公开(公告)号：CN117995936A

公开(公告)日：2024-05-07

申请号：CN202211359421.4

申请日：2022-11-02

申请人： 长春理工大学

发明人： 赵曼 ,  蒋大勇 ,  梁庆成 ,  邓蕊 ,  段雨晗 ,  周璇 ,  李倩 ,  赵新景

IPC分类号： H01L31/18 ,  H01L31/109 ,  H01L31/0392 ,  H01L31/0296 ,  C23C14/35 ,  C23C14/08 ,  C23C14/18

摘要： 本项专利技术旨在提供一种利用射频磁控溅射法制备的基于二维电子气的高性能紫外光电探测器的方法，所需要解决的问题是实现可见盲波段光电器件探测能力的指数增长，并尽量的简化制备方法，降低成本，使其适用于工业化生产。本专利技术的高性能紫外光电探测器是由Mg含量为20％的MgZnO薄膜、ZnO薄膜和金电极构成的。本专利技术的高性能二维电子气紫外光电探测器具有如下结构：在二氧化硅衬底1表面覆盖有Mg含量为20％的MgZnO薄膜2，在MgZnO薄膜2的表面覆盖有ZnO薄膜3，在ZnO薄膜3表面具有由金组成的MSM结构的电极4。