-
公开(公告)号：CN118369722A
公开(公告)日：2024-07-19
申请号：CN202280005261.5
申请日：2022-11-17
申请人： 长江存储科技有限责任公司
IPC分类号： G11C16/10
摘要： 在某些方面，一种存储器件包括多个存储单元和耦合到多个存储单元的外围电路。外围电路包括页缓冲器，页缓冲器包括页缓冲电路和耦合到页缓冲电路的控制逻辑。页缓冲电路包括动态存储单元和第一非动态存储单元。控制逻辑被配置用于基于要对页缓冲电路执行的操作的类型和动态存储单元与第一非动态存储单元之间的信息存储方式，来确定是否在动态存储单元与第一非动态存储单元之间执行信息交换过程。控制逻辑还被配置为基于确定是否执行信息交换过程来对页缓冲电路执行操作。
-
公开(公告)号：CN118173137A
公开(公告)日：2024-06-11
申请号：CN202211585949.3
申请日：2022-12-09
申请人： 长江存储科技有限责任公司
IPC分类号： G11C7/10
摘要： 本公开提供了一种存储器的读取方法、存储器、存储器系统及电子设备，属于存储技术领域。该方法包括：向第一读取请求指令中的第一字线地址对应的字线施加第一读取电压；检测获取的第二读取请求指令；当第二读取请求指令包含的第二字线地址与第一字线地址相同时，在第一读取电压施加结束后，向第一字线地址对应的字线施加第二读取电压，可以减少相同字线的读取时长，降低读取时的功耗，从而提高读取效率。
-
公开(公告)号：CN117059153A
公开(公告)日：2023-11-14
申请号：CN202311052176.7
申请日：2021-03-11
申请人： 长江存储科技有限责任公司
摘要： 公开了存储器件的读取操作中的基于开放块的读取偏移量补偿。例如，一种存储器件包括布置在多个块中的存储单元阵列、以及耦合到存储单元阵列的外围电路。该外围电路被配置为响应于多个块中的块是开放块而使用补偿读取电压对块中的存储单元阵列中的存储单元执行读取操作。补偿读取电压相对于块的默认读取电压具有偏移量。
-
公开(公告)号：CN114783492A
公开(公告)日：2022-07-22
申请号：CN202210356591.0
申请日：2022-03-31
申请人： 长江存储科技有限责任公司
IPC分类号： G11C16/10
摘要： 本申请提供了一种非易失性存储装置及其编程方法、非易失性存储系统。该非易失性存储装置的编程方法包括：在第一编程时间内，对与第一字线连接的多个存储单元中的至少一个第一存储单元执行写入操作和验证操作；以及对与第一字线连接的多个存储单元中、除第一存储单元以外的其它存储单元执行写入操作。该非易失性存储装置及其编程方法、非易失性存储系统，有利于缩短编程时间(例如，连续编程)，有利于在提高编程数据完整性的前提下，提高非易失性存储装置的传输速度。
-
公开(公告)号：CN112201297B
公开(公告)日：2021-11-02
申请号：CN202011121625.5
申请日：2020-10-20
申请人： 长江存储科技有限责任公司
摘要： 本发明提供了一种存储器的读取方法，存储器包括多条字线以及连接于多条字线上的多个多位存储单元，多位存储单元用以通过多阶预设读取电压，以读取多位存储单元的存储值，该读取方法包括：分别定义多阶预设读取电压的各阶至少一读取偏移量，选择多阶预设读取电压中的至少一阶预设读取电压作为取样电压，对欲读取的多位存储单元的相邻字线上的多位存储单元进行读取，并根据取样电压的取样读值，设定代表读取偏移量大小的偏移标志，之后，将多阶预设读取电压分别结合各阶预设读取电压对应于偏移标志的读取偏移量，对欲读取的多位存储单元进行读取，从而使得该欲读取的多位存储单元的预设读取电压得以补偿。
-
公开(公告)号：CN113421601A
公开(公告)日：2021-09-21
申请号：CN202110726208.1
申请日：2021-06-29
申请人： 长江存储科技有限责任公司
发明人： 郭晓江
