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公开(公告)号：CN109112624A
公开(公告)日：2019-01-01
申请号：CN201710488874.X
申请日：2017-06-23
申请人： 镇江仁德新能源科技有限公司
摘要： 本发明提供一种用于生产太阳能级高效多晶硅片的多晶炉，包括炉体内筒、炉体外筒，和设置于所述炉体内筒和炉体外筒之间的夹层空腔中的螺旋状导流板；所述炉体外筒底部设置有第一冷却水进口，能够将冷却水导入炉体内筒和炉体外筒之间的夹层空腔中，并沿螺旋状导流板螺旋上升流动；所述炉体外筒顶部设置有第一冷却水出口，能够将炉体内筒和炉体外筒之间的夹层空腔中的冷却水导出。既能维持炉内温度，又保证炉体的加压水导流冷却，和双层玻璃视镜的局部水冷。
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公开(公告)号：CN109112618A
公开(公告)日：2019-01-01
申请号：CN201710488866.5
申请日：2017-06-23
申请人： 镇江仁德新能源科技有限公司
摘要： 本发明提供一种太阳能多晶硅的定向凝固生长装置，包括预熔区和生长区；所述预熔区包括预熔坩埚，包裹于预熔坩埚外围的第一保温层和包裹于第一保温层外围的第一感应加热器；所述生长区包括漏斗，漏斗下方设置生长坩埚，所述生长坩埚外围包裹有第二保温层，所述第二保温层外围包裹有第二感应加热器。将硅料的熔化和凝固分别在2个不同的坩埚中进行，硅料在预熔区熔化后，倒入另一个加有保温装置的生长区。通过控制生长区坩埚周围的加热装置，使硅液在设定的温度梯度下由底部开始逐渐结晶。这种方法由于将熔化与结晶区分开，使能量的利用更合理，也使半连续性铸锭成为现实。
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公开(公告)号：CN109119337A
公开(公告)日：2019-01-01
申请号：CN201710488878.8
申请日：2017-06-23
申请人： 镇江仁德新能源科技有限公司
IPC分类号： H01L21/306 , H01L31/18 , H01L31/0236
摘要： 本发明提供的一种太阳能级多晶硅片表面制绒方法，包括酸洗溶液配制、酸腐、碱腐、HF和HCl混合溶液腐蚀、以及吹干五个工序。由于在第一个工序只中配制的酸洗溶液中含有HNO3、HF和H2SiF6，解决相同条件下多晶硅在仅含HNO3和HF酸溶液中腐蚀过快，绒面凹坑宽度过大且深度不够，不利于其陷光性能的提高的问题。
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公开(公告)号：CN109112623A
公开(公告)日：2019-01-01
申请号：CN201710487320.8
申请日：2017-06-23
申请人： 镇江仁德新能源科技有限公司
摘要： 本发明提供的一种太阳能级多晶硅片的铸造方法，包括装料，抽取真空，加热、保温、降温，以及定向拉锭四个工序，其中在加热、保温、降温工序中，先采用80～100min从室温加热至900～1100℃，采用50～70min加热至1400～1600℃，并保持该温度一定时间，然后采用50～70min将温度从1400～1600℃降至900～1100℃，余下温度采用炉冷的方式进行冷却，使得硅原料中Al元素的杂质去除率为61％，Ca元素的杂质去除率接近100％，P元素的杂质去除率达到了82.3％。
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公开(公告)号：CN102909163A
公开(公告)日：2013-02-06
申请号：CN201110224758.X
申请日：2011-08-05
申请人： 镇江仁德新能源科技有限公司
摘要： 本发明涉及一种在多晶硅铸锭用坩埚内表面上形成涂层的方法，特别是在无需高温烧结的条件下在多晶硅铸锭用坩埚内表面上形成涂层的方法。本发明还涉及包含使用所述方法制备的涂层的多晶硅铸锭用坩埚。由于根据本发明所述的在多晶硅铸锭用坩埚内表面上形成涂层的方法无需高温烧结条件，所以可以节省大量的能源，并且使用根据本发明的坩埚制备的多晶硅铸锭的有效重量比高于使用常规方法制备的坩埚制备的铸锭，这使得生产成本降低，生产效率提高。
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公开(公告)号：CN109112617A
公开(公告)日：2019-01-01
