公开(公告)号：CN116031508A

公开(公告)日：2023-04-28

申请号：CN202211669308.6

申请日：2022-12-24

Applicant: 长安大学

Inventor： 张林 ,  李彦波 ,  黄鑫荣 ,  徐先峰

IPC: H01M10/42 ,  G06N3/08 ,  G06N3/086 ,  G06N3/0442

Abstract: 一种基于深度学习的锂离子电池管理系统及方法，包括中央控制模块、状态监测模块、环境传感模块、人机交互模块、显示预警模块和深度学习模块；环境传感模块、人机交互模块、状态监测模块、显示预警模块和深度学习模块均连接到中央控制模块；状态监测模块连接锂离子电池和深度学习模块；本发明采用深度学习方法，基于历史测试数据，建立可以精确反映不同工作状态下锂离子电池的电学特性，为电池的荷电状态和健康状态监测提供参考。并可以根据需求更新训练数据，从而可以充分考虑每个锂离子电池的个性化差异，为用户提供更精确的锂离子电池荷电状态和健康状态。

公开(公告)号：CN110459340A

公开(公告)日：2019-11-15

申请号：CN201811269908.7

申请日：2018-10-29

Applicant: 长安大学

Inventor： 张林 ,  王晓艳 ,  朱礼亚

IPC: G21H1/06

Abstract: 本发明公开了一种H-3碳化硅PN型同位素电池及其制造方法，该同位素电池的结构自下而上包括N型欧姆接触电极，N型高掺杂SiC衬底，N型SiC外延层，P型SiC外延层，在P型SiC外延层上部的部分区域设有P型SiC欧姆接触掺杂层，在P型SiC欧姆接触掺杂层的顶部设有P型欧姆接触电极，在P型SiC外延层上部除去P型欧姆接触掺杂区以外的区域设有SiO2钝化层，在SiO2钝化层的上方设有H-3放射性同位素源。本发明设计新颖合理，可以有效解决H-3在表面的辐照生载流子复合损耗问题，有效提高了同位素电池的输出功率、能量转换效率。

公开(公告)号：CN108880469A

公开(公告)日：2018-11-23

申请号：CN201810359475.8

申请日：2018-04-20

Applicant: 长安大学

Inventor： 谷文萍 ,  张林 ,  徐小波 ,  周晏萱 ,  胡笑钏

IPC: H02S50/10

CPC classification number: H02S50/10

Abstract: 本发明提供了一种太阳能电池参数提取的方法，包含以下步骤：1)根据基尔霍夫电流定律得到理想的单二极管太阳能电池等效电路的电流电压特性方程，建立太阳能电池单二极管模型；2)利用半导体测试仪测出太阳能电池的I～V曲线，并结合单二极管模型中I～V曲线获得参数开路电压Voc、短路电路Isc来提取未知参数并联电阻Rsh；3)通过引入临时参数Rso、no并进行多次迭代计算来确定未知参数串联电阻Rs、理想因子n；4)通过上述所求得参数值带入公式变形中求未知参数光电流Iph、反向饱和电流I0。

公开(公告)号：CN105448374B

公开(公告)日：2017-11-03

申请号：CN201510784821.3

申请日：2015-11-16

Applicant: 长安大学

Inventor： 张林 ,  谷文萍 ,  胡笑钏 ,  张赞

IPC: G21H1/06

Abstract: 本发明公开了一种采用α放射源的碳化硅PIN埋层结构同位素电池及其制造方法，目的在于：提高能量转换效率和封装密度，提高集成度和实用性，本发明的电池所采用的技术方案为：包括自下而上依次设置的SiC衬底、第一N型SiC外延层、P型SiC外延层和第二N型SiC外延层，第二N型SiC外延层上开设有若干个台阶，相邻台阶之间设有沟槽，沟槽底部延伸至P型SiC外延层，若干个台阶的顶部中间位置均开设有凹槽，凹槽内设置N型SiC欧姆接触掺杂区，N型SiC欧姆接触掺杂区上端设置有N型欧姆接触电极，N型欧姆接触电极的形状与N型SiC欧姆接触掺杂区形状相同，N型欧姆接触电极两侧的台阶顶部位置上设置有α放射源；相邻台阶之间的沟槽底部设置有P型欧姆接触电极，P型欧姆接触电极与P型SiC外延层接触。

公开(公告)号：CN106024864A

公开(公告)日：2016-10-12

申请号：CN201610497847.4

申请日：2016-06-28

Applicant: 长安大学

Inventor： 张林 ,  张赞 ,  高恬溪 ,  朱玮

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/161 ,  H01L29/74 ,  H01L21/332

CPC classification number: H01L29/74 ,  H01L29/0615 ,  H01L29/0684 ,  H01L29/0688 ,  H01L29/161 ,  H01L29/66068

Abstract: 本发明公开了一种P沟碳化硅静电感应晶闸管及其制造方法，目的在于，降低器件开态电阻、提升功率特性，所采用的技术方案为：包括自下而上依次设置的第二N型欧姆接触电极、N型SiC衬底、P型SiC缓冲层、P型SiC漂移层和P型SiC电流增强层，P型SiC电流增强层上刻蚀形成有若干个台阶，相邻台阶之间设有沟槽，台阶顶部设置有P型SiC欧姆接触层，P型SiC欧姆接触层上部设置有P型欧姆接触电极，P型欧姆接触电极的形状与P型SiC欧姆接触层相同，沟槽内设置有N型SiC欧姆接触区，N型SiC欧姆接触区与台阶侧面、沟槽底部和P型SiC欧姆接触层均接触，位于沟槽底部的N型SiC欧姆接触区的上部设置有第一N型欧姆接触电极，P型欧姆接触电极、第一N型欧姆接触电极和第二N型欧姆接触电极均包括依次沉积的Ni层和Pt层。

