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公开(公告)号：CN107101718B
公开(公告)日：2018-08-28
申请号：CN201710358063.8
申请日：2017-05-19
Applicant: 长安大学
IPC: G01J1/00
Abstract: 本发明公开了一种基于反向串联忆阻器的曝光量传感器，包括第一电源V1、第二电源V2、开关K、光电模块、限流模块、忆阻器模块、求差模块、放大模块、增大模块；第一电源V1或第二电源依次V2与开关K、光电模块、限流模块、忆阻器模块组成回路；忆阻器模块包括忆阻器Mz1、Mz2、Mj1和Mj2，Mj1和Mj2完全相同，Mz1与Mj1串联，Mz2与Mj2串联，Mz1和Mj1组成的串联支路与Mz2和Mj2形成的串联支路相并联；求差模块与忆阻器模块相连，放大模块与求差模块相连，增大模块与放大模块相连。本发明的曝光量测量范围大，灵敏度高，适用于大曝光量及长时间曝光的测量，而且电路简单，避免了测量过程中忆阻器阻值变化对传感器的回路电流和曝光量测量的影响，测量误差小，使用方便。
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公开(公告)号：CN106024864A
公开(公告)日：2016-10-12
申请号：CN201610497847.4
申请日：2016-06-28
Applicant: 长安大学
IPC: H01L29/06 , H01L29/161 , H01L29/74 , H01L21/332
CPC classification number: H01L29/74 , H01L29/0615 , H01L29/0684 , H01L29/0688 , H01L29/161 , H01L29/66068
Abstract: 本发明公开了一种P沟碳化硅静电感应晶闸管及其制造方法，目的在于，降低器件开态电阻、提升功率特性，所采用的技术方案为：包括自下而上依次设置的第二N型欧姆接触电极、N型SiC衬底、P型SiC缓冲层、P型SiC漂移层和P型SiC电流增强层，P型SiC电流增强层上刻蚀形成有若干个台阶，相邻台阶之间设有沟槽，台阶顶部设置有P型SiC欧姆接触层，P型SiC欧姆接触层上部设置有P型欧姆接触电极，P型欧姆接触电极的形状与P型SiC欧姆接触层相同，沟槽内设置有N型SiC欧姆接触区，N型SiC欧姆接触区与台阶侧面、沟槽底部和P型SiC欧姆接触层均接触，位于沟槽底部的N型SiC欧姆接触区的上部设置有第一N型欧姆接触电极，P型欧姆接触电极、第一N型欧姆接触电极和第二N型欧姆接触电极均包括依次沉积的Ni层和Pt层。
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公开(公告)号：CN105870322A
公开(公告)日：2016-08-17
申请号：CN201610256599.4
申请日：2016-04-22
Applicant: 长安大学
IPC: H01L45/00
CPC classification number: H01L45/148 , H01L45/1625
Abstract: 本发明公开了一种具有自学功能的铝基薄膜忆阻器及其制备方法，在硅片或其他衬底(石英，塑料)上依次沉积金属底电极，当进行I?V或V?I扫描测试时，该忆阻器显示出不同的阻值状态，能够对应不同的记忆阶段。而当进行脉冲电压测试时，该忆阻器的阻值随脉冲电压的增加而逐步减小并在特定的阻态上基本保持不变，从而显示出自学功能。本发明具备稳定的自学功能，可在85oC下稳定运行30年已满足当前工业需求。
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公开(公告)号：CN118031963A
公开(公告)日：2024-05-14
申请号：CN202410146865.2
申请日：2024-02-01
Applicant: 长安大学
Inventor： 王飚 , 柯吉 , 李艳波 , 李杰 , 李刚 , 陈俊硕 , 李陇杰 , 朱玮 , 王璇 , 林少军 , 袁超 , 靳军 , 贾龙 , 田殿军 , 卢盼 , 蒋靖伟 , 陈敏 , 白璐 , 于永超 , 董金鹏 , 李胜玉
Abstract: 本发明公开了一种基于综合点线特征的井下定位方法及系统，在基于点线特征的视觉里程计部分中，首先对双目相机的原始图像进行去畸变和双目校正操作，使得两图像的对极线在同一水平线上。随后对图像进行点线特征提取与匹配，完成后构造系统的点线重投影误差函数并进行位姿估计；随后使用局部优化线程，对位姿进行进一步优化；为了消除累积误差，进行回环检测操作，检测到回环后进行回环校正，并对位姿进行一次全局位姿图优化。本发明可以在在光线较暗以及光线变化的井下场景中拥有较高的定位精度，并且由于对较为耗时的点线特征处理算法进行改进，使得本发明避免了传统基于点线特征的视觉定位方法较为耗时的问题。
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公开(公告)号：CN109412397B
公开(公告)日：2021-03-23
申请号：CN201811060751.7
申请日：2018-09-12
Applicant: 长安大学
IPC: H02M1/14
Abstract: 本发明公开了一种脉冲宽度调制电流模式开关电源二次斜波补偿电路，包括：谐波产生电路，用于通过参考电压产生谐波信号Vramp和时钟信号CLK，以及：二次斜波补偿电路，用于根据所述的谐波信号Vramp和时钟信号CLK产生输入电流Islope，该输入电流Islope与外部电流Isense同时流入电阻Rsense，产生电压Vsense，以消除谐波震荡。本发明利用MOS管在导通时的漏源电流与栅源电压的关系，设计的斜波补偿电路可以根据开关的占空比产生一个与占空比成二次方的斜波补偿电流，从而实现斜波补偿目的。该技术可以提高DC‑DC转换器的负载能力，同时在电路实现上具有简单轻便的特点，可以降低补偿电路自身的功耗和所需的芯片面积。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107678247B