申请号：CN201710487313.8
申请日：2017-06-23
申请人： 镇江仁德新能源科技有限公司
摘要： 本发明提供一种太阳能多晶硅的定向凝固炉，包括炉体，所述炉体内设置有隔热笼，所述隔热笼底部开口，开口处设置有底部密封板，所述底部密封板相对隔热笼移动密封相向隔热笼移动开口；所述隔热笼内设置有加热电极，所述加热电极内部设置有生长坩埚，所述生长坩埚底部设置有冷却块。在加热和熔化过程中，绝热体是封闭的。长晶时将四周绝热体提升，在坩埚下面开出一个传热的口子，使硅液从底部开始冷却，实现由下往上的定向凝固。该生长方法可生长大的多晶硅锭，因而产出量高。另外该工艺控制相对单晶生长简单，生产成本低。
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公开(公告)号：CN102951931A
公开(公告)日：2013-03-06
申请号：CN201110250763.8
申请日：2011-08-29
申请人： 镇江仁德新能源科技有限公司
IPC分类号： C04B41/87
摘要： 本发明提供了一种制备SiC涂层的方法，该方法包括以下步骤：1)在石墨基材的表面上涂覆高纯硅粉或高纯氮化硅粉末从而形成涂层，其中涂层厚度在200-1000微米范围内；2)把具有上述涂层的石墨基材在一氧化硅气体或含有惰性气体的一氧化硅气体氛围下加热到1300-1500℃，并保持1-10小时，在石墨基材的表面上涂覆的高纯硅粉或高纯氮化硅粉变成β相SiC；3)冷却至100-500℃后，将所述石墨基材从所述气体氛围下取出，继续冷却至室温，用纯水洗掉所述涂层表面的粉末状SiC，从而得到相对致密的且与石墨基材结合紧密的SiC涂层。本发明提供的制备方法操作简单、成本低廉，且对石墨基材的表面无苛刻要求，是一种廉价的涂层制备方法。
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公开(公告)号：CN207109143U
公开(公告)日：2018-03-16
申请号：CN201720741657.2
申请日：2017-06-23
申请人： 镇江仁德新能源科技有限公司
摘要： 本实用新型提供一种用于生产太阳能级高效多晶硅片的多晶炉，包括炉体内筒、炉体外筒，和设置于所述炉体内筒和炉体外筒之间的夹层空腔中的螺旋状导流板；所述炉体外筒底部设置有第一冷却水进口，能够将冷却水导入炉体内筒和炉体外筒之间的夹层空腔中，并沿螺旋状导流板螺旋上升流动；所述炉体外筒顶部设置有第一冷却水出口，能够将炉体内筒和炉体外筒之间的夹层空腔中的冷却水导出。既能维持炉内温度，又保证炉体的加压水导流冷却，和双层玻璃视镜的局部水冷。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN207109138U
公开(公告)日：2018-03-16
申请号：CN201720741665.7
申请日：2017-06-23
申请人： 镇江仁德新能源科技有限公司
摘要： 本实用新型提供一种太阳能多晶硅的定向凝固炉，包括炉体，所述炉体内设置有隔热笼，所述隔热笼底部开口，开口处设置有底部密封板，所述底部密封板相对隔热笼移动密封相向隔热笼移动开口；所述隔热笼内设置有加热电极，所述加热电极内部设置有生长坩埚，所述生长坩埚底部设置有冷却块。在加热和熔化过程中，绝热体是封闭的。长晶时将四周绝热体提升，在坩埚下面开出一个传热的口子，使硅液从底部开始冷却，实现由下往上的定向凝固。该定向凝固炉可生长大的多晶硅锭，因而产出量高。另外该凝固炉使用工艺控制相对单晶生长简单，生产成本低。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN207109137U
公开(公告)日：2018-03-16
申请号：CN201720740294.0
申请日：2017-06-23
申请人： 镇江仁德新能源科技有限公司
摘要： 本实用新型提供一种太阳能多晶硅的定向凝固生长装置，包括预熔区和生长区；所述预熔区包括预熔坩埚，包裹于预熔坩埚外围的第一保温层和包裹于第一保温层外围的第一感应加热器；所述生长区包括漏斗，漏斗下方设置生长坩埚，所述生长坩埚外围包裹有第二保温层，所述第二保温层外围包裹有第二感应加热器。通过本装置将熔化与结晶区分开，使能量的利用更合理，也使半连续性铸锭成为现实。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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