研磨系统
    1.
    发明公开

    公开(公告)号:CN111805410A

    公开(公告)日:2020-10-23

    申请号:CN202010483324.0

    申请日:2020-06-01

    摘要: 本申请公开了一种研磨系统,包括:壳体,具有至少一个操作窗口;至少一个研磨装置,位于壳体内部,研磨装置包括研磨头;控制装置,具有操作部,操作部位于壳体外部,以便于在壳体外部控制研磨头旋转;以及防护装置,用于检测至少一个操作窗口是否处于操作状态,并在至少一个操作窗口处于操作状态的情况下向控制装置发送提示信息,以便防止研磨头旋转,该研磨系统通过设置防护装置,保护了检修人员的人身安全。

    化学机械研磨设备
    2.
    发明公开

    公开(公告)号:CN114227528A

    公开(公告)日:2022-03-25

    申请号:CN202111489311.5

    申请日:2021-12-07

    发明人: 熊超 段贤明

    IPC分类号: B24B37/20 B24B37/34 B24B49/00

    摘要: 本申请提供了一种化学机械研磨设备。该化学机械研磨设备包括壳体、设置有研磨垫的抛光盘、研磨头和检测装置,其中,壳体具有容纳腔,抛光盘、研磨头和检测装置均位于所述容纳腔内,检测装置用于检测预定表面是否发生形变,预定表面为研磨垫远离抛光盘的表面。该化学机械研磨设备中加入了检测装置,检测装置根据检测到的研磨垫的预定表面,确定预定表面是否发生形变,相比现有技术中使用肉眼观察研磨垫的预定表面是否发生形变,不能对研磨垫的表面状态进行实时监控的方案来说,本申请的化学机械研磨设备的检测装置可以对研磨垫的表面进行监控,从而解决了现有技术中缺乏可以监控研磨垫表面状态的方案的问题。

    抛光装置、抛光装置的检测方法和抛光系统

    公开(公告)号:CN113858034B

    公开(公告)日:2023-06-30

    申请号:CN202111101093.3

    申请日:2021-09-18

    发明人: 熊超 段贤明

    摘要: 本申请提供了一种抛光装置、抛光装置的检测方法和抛光系统。该抛光装置包括:壳体,具有容纳空间;抛光垫,位于容纳空间内,抛光垫的第一表面用于承载晶圆;靶盘,位于容纳空间内,靶盘包括本体和设置在本体的第二表面的多个研磨颗粒,第二表面朝向第一表面;图像采集设备,用于采集靶盘在非工作位置时的第二表面的图像。本申请的方案无需将靶盘进行拆卸,只需要通过图像采集设备采集到的图像即可检测研磨颗粒的情况,检测的过程比现有的方案更为简单,进而解决了现有技术中的检测靶盘上的研磨颗粒情况的方案较为复杂的问题。

    化学机械研磨设备
    4.
    发明授权

    公开(公告)号:CN114227528B

    公开(公告)日:2023-04-14

    申请号:CN202111489311.5

    申请日:2021-12-07

    发明人: 熊超 段贤明

    IPC分类号: B24B37/20 B24B37/34 B24B49/00

    摘要: 本申请提供了一种化学机械研磨设备。该化学机械研磨设备包括壳体、设置有研磨垫的抛光盘、研磨头和检测装置,其中,壳体具有容纳腔,抛光盘、研磨头和检测装置均位于所述容纳腔内,检测装置用于检测预定表面是否发生形变,预定表面为研磨垫远离抛光盘的表面。该化学机械研磨设备中加入了检测装置,检测装置根据检测到的研磨垫的预定表面,确定预定表面是否发生形变,相比现有技术中使用肉眼观察研磨垫的预定表面是否发生形变,不能对研磨垫的表面状态进行实时监控的方案来说,本申请的化学机械研磨设备的检测装置可以对研磨垫的表面进行监控,从而解决了现有技术中缺乏可以监控研磨垫表面状态的方案的问题。

