一种具有优异耐久性能的防冰除冰涂层及制备方法

    公开(公告)号:CN118325466A

    公开(公告)日:2024-07-12

    申请号:CN202410497651.X

    申请日:2023-10-27

    申请人: 重庆大学

    发明人: 袁媛 朱涛 廖瑞金

    IPC分类号: C09D183/04 C09D7/61

    摘要: 本发明属于防冰除冰技术领域,具体涉及一种具有优异耐久性能的防冰除冰涂层及制备方法。本发明的制备方法首先将SiO2分散液加入到由PDMS和常温固化剂制成的弹性体中,混合均匀得到涂层溶液;所述常温固化剂为不含碳碳三键的常温固化剂;所述SiO2微粒占所述弹性体溶液的质量比为1%~15%;最后将涂层溶液缓慢均匀涂覆到基体上形成小于等于220微米的膜,制备得到具有优异耐久性能的防冰除冰涂层。

    一种精细α-Al2O3陶瓷的热辅助冷烧结方法

    公开(公告)号:CN116063065B

    公开(公告)日:2024-07-02

    申请号:CN202211045075.2

    申请日:2022-08-30

    申请人: 重庆大学

    摘要: 本发明公开了一种精细α‑Al2O3陶瓷的烧结方法。所述Al2O3陶瓷烧结方法可分为两步,第一步是通过冷烧结工艺制备相对致密度为~85%的α‑Al2O3–γ‑Al2O3复合陶瓷,然后第二步通过相对较低的退火温度来促进复合陶瓷的物相转变并进一步提高氧化铝陶瓷的致密度。本发明省去了复杂的造粒工艺和昂贵的压机设备,工艺简单、成本低廉,最终制成的陶瓷材料密度、硬度高,晶粒尺寸小于1μm,而且大大降低了烧结温度,节约生产成本。

    一种阳极集成肖特基超势垒辅助栅的横向绝缘栅双极型晶体管

    公开(公告)号:CN114709259B

    公开(公告)日:2024-06-18

    申请号:CN202210313758.5

    申请日:2022-03-28

    申请人: 重庆大学

    摘要: 本发明公开一种阳极集成肖特基超势垒辅助栅的横向绝缘栅双极型晶体管,包括自下而上依次层叠设置的衬底区、有源区和表面功能区;本发明在阳极侧集成肖特基势垒栅,并延申到器件内部的N缓冲区形成肖特基接触。当器件从导通态转变至关断态时,阳极加在辅助栅上的电压使得阳极侧打开一条额外的电子提取通路,过剩载流子的复合时间大大缩短,从而提升器件关断时的速度,降低关断损耗。正向导通时,通过调整阳极结构,使得阳极侧的电子提取通路在阳极P+开始向N区注入空穴后开启,可以解决正向导通时的负阻效应,从而实现无正向折回现象。

    MOS型半导体器件阈值电压稳定测试方法和系统

    公开(公告)号:CN116359695B

    公开(公告)日:2024-01-09

    申请号:CN202310096091.2

    申请日:2023-02-09

    申请人: 重庆大学

    IPC分类号: G01R31/26

    摘要: 本公开提供一种MOS型半导体器件的阈值电压稳定性测试方法和系统。该方法中,根据陪测MOS型半导体器件在任意一个非起始测试周期相对于起始测试周期的阈值电压的漂移量对任意一个非起始测试周期中被测MOS型半导体器件的阈值电压进行补偿。

    一种防止温漂的MOS器件栅极驱动方法及驱动电路

    公开(公告)号:CN117200770A

    公开(公告)日:2023-12-08

    申请号:CN202311221531.9

    申请日:2023-09-21

    申请人: 重庆大学

    摘要: 本发明涉及一种防止温漂的MOS器件栅极驱动方法及驱动电路,包括:当电路中的开关器件需要开通时,向开关器件的栅极输入开通栅极电压;当电路中的开关器件需要关断时,输入开关器件栅极的电压变为第一关断栅极电压,以保证开关器件的快速关断,在开关器件关断稳态后,将输入开关器件栅极的电压变为第二关断栅极电压,以抑制开关器件的阈值漂移,在开关器件存在动态扰动时,输入开关器件栅极的电压变为第一关断栅极电压,以增强开关器件的抗串扰能力。本发明通过采用开通栅极电压、关断栅极电压一和关断栅极电压二共三个栅极驱动电压的方式,不仅可抑制碳化硅器件的阈值漂移,还能保留各种工况下负关断电压的抗串扰能力强、关断速度快等优势。

    一种用于功率器件的dv/dt耐受能力测试电路及方法

    公开(公告)号:CN116840648A

    公开(公告)日:2023-10-03

    申请号:CN202310938248.1

    申请日:2023-07-28

    申请人: 重庆大学

    IPC分类号: G01R31/26

    摘要: 本发明涉及一种用于功率器件的dv/dt耐受能力测试电路及方法,它包括栅极大电流驱动电路和主电路;主电路包括MOS3、被测器件、驱动脉冲发生器VGS、电容C2、电阻RG和R4,以及高压直流电压源V2;栅极大电流驱动电路与MOS3的栅极连接,用于控制MOS3快速开通和关断,并将MOS3的栅极电压钳制在安全值,以及调节主电路dv/dt的大小;在MOS3开通的瞬间,电容C2的一端被强制接地,使得电容C2两端电压被迅速施加到被测器件两端,进而产生大的dv/dt脉冲电压。本发明可靠性更高,dv/dt脉冲电压大小可调节,间接测量的观测方式对测试设备的精度要求不高,可以大幅降低测试设备成本,可实现性高。