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公开(公告)号:CN113380681A
公开(公告)日:2021-09-10
申请号:CN202010163568.0
申请日:2020-03-10
申请人: 重庆康佳光电技术研究院有限公司
IPC分类号: H01L21/677 , H01L33/00
摘要: 本发明涉及显示器制造领域,具体涉及一种巨量转移方法,其步骤包括,提供一生长基板,所述生长基板上有多个LED芯片;提供一临时基板,将所述LED芯片粘附于所述临时基板的所述胶合剂层上,剥离所述生长基板;在所述LED芯片上涂覆形成光刻胶层;曝光显影所述光刻胶层后形成多个凹槽,在所述光刻胶层上涂覆热塑性材料形成热塑性材料转移器,所述待转移的LED芯片粘附至所述热塑性材料转移器上,移除所述光刻胶层,将待转移的LED芯片与所述胶合剂层分离;将所述待转移LED芯片转移至显示背板,加热分离所述热塑性材料转移器,完成LED芯片的转移。无需设置转移头即可完成LED芯片的转移。
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公开(公告)号:CN112992757A
公开(公告)日:2021-06-18
申请号:CN202010631080.6
申请日:2020-07-03
申请人: 重庆康佳光电技术研究院有限公司
IPC分类号: H01L21/683 , H01L33/48
摘要: 一种微发光二极管芯片巨量转移方法,包括:在DMD芯片的多个微型振镜上形成第一胶层;将第一基板上形成的多个微发光二极管芯片粘接在第一胶层上,并使多个微发光二极管芯片与多个微型振镜一一对应;剥离第一基板;溶解第一胶层,以使第一胶层之位于相邻的两个微发光二极管芯片之间的部分被除去,第一胶层之连接微发光二极管芯片和微型振镜的部分被保留而形成弱化结构;在第三基板上形成第二胶层,并将第二胶层与多个微发光二极管芯片粘接;调节多个微型振镜中的部分微型振镜旋转,以使弱化结构断裂,使微发光二极管芯片与对应的微型振镜分离;将第三基板携带的多个微发光二极管芯片与显示背板键合,转移工艺简单,易于实施。
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公开(公告)号:CN111108612A
公开(公告)日:2020-05-05
申请号:CN201980003337.9
申请日:2019-12-25
申请人: 重庆康佳光电技术研究院有限公司
摘要: 本发明公开了一种显示基板、制备方法及其相关转移方法,通过在基板上设置有与球状半导体芯片形状相匹配的装载槽,再将若干个球状半导体芯片通过滚动的方式滚动到装载槽内;当有球状半导体芯片未落入到装载槽内时通过使基板倾斜或震动,进而确保待转移的球状半导体芯片均落入至装载槽内,之后去除球状半导体芯片露出基板多余的部分,最后再通过在球状半导体芯片的横截面上设置第一电极、第二电极和钝化层,并将第一电极和第二电极分别与基板连接,最后完成显示基板制备,本发明提供的显示基板的制备方法,无需在转移半导体芯片时在显示基板上进行精准对位,即可实现快速精准将半导体转移到显示基板上,从而降低了技术复杂度,节约了技术成本。
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公开(公告)号:CN111052342A
公开(公告)日:2020-04-21
申请号:CN201980002910.4
申请日:2019-11-29
申请人: 重庆康佳光电技术研究院有限公司
IPC分类号: H01L21/683 , H01L21/677
摘要: 本发明公开了一种巨量转移的载板、巨量转移装置及其方法,所述巨量转移的载板包括:温控装置、位于所述温控装置上的伸缩板以及设置在所述伸缩板上的第一粘性层;所述温控装置用于控制所述伸缩板的温度,所述伸缩板用于根据温度变化进行伸缩,以调整所述第一粘性层上粘附的微器件的间距。在巨量转移过程中,将微器件通过第一粘性层粘在伸缩板上,在需要调整微器件的间距,则可以通过温控装置调整伸缩板的温度,伸缩板受到温度变化的影响会进行伸张或收缩,从而带动与伸缩板粘连的微器件的间距的增加或减小,从而在进一步的巨量转移过程中,微器件的间距就得到了调整。
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公开(公告)号:CN111033682B
公开(公告)日:2021-11-02
申请号:CN201980002719.X
申请日:2019-11-27
申请人: 重庆康佳光电技术研究院有限公司
IPC分类号: H01J37/32 , H01L21/67 , C23C16/513
摘要: 本发明公开了一种半导体真空处理设备及处理半导体的方法,所述设备包括工作腔体、设置在工作腔体上的气体输入部、设置在工作腔体内部的等离子产生部、设置在等离子产生部下方,位于工作腔体内部的载台、设置在所述载台下方,设置在工作腔体表面上的多个真空抽气孔,以及位于多个真空抽气孔上的多个运动挡板。通过多个运动挡板控制所述多个真空抽气孔的开合大小,以调节流入到所述待处理的半导体元件表面上的等离子体的流速,实现针对半导体上局部蚀刻或沉积不均匀的位置可调节相应位置的运动挡板的开合大小以改变半导体上局部的等离子体的流速变化,从而调整对半导体上局部的蚀刻或沉积的变化,最终获得半导体的蚀刻率或沉积率的局部均匀性。
