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公开(公告)号：CN103320760B
公开(公告)日：2015-04-15
申请号：CN201310293559.3
申请日：2013-07-12
申请人： 长春理工大学
摘要： MgZnO薄膜叠靶射频磁控溅射制备方法属于半导体光电技术领域。现有技术在MgxZn1–xO薄膜晶体的生长过程中出现Zn原子流失。本发明在射频磁控溅射仪的真空室中进行，将由MgxZn1–xO陶瓷靶材制作的圆片状溅射靶放置在真空室内的溅射靶台上；衬底与溅射靶相对并位于溅射靶上方，真空室抽真空后通入溅射气体；衬底升温，提供溅射功率；其特征在于，在所述溅射靶台上增设一个Zn环靶，Zn环靶的内径等于所述溅射靶的外径，由溅射靶和Zn环靶构成叠靶。在Zn环靶上方形成上升的圆筒状Zn原子流，在一定程度上防止Mg、Zn、O原子流中的Zn流失，也对Mg、Zn、O原子流中的Zn流失进行Zn补充，MgxZn1–xO薄膜晶体中的Zn空位得到填补。
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公开(公告)号：CN103320760A
公开(公告)日：2013-09-25
申请号：CN201310293559.3
申请日：2013-07-12
申请人： 长春理工大学
摘要： MgZnO薄膜叠靶射频磁控溅射制备方法属于半导体光电技术领域。现有技术在MgxZn1–xO薄膜晶体的生长过程中出现Zn原子流失。本发明在射频磁控溅射仪的真空室中进行，将由MgxZn1–xO陶瓷靶材制作的圆片状溅射靶放置在真空室内的溅射靶台上；衬底与溅射靶相对并位于溅射靶上方，真空室抽真空后通入溅射气体；衬底升温，提供溅射功率；其特征在于，在所述溅射靶台上增设一个Zn环靶，Zn环靶的内径等于所述溅射靶的外径，由溅射靶和Zn环靶构成叠靶。在Zn环靶上方形成上升的圆筒状Zn原子流，在一定程度上防止Mg、Zn、O原子流中的Zn流失，也对Mg、Zn、O原子流中的Zn流失进行Zn补充，MgxZn1–xO薄膜晶体中的Zn空位得到填补。
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公开(公告)号：CN117995936A
公开(公告)日：2024-05-07
申请号：CN202211359421.4
申请日：2022-11-02
申请人： 长春理工大学
IPC分类号： H01L31/18 , H01L31/109 , H01L31/0392 , H01L31/0296 , C23C14/35 , C23C14/08 , C23C14/18
摘要： 本项专利技术旨在提供一种利用射频磁控溅射法制备的基于二维电子气的高性能紫外光电探测器的方法，所需要解决的问题是实现可见盲波段光电器件探测能力的指数增长，并尽量的简化制备方法，降低成本，使其适用于工业化生产。本专利技术的高性能紫外光电探测器是由Mg含量为20％的MgZnO薄膜、ZnO薄膜和金电极构成的。本专利技术的高性能二维电子气紫外光电探测器具有如下结构：在二氧化硅衬底1表面覆盖有Mg含量为20％的MgZnO薄膜2，在MgZnO薄膜2的表面覆盖有ZnO薄膜3，在ZnO薄膜3表面具有由金组成的MSM结构的电极4。
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公开(公告)号：CN112394172A
公开(公告)日：2021-02-23
申请号：CN202011385633.0
申请日：2020-12-03
申请人： 长春理工大学
摘要： 一种糖尿病患者呼出气体丙酮监测装置，其特征在于，由亲肤层、呼吸气体吸附层、最外层以及呼吸频率监测仪组成；气体通过亲肤层进入呼吸气体吸附层，气体吸附层吸附呼吸气体；呼吸气体具有一定的湿度，湿度与呼气频率之间存在一定的关系；最外层的丙酮传感器测试呼吸气体的丙酮度，并将丙酮度值通过蓝牙模块传送至呼吸频率监测仪；该发明可以同时收集呼吸气体与监测呼吸频率，提高了工作效率；所述呼吸频率监测仪为安装有APP软件的手机用于接收呼吸气体中丙酮含量数据。
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公开(公告)号：CN117538380A
公开(公告)日：2024-02-09
申请号：CN202311303841.5
申请日：2023-10-10
申请人： 长春理工大学
IPC分类号： G01N27/00
