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公开(公告)号：CN109816096A
公开(公告)日：2019-05-28
申请号：CN201910062532.0
申请日：2019-01-23
Applicant: 长安大学
Abstract: 本发明公开了一种基于忆阻器的感知器神经网络电路及其调节方法，该电路包括忆阻器模块、权值转换模块、净输入模块和映射函数模块；所述的忆阻器模块与权值转换模块连接，所述的权值转换模块与净输入模块连接，所述的净输入模块与映射函数模块连接。本发明的方法首先调节忆阻器的阻值与时间关系的图像近似为一条直线，再调节权值与时间关系的图像近似为一条直线。线性变化的忆阻器阻值能够更加精确的代替神经网络的突触权值，利用忆阻器的阻值来储存训练好的神经网络的突触权值，从而实现了忆阻器阻值与神经元突触权值的转换，解决传统神经元电路不能精确调整神经突触权值的问题。
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公开(公告)号：CN103872045B
公开(公告)日：2016-06-29
申请号：CN201410123317.4
申请日：2014-03-28
Applicant: 长安大学
Abstract: 本发明提供一种GaN基超薄势垒增强/耗尽模式反相器、环振及其制作方法，利用表面SiN有效降低超薄势垒异质结的沟道方块电阻，通过调节栅下SiN厚度可分别实现增强型器件及耗尽型器件，将增强型器件栅下SiN刻蚀掉，器件栅下沟道电子浓度很低，器件可呈现出正阈值电压的增强型特性，耗尽型器件栅下保留SiN，器件栅下存在高浓度二维电子气，器件呈现出负阈值电压的耗尽型特性，将增强型器件和耗尽型器件集成可实现反相器，再将2n+1个相同的反相器级连，可实现环振。
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公开(公告)号：CN103915434B
公开(公告)日：2016-06-15
申请号：CN201410122687.6
申请日：2014-03-28
Applicant: 长安大学
Abstract: 本发明提供一种GaN基超薄势垒增强/耗尽模式反相器、环振及其制作方法，利用表面SiN有效降低超薄势垒异质结的沟道方块电阻，通过调节栅下SiN厚度可分别实现增强型器件及耗尽型器件，将增强型器件栅下SiN刻蚀掉，器件栅下沟道电子浓度很低，器件可呈现出正阈值电压的增强型特性，耗尽型器件栅下保留SiN，器件栅下存在高浓度二维电子气，器件呈现出负阈值电压的耗尽型特性，将增强型器件和耗尽型器件集成可实现反相器，再将2n+1个相同的反相器级连，可实现环振。
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公开(公告)号：CN103872045A
公开(公告)日：2014-06-18
申请号：CN201410123317.4
申请日：2014-03-28
Applicant: 长安大学
Abstract: 本发明提供一种GaN基超薄势垒增强/耗尽模式反相器、环振及其制作方法，利用表面SiN有效降低超薄势垒异质结的沟道方块电阻，通过调节栅下SiN厚度可分别实现增强型器件及耗尽型器件，将增强型器件栅下SiN刻蚀掉，器件栅下沟道电子浓度很低，器件可呈现出正阈值电压的增强型特性，耗尽型器件栅下保留SiN，器件栅下存在高浓度二维电子气，器件呈现出负阈值电压的耗尽型特性，将增强型器件和耗尽型器件集成可实现反相器，再将2n+1个相同的反相器级连，可实现环振。
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公开(公告)号：CN103178803A
公开(公告)日：2013-06-26
申请号：CN201310044829.7
申请日：2013-02-05
Applicant: 长安大学
IPC: H03H9/02
Abstract: 本发明公开了一种正偶数多边形Rayleigh波产生器件，包括在同一压电基片材料上制作的n个叉指换能器，n为大于等于4的偶数；所述的n个叉指换能器按照正n边形设置在所述压电基片材料上，各相邻的叉指换能器之间有间距且间距相等。其通过在同一压电基片材料上制作一组按照正偶数多边形设置的Rayleigh波叉指换能器，实现多角度Rayleigh波的激发，进而满足具有对Rayleigh波激发角度、强度等特性具有不同需求的功能性器件的需求。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107678247B