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公开(公告)号:CN113497073A
公开(公告)日:2021-10-12
申请号:CN202010192516.6
申请日:2020-03-18
申请人: 重庆康佳光电技术研究院有限公司
摘要: 本发明涉及发光二极管技术领域,具体涉及一种便于修复的LED显示器及其修复方法,其包括:平坦化层和电路层,平坦化层的上表面设有第一、第二预备电极,该第一、第二预备电极分别与电路层中的薄膜晶体管和电源线接地端相连通;平坦化层中设有凹槽,凹槽内安装有二极管芯片,凹槽底部设有第一、第二接触电极,二极管芯片底部的两电极分别与第一、第二接触电极相连接,第一、第二接触电极通过布线分别与第一、第二预备电极相连接;二极管芯片顶部高度不超过凹槽槽口的高度。在本发明的LED显示器在需要对二极管芯片进行替换时,不需要再将二极管芯片从显示背板上拾出即可在原位置上键合新的二极管芯片;其极大地提高了生产效率。
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公开(公告)号:CN111095516B
公开(公告)日:2021-08-24
申请号:CN201980003336.4
申请日:2019-12-17
申请人: 重庆康佳光电技术研究院有限公司
摘要: 本发明公开了一种巨量转移装置及巨量转移方法,所述巨量转移装置上设置有多个通道,各个通道的第一开口设置在所述巨量转移装置的第一面,各个通道的第二开口设置在所述巨量转移装置的第二面,且各个通道之间的距离沿第一面到第二面的方向逐渐增大,本发明提供的巨量转移方法通过激光照射的方式使第一基板上的Micro‑LED掉落并通过第一开口进入巨量转移装置的通道,从通道的第二开口落入第二基板上的Micro‑LED待安装位置,实现了将Micro‑LED从第一基板上转移至第二基板上,且在第二基板上的间距大于在第一基板上的间距,巨量转移过程简单、成本低。
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公开(公告)号:CN111201593B
公开(公告)日:2022-12-20
申请号:CN201980002286.8
申请日:2019-10-14
申请人: 重庆康佳光电技术研究院有限公司
摘要: 本发明公开了一种LED检测装置和方法,该LED检测装置包括:检测电路板;弹性基板,所述弹性基板设置在所述检测电路板下端,所述弹性基板远离所述检测电路板的一面设置有检测电极,所述检测电极与所述检测电路板电连接,所述检测电极正对于待检测LED芯片的电极;以及可填充区,所述可填充区设置在所述检测电路板和所述弹性基板之间。本发明通过将所述可填充区进行填充后,以使所述检测电极与待检测电极接触,以判断当前检测位置的所述待检测LED芯片是否为电性不良芯片,从而能够筛选出电性不良的芯片。另外,本申请不需要机械式地移动探针位置,避免了LED芯片被探针戳伤,能够准确对准LED芯片电极进行通电并提高了LED芯片的检测速度。
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公开(公告)号:CN112967983B
公开(公告)日:2022-05-20
申请号:CN202010997976.6
申请日:2020-09-21
申请人: 重庆康佳光电技术研究院有限公司
IPC分类号: H01L21/683 , H01L33/48
摘要: 本发明涉及一种转移系统和转移方法。转移系统用于转移芯片,包括临时基板和转移设备,临时基板具有相对的第一表面和第二表面,第二表面与第一表面之间具有第一夹角,第一夹角大于0°且小于90°;转移设备具有转移基板和设置在转移基板上的多个转移头,转移基板具有相对的第三表面和第四表面,且第四表面与第三表面之间具有第二夹角,第二夹角大于0°且小于90°,多个转移头间隔地位于第四表面转移头背离转移基板的一侧表面与第四表面平行。这样使得芯片更容易脱离该倾斜的表面,该临时基板可以降低芯片脱离临时基板的难度,并且,转移设备和临时基板更好地配合可以进一步简化转移过程。
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公开(公告)号:CN113409699A
公开(公告)日:2021-09-17
申请号:CN202010183043.3
申请日:2020-03-16
申请人: 重庆康佳光电技术研究院有限公司
摘要: 本发明涉及发光二极管技术领域,具体涉及一种便于修复的LED显示器及其修复方法,其包括:平坦化层,平坦化层的上表面设有第一、第二电极,发光二极管芯片,所述发光二极管芯片的正负电极别接有第一、第二延伸电极,第一、第二延伸电极分别与第一、第二电极相连接;设于平坦化层中的凹槽,凹槽设置于发光二极管芯片的正下方,且凹槽的体积大于发光二极管芯片的体积;凹槽内设有热塑性材料,第一、第二延伸电极设置于凹槽的槽口上,热塑性材料与第一、第二延伸电极相连接。在本发明的LED显示器在需要对发光二极管芯片进行替换时,不需要再将发光二极管芯片拾出即可在原位置上键合新的发光二极管芯片;其极大地提高了生产效率。
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