摘要： 本发明提供了上述Ti3C2Tx Mxene原位生成TiO2与ZnO复合气敏材料的制备方法，具体步骤如下：1.Ti3C2Tx制备；2.原位生成TiO2纳米片；3.Ti3C2Tx原位生成的TiO2复合ZnO；4.制作气体传感器；制备的NH3传感器具有较大表面体积比的二维TiO2风琴状纳米片网络与合适的能带结构，可以为目标气体分子提供多余的扩散路径和可接近的表面，并在交界面界面处形成异质结，实现了室温中的高灵敏度、高选择性的氨气传感检测。经过多次实验检测，发现通过400℃退火处理原位生成与ZnO复合气敏材料所制成的传感器响应度最高，在室温环境下对8ppm浓度的NH3响应度为3.51。
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公开(公告)号：CN116247112A
公开(公告)日：2023-06-09
申请号：CN202111479852.X
申请日：2021-12-07
申请人： 长春理工大学
IPC分类号： H01L31/0392 , H01L31/107 , H01L31/18 , C23C14/08 , H01L31/0296
摘要： 本项专利技术旨在提供一种利用射频磁控溅射法制备的三明治结构MgZnO紫外光电探测器的方法，所需要解决的问题是制备三明治结构的MgZnO光电探测器，并尽量的简化制备方法使其适用于工业化生产。本项专利技术的三明治结构的MgZnO紫外光电探测器是由MgZnO层，MSM电极层和MgZnO层构成的。其特征在于有如下结构：在石英衬底1表面分别覆盖有不同Mg含量的MgZnO薄膜2；在MgZnO薄膜2的表面具有由金组成的MSM结构的电极3；在所述MSM结构的电极3上方有一层射频磁控法分别溅射的不同Mg含量的MgZnO薄膜4；MgZnO薄膜4覆盖了MSM结构的电极。
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公开(公告)号：CN102881762A
公开(公告)日：2013-01-16
申请号：CN201210395263.8
申请日：2012-10-17
申请人： 长春理工大学
IPC分类号： H01L31/108 , H01L31/0352 , B82Y15/00
摘要： MgZnO纳米线阵列紫外光电探测器，采用双温区化学气相沉积方法制备MgZnO纳米线阵列，由此获得MgZnO纳米线阵列紫外光电探测器，其响应度高于现有MgZnO纳米线紫外光电探测器，属于半导体光电技术领域。本发明之MgZnO纳米线阵列紫外光电探测器下电极位于硅衬底背面，MgZnO纳米线分布在硅衬底正面，上电极位于MgZnO纳米线上面，并与MgZnO纳米线欧姆接触，其特征在于，所述MgZnO纳米线竖直等高、整齐分布，构成MgZnO纳米线阵列。本发明用于环境污染监控、火焰光电探测、紫外预警以及通讯等领域。
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公开(公告)号：CN116254509A
公开(公告)日：2023-06-13
申请号：CN202111498414.8
申请日：2021-12-10
申请人： 长春理工大学
摘要： 本项专利技术旨在提供一种利用电子束蒸发法制备的高组分氧锌镁薄膜的方法，所需要解决的问题是高组分氧锌镁薄膜在生长时出现的相分离现象。本专利技术是由MgZnO薄膜和SiO2衬底构成的。本专利技术具有如下结构：在石英衬底表面1沉积300nm厚的MgZnO薄膜2。
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公开(公告)号：CN203266579U
公开(公告)日：2013-11-06
申请号：CN201320286181.X
申请日：2013-05-23
申请人： 长春理工大学
摘要： 在装订处同时加盖印记的订书机能够在装订的同时在装订处加盖印记，以此标注装订事项，如装订人、装订日期，或者美化装订处，属于办公用具技术领域。现有订书机功能单一，装订处码钉裸露，不美观。本实用新型之其特征在于，在钉仓前端外部两侧对称分布两个相同的导轨；印章下表面为平面，所述下表面上具有阴阳刻图案；印章一端有豁口，豁口形状与钉仓前端形状相同，豁口上面及与钉仓前端相对的一面呈敞开状态，在豁口两侧对称分布两个相同的滑槽，所述滑槽与所述导轨过渡配合；在印章底层临近豁口封堵面处开有码钉通道，当通过滑槽与导轨的配合将印章安装在钉仓前端后，所述码钉通道的位置与压舌被下压后的位置上下相对。
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