摘要： 本发明提供了一种闪存存储器的操作方法以及闪存存储器，闪存存储器包括多个多位存储单元，均可被编程于多阶编程阈值电压其中之一阶，多阶编程阈值电压具有对应的各阶电压值分布区以及各阶预定读取电压，该操作方法包括：检测多阶编程阈值电压中的目标阶编程阈值电压的目标阶实际阈值电压，根据目标阶实际阈值电压，设定目标阶编程阈值电压对应的补偿读取电压，本发明提供操作方法，会根据检测出的多位存储单元在发生电子从浮栅泄露后的目标阶实际阈值电压而设定目标阶编程阈值电压所对应的补偿读取电压，从而避免了因为使用该目标阶编程阈值电压对应的预定读取电压对多位存储单元进行数据读取而发生读取错误的问题出现。
-
公开(公告)号：CN118430620A
公开(公告)日：2024-08-02
申请号：CN202310103865.X
申请日：2023-02-02
申请人： 长江存储科技有限责任公司
摘要： 本申请实施例公开一种存储器、操作方法及存储系统。其中，存储器包括：存储阵列，所述存储阵列包括多个存储单元；每个存储单元被配置为存储多个编程态中的一个；外围电路，与所述存储阵列耦接；所述外围电路被配置为：对选中存储单元执行第一操作时，对与所述选中存储单元耦接的选中字线施加操作电压，对多个与所述选中存储单元对应的选中位线同时施加预充电压；其中，所述选中存储单元包括存储所述多个编程态中至少两个编程态的存储单元；对与存储有不同编程态的存储单元对应的位线施加的所述预充电压不同。
-
公开(公告)号：CN118266033A
公开(公告)日：2024-06-28
申请号：CN202280005540.1
申请日：2022-12-05
申请人： 长江存储科技有限责任公司
发明人： 郭晓江
IPC分类号： G11C16/34
摘要： 一种存储器装置，包括至少一个存储单元阵列块和控制逻辑单元。存储单元阵列块包括多个层的存储单元和对应于各个层的存储单元设置的字线层。存储单元阵列块被划分为至少两个存储单元阵列子块，每个存储单元阵列子块包括许多层的存储单元和对应于各个层的存储单元设置的字线层。控制逻辑单元耦合到存储单元阵列块，并且被配置为：使用块模式或子块模式对存储单元阵列块进行擦除、读取或编程，并且当在子块模式下对存储单元阵列块进行擦除、读取或编程时，至少基于两个存储单元阵列子块中的一个存储单元阵列子块的状态来确定另一个存储单元阵列子块的操作策略。
-
公开(公告)号：CN113168879B
公开(公告)日：2023-09-15
申请号：CN202180000807.3
申请日：2021-03-11
申请人： 长江存储科技有限责任公司
摘要： 公开了存储器件的读取操作中的基于开放块的读取偏移量补偿。例如，一种存储器件包括布置在多个块中的存储单元阵列、以及耦合到存储单元阵列的外围电路。该外围电路被配置为响应于多个块中的块是开放块而使用补偿读取电压对块中的存储单元阵列中的存储单元执行读取操作。补偿读取电压相对于块的默认读取电压具有偏移量。
-
公开(公告)号：CN115019861A
公开(公告)日：2022-09-06
申请号：CN202210729038.7
申请日：2022-06-24
申请人： 长江存储科技有限责任公司
发明人： 郭晓江
摘要： 本公开实施例公开了一种存储器及系统、编程方法，方法包括：对目标态为第i态的选定存储单元施加第N脉冲；施加第N脉冲后，对选定存储单元执行第一子验证和第N次第二子验证，获得第一子结果和第N个第二子结果；第一子结果指示选定存储单元的阈值电压是否小于预设电压，第N个第二子结果指示选定存储单元的阈值电压是否小于第i态目标阈值电压；根据第N个第二子结果，确定目标态为第i态的存储单元中需施加第N+1脉冲的存储单元；第N+1脉冲与第N脉冲的差大于或等于目标阈值电压与预设电压的差；对需施加第N+1脉冲的存储单元施加第N+1脉冲；施加第N+1脉冲后，第一子结果指示第一子验证的失败比特数小于第一预设值时，确定第i态编程通过。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
搜索结果
45 条记录 (耗时 0.04 秒)
