-
公开(公告)号：CN113490919B
公开(公告)日：2024-02-02
申请号：CN202180001826.8
申请日：2021-06-01
申请人： 长江存储科技有限责任公司
IPC分类号： G06F11/30
摘要： 在某些方面，一种存储器系统包括至少一个存储设备和耦合到该至少一个存储设备的存储控制器。存储控制器可以被配置为确定指示并行执行多个存储器操作的总并发功耗的当前功耗值。存储控制器还可以被配置为确定指示执行后续存储器操作的附加功耗的附加功耗值。存储控制器还可以被配置为确定当前功耗值和附加功耗值的总和是否超过预定功耗阈值。在确定当前功耗值和附加功耗值的总和没有超过预定功耗阈值之后，存储控制器可以被配置为与多个存储器操作并行地执行后续存储器操作。
-
公开(公告)号：CN118051170A
公开(公告)日：2024-05-17
申请号：CN202211436399.9
申请日：2022-11-16
申请人： 长江存储科技有限责任公司
IPC分类号： G06F3/06
摘要： 本公开实施例提供存储器控制器及其操作方法、存储器系统、电子设备。所述操作方法包括：提供多个待回收虚拟块组；获取所述待回收虚拟块组内有效存储单元集的标识信息；根据所述标识信息，确定所述待回收虚拟块组内存储冷数据的有效存储单元集；其中，所述标识信息包括指示所述有效存储单元集内存储数据的冷热属性；如果多个所述待回收虚拟块组内存储冷数据的有效存储单元集的数量之和大于或等于目标虚拟块组的存储单元集的数量，则将多个所述待回收虚拟块组内所述有效存储单元集的冷数据写到目标虚拟块组中。
-
公开(公告)号：CN117059153A
公开(公告)日：2023-11-14
申请号：CN202311052176.7
申请日：2021-03-11
申请人： 长江存储科技有限责任公司
摘要： 公开了存储器件的读取操作中的基于开放块的读取偏移量补偿。例如，一种存储器件包括布置在多个块中的存储单元阵列、以及耦合到存储单元阵列的外围电路。该外围电路被配置为响应于多个块中的块是开放块而使用补偿读取电压对块中的存储单元阵列中的存储单元执行读取操作。补偿读取电压相对于块的默认读取电压具有偏移量。
-
公开(公告)号：CN113519027A
公开(公告)日：2021-10-19
申请号：CN202180001820.0
申请日：2021-06-01
申请人： 长江存储科技有限责任公司
摘要： 在某些方面，一种存储器系统可以包括至少一个存储设备和耦合到该至少一个存储设备的存储控制器。每个存储设备可以包括存储单元阵列和耦合到存储单元阵列的控制逻辑单元。存储控制器和存储设备的控制逻辑单元可以由具有第一预定功耗阈值的第一电源供电。存储设备的存储单元阵列可以由具有第二预定功耗阈值的第二电源供电。存储控制器可以被配置为：维持存储器操作的第一队列，其中第一队列中的存储器操作的执行导致来自第一电源的功耗；维持存储器操作的第二队列，其中第二队列中的存储器操作的执行导致来自第二电源的功耗；单独确定第一队列和第二队列中的后续存储器操作的各自执行是否分别导致对应的第一和第二电源过载；基于该确定，执行第一或第二队列中的不会导致对应的第一或第二电源过载的后续存储器操作；以及基于该确定，将第一或第二队列中的将导致对应的第一或第二电源过载的后续存储器操作延迟。
-
公开(公告)号：CN113490919A
公开(公告)日：2021-10-08
申请号：CN202180001826.8
申请日：2021-06-01
申请人： 长江存储科技有限责任公司
IPC分类号： G06F11/30
摘要： 在某些方面，一种存储器系统包括至少一个存储设备和耦合到该至少一个存储设备的存储控制器。存储控制器可以被配置为确定指示并行执行多个存储器操作的总并发功耗的当前功耗值。存储控制器还可以被配置为确定指示执行后续存储器操作的附加功耗的附加功耗值。存储控制器还可以被配置为确定当前功耗值和附加功耗值的总和是否超过预定功耗阈值。在确定当前功耗值和附加功耗值的总和没有超过预定功耗阈值之后，存储控制器可以被配置为与多个存储器操作并行地执行后续存储器操作。
-
公开(公告)号：CN118382893A
公开(公告)日：2024-07-23
申请号：CN202280004988.1
申请日：2022-11-21