公开(公告)日：2020-05-29
申请号：CN201710743725.3
申请日：2017-08-25
Applicant: 长安大学
IPC: G03F7/20
Abstract: 本发明公开了一种硅基集成曝光量测量器件，包括半导体衬底，半导体衬底上从下至上依次设置有绝缘层、导电金属层、金属氧化物结构、导电金属结构、光敏材料层、保护层；金属氧化物结构包括对称设置在导电金属层上的第一金属氧化物块和第二金属氧化物块；导电金属结构包括设置在第一金属氧化物块上的第一导电金属块和设置在第二金属氧化物块上的第二导电金属块；保护层上设置有第一金属电极、第二金属电极和第三金属电极，所述第一金属电极、第二金属电极和第三金属电极均贯穿保护层，其中第二金属电极与光敏材料相接触，第一金属电极和第三金属电极均与绝缘层相接触。本发明可集成且作为独立器件使用，具有应用范围广和使用方便的优点。
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公开(公告)号：CN105391416B
公开(公告)日：2018-08-21
申请号：CN201510923241.8
申请日：2015-12-11
Applicant: 长安大学
IPC: H03H7/38
Abstract: 本发明公开了一种负载阻抗匹配装置及匹配方法，属于阻抗匹配领域。所述发明包括声表面波器件适配座，在其一端连接有端口一匹配电路单元，在其另一端连接有端口二匹配电路单元，端口一匹配电路单元与第一接头相连，在端口二匹配电路单元与第二接头相连。本发明通过该装置中四个单刀双掷开关状态的调节，分别构成与待测声表面波器件对应的未匹配通道及匹配通道，从而使待测声表面波器件一步完成负载阻抗匹配。相对于现有技术，避免了在整个过程中对多个硬件进行拆卸这一情况的发生，并且可以针对两个端口分别设计不同的无源负载阻抗匹配网络，灵活处理使两端口同时达到阻抗匹配中心点，减少传输线上的反射波，提高了声表面波信号的传输效率和质量。
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公开(公告)号：CN103915435B
公开(公告)日：2016-06-15
申请号：CN201410122689.5
申请日：2014-03-28
Applicant: 长安大学
Abstract: 本发明提供一种GaN基超薄势垒增强模式反相器、环振及其制作方法，利用表面SiN有效降低超薄势垒异质结的沟道方块电阻，通过调节器件表面SiN厚度可分别实现增强型器件及负载电阻，将增强型器件栅下SiN刻蚀掉，器件栅下沟道电子浓度很低，器件可呈现出正阈值电压的增强型特性，负载电阻表面保留SiN，电阻沟道中存在高浓度二维电子气，呈现出电阻特性，将增强型器件和负载电阻集成可实现反相器，再将2n+1个相同的反相器级连，可实现环振。
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公开(公告)号：CN103457465B
公开(公告)日：2015-10-21
申请号：CN201310426167.X
申请日：2013-09-17
Applicant: 长安大学
Abstract: 本发明公开了一种具有外部可调限流功能的恒流/恒压DC-DC转换系统，该系统包括外部可调限流电路、电流误差放大电路、电压误差放大电路、振荡器、斜坡电流采样电路、PWM产生电路、逻辑驱动电路和输出电路；外部可调限流电路使得该系统具有外部可调限流功能，不仅能够精确调整系统的限流阈值，增加系统应用的灵活性，又可在系统空载时避免大电流的产生，能有效保护系统电路正常工作。本发明系统结构简单，节省芯片面积，适用于具有精确限流要求的电源芯片。
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公开(公告)号：CN103457465A
公开(公告)日：2013-12-18
申请号：CN201310426167.X
申请日：2013-09-17
Applicant: 长安大学
Abstract: 本发明公开了一种具有外部可调限流功能的恒流/恒压DC-DC转换系统，该系统包括外部可调限流电路、电流误差放大电路、电压误差放大电路、振荡器、斜坡电流采样电路、PWM产生电路、逻辑驱动电路和输出电路；外部可调限流电路使得该系统具有外部可调限流功能，不仅能够精确调整系统的限流阈值，增加系统应用的灵活性，又可在系统空载时避免大电流的产生，能有效保护系统电路正常工作。本发明系统结构简单，节省芯片面积，适用于具有精确限流要求的电源芯片。
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