公开(公告)号：CN116133439A

公开(公告)日：2023-05-16

申请号：CN202211103715.0

申请日：2022-09-09

申请人： 长江存储科技有限责任公司

发明人： 黎姗 ,  方语萱 ,  夏志良 ,  杨涛 ,  刘磊

IPC分类号： H10B61/00 ,  G11C11/16 ,  H10N50/80 ,  H10N50/10 ,  H10N50/01

摘要： 本公开提供了一种半导体结构及其制备方法、三维存储器、存储系统，涉及半导体芯片技术领域，以提高半导体结构的存储密度。半导体结构包括第一堆叠结构、存储结构和相变层。第一堆叠结构包括多个第一介质层和多个字线层。存储结构包括铁磁自由层、隧穿层、铁磁钉扎层和导电层；铁磁自由层位于隧穿层和第一堆叠结构之间，隧穿层位于铁磁自由层和铁磁钉扎层之间，铁磁钉扎层位于隧穿层和导电层之间，导电层位于铁磁钉扎层远离隧穿层的一侧，且导电层与位线耦接。相变层至少部分位于字线层和铁磁自由层之间。半导体结构应用于三维存储器中，以实现数据的读取和写入操作。

公开(公告)号：CN118251016A

公开(公告)日：2024-06-25

申请号：CN202211659427.3

申请日：2022-12-22

申请人： 长江存储科技有限责任公司

发明人： 方语萱 ,  黎姗 ,  赵冬雪 ,  刘磊 ,  夏志良

IPC分类号： H10B61/00 ,  H10N50/10 ,  H10N50/80 ,  H10N50/01 ,  G11C11/16

摘要： 一种存储器件，包括半导体层和在所述半导体层之上的堆叠结构。所述堆叠结构包括单元阵列区域和阶梯结构区域。所述单元阵列区域包括堆叠晶体管‑磁隧道结(TMTJ)元件的多个垂直层级和垂直延伸穿过所述堆叠结构的多个沟道结构。至少一个沟道结构包括垂直芯、垂直磁参考层和垂直隧道势垒层，所述垂直芯、所述垂直磁参考层和所述垂直隧道势垒层由与所述至少一个沟道结构相关联的一组磁隧道结(MTJ)元件共享。所述一组MTJ元件位于所述堆叠结构的不同垂直层级。

公开(公告)号：CN115497977A

公开(公告)日：2022-12-20

申请号：CN202211137926.6

申请日：2022-09-19

申请人： 长江存储科技有限责任公司

发明人： 黎姗 ,  方语萱 ,  夏志良

IPC分类号： H01L27/22 ,  H01L43/08 ,  H01L43/12

摘要： 本公开提供了一种半导体结构及其制备方法、三维存储器、存储系统，涉及半导体芯片技术领域，以提高半导体结构的存储密度。半导体结构包括第一堆叠结构、存储结构和导电层。第一堆叠结构包括第一介质层、第一绝缘层、第二绝缘层、第一沟道层、栅线层和板线层；第一沟道层贯穿栅线层，且第一沟道层的一端与板线层接触，第二绝缘层的至少部分位于第一沟道层和栅线层之间，以及栅线层和板线层之间。存储结构包括多个铁磁自由层、隧穿层和铁磁钉扎层。每个铁磁自由层与第一沟道层的另一端接触，隧穿层设置于多个铁磁自由层和铁磁钉扎层之间。导电层位于铁磁钉扎层远离隧穿层的一侧。半导体结构应用于三维存储器中，以实现数据的读取和写入操作。