申请人： 长江存储科技有限责任公司
IPC分类号： G11B33/04
摘要： 本公开提供了一种存储系统和存储系统的操作方法，涉及存储技术领域，旨在解决校验数据的缓存效率问题。存储系统包括耦合的控制器和三维非易失性存储器，三维非易失性存储器包括三维存储阵列，三维存储阵列包括耦合的多个字线和多个页面；控制器被配置为：以一个字线对应的页面数据为单位，对接收到的第一字线对应的页面数据进行计算，得到第一个RAID校验数据，并将第一个RAID校验数据存储至校验缓存空间；对接收到的第i+1字线对应的页面数据和第i个RAID校验数据进行计算，得到第i+1个RAID校验数据，并将第i+1个RAID校验数据存储至校验缓存空间，第i+1个RAID校验数据覆盖第i个RAID校验数据，i为大于等于1的正整数。
-
公开(公告)号：CN114586102A
公开(公告)日：2022-06-03
申请号：CN202280000386.9
申请日：2022-01-20
申请人： 长江存储科技有限责任公司
发明人： 何有信
摘要： 本公开提供了一种用于NAND存储器的数据保护的方法。该方法可以包括根据编程数据对NAND闪速存储器设备的选定页进行编程。对选定页的编程可以包括多个编程操作和多个验证操作，其中，多个验证操作中的验证操作在多个编程操作中的对应的编程操作之后执行，以根据编程数据来确定选定页的已编程存储单元是否具有阈值电压电平。方法还可以包括基于多个验证操作中的每一个验证操作返回通过结果来确定对选定页的编程的完成。方法还可以包括在确定之后，由NAND闪速存储器设备对选定页执行读取操作，以根据编程数据来对存储在选定页处的数据进行自验证。
-
公开(公告)号：CN113168879B
公开(公告)日：2023-09-15
申请号：CN202180000807.3
申请日：2021-03-11
申请人： 长江存储科技有限责任公司
摘要： 公开了存储器件的读取操作中的基于开放块的读取偏移量补偿。例如，一种存储器件包括布置在多个块中的存储单元阵列、以及耦合到存储单元阵列的外围电路。该外围电路被配置为响应于多个块中的块是开放块而使用补偿读取电压对块中的存储单元阵列中的存储单元执行读取操作。补偿读取电压相对于块的默认读取电压具有偏移量。
-
公开(公告)号：CN113519027B
公开(公告)日：2022-09-06
申请号：CN202180001820.0
申请日：2021-06-01
申请人： 长江存储科技有限责任公司
摘要： 存储器系统包括至少一个存储设备和耦合到该至少一个存储设备的存储控制器。存储设备包括存储单元阵列和耦合到存储单元阵列的控制逻辑单元。存储控制器和控制逻辑单元由具有第一预定功耗阈值的第一电源供电。存储单元阵列由具有第二预定功耗阈值的第二电源供电。存储控制器被配置为：维持存储器操作的第一队列，其中第一队列中的存储器操作的执行导致来自第一电源的功耗；维持存储器操作的第二队列，其中第二队列中的存储器操作的执行导致来自第二电源的功耗；单独确定第一队列和第二队列中的后续存储器操作的各自执行是否分别导致对应的第一和第二电源过载；基于该确定，执行第一或第二队列中的不会导致对应的第一或第二电源过载的后续存储器操作，将第一或第二队列中的将导致对应的第一或第二电源过载的后续存储器操作延迟。
-
公开(公告)号：CN114586101A
公开(公告)日：2022-06-03
申请号：CN202280000374.6
申请日：2022-01-18
申请人： 长江存储科技有限责任公司
发明人： 何有信
摘要： 本公开提供了一种使用NAND自验证来调试闪存器件的方法。该方法可以包括根据第一和第二编程数据对NAND闪存器件的选定页进行编程。选定页可以包括与字线对应的多个存储单元。对选定页的编程可以包括多个编程操作和多个验证操作。多个验证操作中的验证操作可以在多个编程操作中的对应编程操作之后执行，以根据第一或第二编程数据确定选定页的已编程存储单元是否具有阈值电压电平。该方法还可以包括对选定页执行自验证以确定存储在选定页处的数据是否被过写了，并且在确定了存储在选定页处的数据被过写了时生成失败指示。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
搜索结果
12 条记录 (耗时 0.035 秒)
