蚀液喷入刻蚀腔内，所述刻蚀液槽与刻蚀腔底部连通；所述湿法刻蚀装置还包括降黏循环系统和控酸循环系统。本发明能够确保刻蚀负载效应被抑制，刻蚀均一性提升，刻蚀液H3PO4浓度稳定。

公开(公告)号：CN118197961A

公开(公告)日：2024-06-14

申请号：CN202410333976.4

申请日：2024-03-22

申请人： 重庆大学

发明人： 刘丹 ,  方亮 ,  黄中浩 ,  陈国良 ,  吴芳 ,  张淑芳 ,  刘高斌 ,  管飞 ,  吴波 ,  熊永 ,  吴旭 ,  林鸿涛

IPC分类号： H01L21/67 ,  A61L2/232

摘要： 本发明公开了一种用于PAN型刻蚀液湿法刻蚀的抑菌水洗干燥装置；所述抑菌水洗干燥装置包括依次连接的第一水洗区间、第二水洗区间和风干区间；所述抑菌水洗干燥装置还包括抑菌循环系统，所述抑菌循环系统包括抑菌循环管和抑菌循环泵，所述抑菌循环管上缠绕有超导螺线圈；所述水箱上还设有振荡腔，所述振荡腔内设有压电换能器，所述振荡腔的一面连接抑菌循环管，所述振荡腔相对的另一面形成倒V字型凹陷并且连接文杜里管，所述文杜里管的出口连接矢量喷管，所述矢量喷管设置在水箱内；所述风干区间的入口处设有气帘风刀，所述气帘风刀用于沿着竖直方向吹气形成气帘，防止第二水洗区间的水汽进入风干区间。本发明解决了水洗干燥装置中的细菌问题。

公开(公告)号：CN117153723A

公开(公告)日：2023-12-01

申请号：CN202311113227.2

申请日：2023-08-31

申请人： 重庆大学

发明人： 刘丹 ,  方亮 ,  黄中浩 ,  陈国良 ,  管飞 ,  宋群梁 ,  陈渝 ,  吴芳 ,  张淑芳 ,  刘高斌 ,  罗旭 ,  熊永 ,  吴旭 ,  林鸿涛

IPC分类号： H01L21/67 ,  H01L21/306 ,  B05D3/06

摘要： 本发明公开了一种规避顶Mo缩进的湿法刻蚀装置；所述湿法刻蚀装置按照基板的传输方向依次设有干区间、刻蚀区间、缓冲区间、水洗区间和风干区间；所述刻蚀区间内设有第一磁铁装置，所述缓冲区间内还设有第二磁铁装置，所述湿法刻蚀装置还包括涡流管，所述缓冲区间内还设有热风口和第一排气口，所述缓冲风刀的外形设置成弧形，缓冲风刀的斜上方设有热气管，热气管的喷嘴正对缓冲风刀，所述涡流管的热气支管分别与热风口和热气管连通；所述湿法刻蚀装置还包括冷却装置，所述涡流管的冷气支管与冷却装置连通。本发明能够有效地避免Mo/Al、Mo/Al/Mo刻蚀制程中的顶Mo缩进问题，避免显示污渍等品质问题，确保产品品质和良率。

公开(公告)号：CN117130235A

公开(公告)日：2023-11-28

申请号：CN202311113226.8

申请日：2023-08-31

申请人： 重庆大学

发明人： 刘丹 ,  方亮 ,  黄中浩 ,  陈国良 ,  管飞 ,  陈渝 ,  罗旭 ,  熊永 ,  吴旭 ,  吴芳 ,  张淑芳 ,  刘高斌 ,  林鸿涛

IPC分类号： G03F7/42

摘要： 本发明公开了一种避免寄生栅极效应和斜纹Mura的光刻胶剥离装置；所述光刻胶剥离装置按照基板的传输方向依次设有干区间、剥离区间、热水洗区间、过冷水洗区间和风干区间；所述剥离区间的出口处设有用于向基板表面吹热风的热风刀，所述热水洗区间内设有用于向基板表面喷淋热水的第二喷淋管；所述过冷水洗区间的入口处设有用于向基板表面吹冷风的冷风刀，所述过冷水洗区间内设有用于向基板表面喷淋过冷水的第三喷淋管；所述光刻胶剥离装置还包括涡流管、加热装置和冷却装置。本发明规避了寄生栅极效应、斜纹Mura造成的产品良率和品质风险；并保证了光刻胶剥离设备的通用性，有益于产线物流优化和产能提升。

公开(公告)号：CN115105858A

公开(公告)日：2022-09-27

申请号：CN202210710320.0

申请日：2022-06-22

申请人： 重庆大学

发明人： 刘丹 ,  方亮 ,  黄中浩 ,  刘毅 ,  吴芳 ,  张淑芳 ,  吴旭 ,  林鸿涛 ,  陈国良 ,  刘高斌

IPC分类号： B01D15/04 ,  B01D15/24 ,  B01D15/10 ,  B01D9/02

摘要： 本发明公开了一种ITO刻蚀液结晶抑制装置；所述ITO刻蚀液结晶抑制装置包括离子吸附循环系统和结晶物去除循环系统；所述离子吸附循环系统包括离子吸附管道、第一加热装置和离子吸附装置；所述结晶物去除循环系统包括结晶物去除管道、冷却装置、离心过滤机和第二加热装置。本发明能够有效的使ITO刻蚀液中的金属离子浓度保持低水平，并且高效的去除ITO刻蚀液中的结晶物。

公开(公告)号：CN117153723B

公开(公告)日：2024-05-03

申请号：CN202311113227.2

申请日：2023-08-31

申请人： 重庆大学

发明人： 刘丹 ,  方亮 ,  黄中浩 ,  陈国良 ,  管飞 ,  宋群梁 ,  陈渝 ,  吴芳 ,  张淑芳 ,  刘高斌 ,  罗旭 ,  熊永 ,  吴旭 ,  林鸿涛

IPC分类号： H01L21/67 ,  H01L21/306 ,  B05D3/06

摘要： 本发明公开了一种规避顶Mo缩进的湿法刻蚀装置；所述湿法刻蚀装置按照基板的传输方向依次设有干区间、刻蚀区间、缓冲区间、水洗区间和风干区间；所述刻蚀区间内设有第一磁铁装置，所述缓冲区间内还设有第二磁铁装置，所述湿法刻蚀装置还包括涡流管，所述缓冲区间内还设有热风口和第一排气口，所述缓冲风刀的外形设置成弧形，缓冲风刀的斜上方设有热气管，热气管的喷嘴正对缓冲风刀，所述涡流管的热气支管分别与热风口和热气管连通；所述湿法刻蚀装置还包括冷却装置，所述涡流管的冷气支管与冷却装置连通。本发明能够有效地避免Mo/Al、Mo/Al/Mo刻蚀制程中的顶Mo缩进问题，避免显示污渍等品质问题，确保产品品质和良率。