公开(公告)号：CN103872045B

公开(公告)日：2016-06-29

申请号：CN201410123317.4

申请日：2014-03-28

Applicant: 长安大学

Inventor： 全思 ,  徐小波 ,  张林 ,  谷文萍 ,  文常保 ,  闫茂德 ,  郝跃

IPC: H01L27/02 ,  H01L21/77

Abstract: 本发明提供一种GaN基超薄势垒增强/耗尽模式反相器、环振及其制作方法，利用表面SiN有效降低超薄势垒异质结的沟道方块电阻，通过调节栅下SiN厚度可分别实现增强型器件及耗尽型器件，将增强型器件栅下SiN刻蚀掉，器件栅下沟道电子浓度很低，器件可呈现出正阈值电压的增强型特性，耗尽型器件栅下保留SiN，器件栅下存在高浓度二维电子气，器件呈现出负阈值电压的耗尽型特性，将增强型器件和耗尽型器件集成可实现反相器，再将2n+1个相同的反相器级连，可实现环振。

公开(公告)号：CN103021492B

公开(公告)日：2016-01-06

申请号：CN201210580215.6

申请日：2012-12-27

Applicant: 长安大学

Inventor： 张林 ,  李清华 ,  邱彦章 ,  巨永锋

IPC: G21H1/06

Abstract: 本发明公开了一种碳化硅横向PIN型微型核电池及其制造方法，其核电池包括衬底和设在衬底上的N型SiC外延层，N型SiC外延层上设有N型SiC欧姆接触掺杂区和P型SiC欧姆接触掺杂区，N型SiC欧姆接触掺杂区上设有N型欧姆接触电极，P型SiC欧姆接触掺杂区上设有P型欧姆接触电极；N型SiC外延层上除去N型欧姆接触电极和P型欧姆接触电极的区域设有二氧化硅层；一、提供衬底，二、外延生长N型SiC外延层，三、形成N型SiC欧姆接触掺杂区，四、形成P型SiC欧姆接触掺杂区，五、形成二氧化硅层，六、形成欧姆接触电极，七、形成肖特基接触电极；本发明设计新颖合理，提高了微型核电池的能量转换效率和封装密度。

公开(公告)号：CN103872045A

公开(公告)日：2014-06-18

申请号：CN201410123317.4

申请日：2014-03-28

Applicant: 长安大学

Inventor： 全思 ,  徐小波 ,  张林 ,  谷文萍 ,  文常保 ,  闫茂德 ,  郝跃

IPC: H01L27/02 ,  H01L21/77

Abstract: 本发明提供一种GaN基超薄势垒增强/耗尽模式反相器、环振及其制作方法，利用表面SiN有效降低超薄势垒异质结的沟道方块电阻，通过调节栅下SiN厚度可分别实现增强型器件及耗尽型器件，将增强型器件栅下SiN刻蚀掉，器件栅下沟道电子浓度很低，器件可呈现出正阈值电压的增强型特性，耗尽型器件栅下保留SiN，器件栅下存在高浓度二维电子气，器件呈现出负阈值电压的耗尽型特性，将增强型器件和耗尽型器件集成可实现反相器，再将2n+1个相同的反相器级连，可实现环振。

公开(公告)号：CN103035310A

公开(公告)日：2013-04-10

申请号：CN201210579813.1

申请日：2012-12-27

Applicant: 长安大学

Inventor： 张林 ,  李清华 ,  邱彦章 ,  巨永锋

IPC: G21H1/06

Abstract: 本发明公开了一种碳化硅横向肖特基结型微型核电池及其制造方法，其核电池包括衬底和设在衬底上部的N型SiC外延层，N型SiC外延层上设有N型SiC欧姆接触掺杂区，N型SiC欧姆接触掺杂区上部设有欧姆接触电极，N型SiC外延层上部设有肖特基接触电极；N型SiC外延层上部除去欧姆接触电极和肖特基接触电极的区域设有二氧化硅层。其制造方法包括步骤：一、一、提供衬底，二、在衬底上外延生长N型SiC外延层，三、形成N型SiC欧姆接触掺杂区，四、形成二氧化硅层，五、形成欧姆接触电极，六、形成肖特基接触电极。本发明设计新颖合理，有利于提高微型核电池的能量转换效率和封装密度，有利于集成，实用性强，推广应用价值高。

公开(公告)号：CN108962418B

公开(公告)日：2022-04-26

申请号：CN201810130364.X

申请日：2018-02-08

Applicant: 长安大学

Inventor： 张林 ,  程鸿亮 ,  胡笑钏

IPC: G21H1/06

Abstract: 一种Pm‑147碳化硅缓变肖特基同位素电池，包括衬底，衬底下方设置N型欧姆接触电极，衬底上部设置第一N型SiC外延层，第一N型SiC外延层上部设置第二N型SiC外延层，在第二N型SiC外延层的顶部设有若干肖特基电极，在第二N型SiC外延层的顶部除去肖特基电极的区域设有SiO2钝化层，在SiO2钝化层的上方设有Pm‑147放射性同位素源。本发明的Pm‑147碳化硅肖特基同位素电池采用两层掺杂浓度不同的N型层替代常规的N型，通过在辐照生载流子的扩散区中引入电场，将载流子的扩散运动转变成扩散运动和漂移运动的结合，有利于减少辐照生载流子的复合损耗，从而提升电池的输出功率。