公开(公告)日：2020-05-29
申请号：CN201710743725.3
申请日：2017-08-25
Applicant: 长安大学
IPC: G03F7/20
Abstract: 本发明公开了一种硅基集成曝光量测量器件，包括半导体衬底，半导体衬底上从下至上依次设置有绝缘层、导电金属层、金属氧化物结构、导电金属结构、光敏材料层、保护层；金属氧化物结构包括对称设置在导电金属层上的第一金属氧化物块和第二金属氧化物块；导电金属结构包括设置在第一金属氧化物块上的第一导电金属块和设置在第二金属氧化物块上的第二导电金属块；保护层上设置有第一金属电极、第二金属电极和第三金属电极，所述第一金属电极、第二金属电极和第三金属电极均贯穿保护层，其中第二金属电极与光敏材料相接触，第一金属电极和第三金属电极均与绝缘层相接触。本发明可集成且作为独立器件使用，具有应用范围广和使用方便的优点。
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公开(公告)号：CN103713531B
公开(公告)日：2016-05-18
申请号：CN201310659826.4
申请日：2013-12-06
Applicant: 长安大学
IPC: G05B19/04
Abstract: 本发明公开了一种航空发动机尾喷管喉部面积控制系统，包括航空发动机、用于控制航空发动机尾喷管喉部面积的全权限数字电子控制器、用于控制航空发动机喉部面积的液压机械备份控制器、用于实现航空发动机喉部面积主-备控制模式切换的主-备控制模式切换阀；全权限数字电子控制器上连接有用于控制航空发动机的第二电磁阀组件以及用于在全权限数字电子控制器断电时，响应断电信号并输出包含主-备控制模式切换信息油压的第一电磁阀组件。本发明设置主-备控制模式切换阀，实现航空发动机喉部面积主-备控制模式安全、平稳、快速的切换。相对于传统的发动机喉部面积控制系统，其具有主-备控制模式切换功能，控制系统工作可靠性和安全性更高。
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公开(公告)号：CN111639467B
公开(公告)日：2024-04-16
申请号：CN202010514899.4
申请日：2020-06-08
Applicant: 长安大学
IPC: G06F30/27 , G06F30/15 , G06N3/0442 , G06N3/0464 , G06N3/045 , G01M15/14 , G06F119/04 , G06F119/02
Abstract: 本发明公开了一种基于长短期记忆网络的航空发动机寿命预测方法，将发动机的历史数据分为训练集、测试集和验证集；给训练集中航空发动机的每个周期添加剩余寿命标签并进行预处理；设计基于卷积神经网络和长短期记忆网络的航空发动机剩余寿命模型并训练；将测试集的数据放入训练的模型中得出测试集在模型训练中MAE值和MSE值；将测试集中得出的剩余寿命标签与真实剩余寿命数据集进行对比，得出相应的拟合优度验证预测的准确度和方法的可行性；将准确率最高的模型进行封装放到一个计算单元中，同时预测结果可视化。本发明所设置的神经网络移植性高、预测速度快、预测精度高且预测过程和结果完全可以可视化，操作方便简单。
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公开(公告)号：CN109327168B
公开(公告)日：2020-07-28
申请号：CN201811168570.6
申请日：2018-10-08
Applicant: 长安大学
Inventor： 林海 , 李晓辉 , 董媛 , 赵毅 , 李杰 , 王萍 , 于雅鑫 , 梁华刚 , 李刚 , 龚贤武 , 张弢 , 肖剑 , 周熙炜 , 左磊 , 朱玮 , 闫茂德 , 茹锋 , 段晨东 , 汪贵平
Abstract: 本发明公开了一种永磁同步电机模糊滞环电流控制系统及方法，速度误差和误差变化量作为模糊逻辑控制器输入，输出量G与滞环控制器输出信号匹配，控制PWM产生相应占空比的六路PWM信号，控制逆变器的六个功率开关管，使得电机稳定运行，本发明与传统方法相比，电流跟踪控制的响应速度和稳态精度较好。
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公开(公告)号：CN107678247A
公开(公告)日：2018-02-09
申请号：CN201710743725.3
申请日：2017-08-25
Applicant: 长安大学
IPC: G03F7/20
Abstract: 本发明公开了一种硅基集成曝光量测量器件，包括半导体衬底，半导体衬底上从下至上依次设置有绝缘层、导电金属层、金属氧化物结构、导电金属结构、光敏材料层、保护层；金属氧化物结构包括对称设置在导电金属层上的第一金属氧化物块和第二金属氧化物块；导电金属结构包括设置在第一金属氧化物块上的第一导电金属块和设置在第二金属氧化物块上的第二导电金属块；保护层上设置有第一金属电极、第二金属电极和第三金属电极，所述第一金属电极、第二金属电极和第三金属电极均贯穿保护层，其中第二金属电极与光敏材料相接触，第一金属电极和第三金属电极均与绝缘层相接触。本发明可集成且作为独立器件使用，具有应用范围广和使用方便的优点。
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