    存储器及其制造方法、存储系统
    5.
    发明公开

    公开(公告)号:CN115050726A

    公开(公告)日:2022-09-13

    申请号:CN202210507533.3

    申请日:2022-05-10

    IPC分类号: H01L23/538 H01L21/768

    摘要: 本申请提供一种存储器及其制造方法、存储系统,所述存储器包括键合连接的第一晶圆和第二晶圆,第一晶圆与第二晶圆的接触面为键合界面;第一晶圆包括:至少一个第一接触结构,位于第一晶圆靠近所述键合界面的一侧;第一接触结构连接至位于第一晶圆内的第一掺杂区;多个第二接触结构,位于第一晶圆靠近键合界面的一侧;第二接触结构连接至位于第一晶圆内的第二掺杂区;第二接触结构位于第一接触结构的相邻位置;第一掺杂区与第二掺杂区具有相同极性的掺杂离子;第二晶圆包括:至少一个第三接触结构,位于第二晶圆靠近键合界面的一侧;第三接触结构键合连接第一接触结构,第一接触结构和第三接触结构用于实现第一晶圆与第二晶圆中的电性连接。

    抛光装置、抛光装置的检测方法和抛光系统

    公开(公告)号:CN113858034A

    公开(公告)日:2021-12-31

    申请号:CN202111101093.3

    申请日:2021-09-18

    发明人: 熊超 段贤明

    摘要: 本申请提供了一种抛光装置、抛光装置的检测方法和抛光系统。该抛光装置包括:壳体,具有容纳空间;抛光垫,位于容纳空间内,抛光垫的第一表面用于承载晶圆;靶盘,位于容纳空间内,靶盘包括本体和设置在本体的第二表面的多个研磨颗粒,第二表面朝向第一表面;图像采集设备,用于采集靶盘在非工作位置时的第二表面的图像。本申请的方案无需将靶盘进行拆卸,只需要通过图像采集设备采集到的图像即可检测研磨颗粒的情况,检测的过程比现有的方案更为简单,进而解决了现有技术中的检测靶盘上的研磨颗粒情况的方案较为复杂的问题。

    研磨装置及化学机械研磨机台

    公开(公告)号:CN216000031U

    公开(公告)日:2022-03-11

    申请号:CN202122054550.X

    申请日:2021-08-27

    发明人: 段贤明

    IPC分类号: B24B37/10 B24B37/20 B24B37/34

    摘要: 本实用新型提供了一种研磨装置及化学机械研磨机台,包括:研磨盘,研磨盘可旋转地设置;防溅挡板,围绕研磨盘设置;其中,防溅挡板朝向研磨盘的一侧设置有吸附层,以吸附溅起的研磨液。本实用新型的研磨装置解决了现有技术中的防溅挡板无法有效防止研磨液飞溅的问题。

    晶圆承载装置
    9.
    实用新型

    公开(公告)号:CN216084838U

    公开(公告)日:2022-03-18

    申请号:CN202122292187.5

    申请日:2021-09-18

    发明人: 刘凯 吴宇 段贤明

    IPC分类号: H01L21/683 H01L21/67

    摘要: 本实用新型涉及半导体制造技术领域,尤其涉及一种晶圆承载装置。所述晶圆承载装置包括:承载组件,包括用于承载晶圆的承载面;喷口,位于所述承载面下方,用于朝向所述承载面所在的平面的方向喷射气体;检测器,用于检测所述喷口喷出的所述气体的压力,以判断所述晶圆的位置是否偏离预设位置。本实用新型能够避免液体冲刷对晶圆造成的损伤,从而实现对晶圆产品良率的改善。

    一种晶片的清洗装置
    10.
    实用新型

    公开(公告)号:CN214078346U

    公开(公告)日:2021-08-31

    申请号:CN202022885479.5

    申请日:2020-12-03

    摘要: 本实用新型提供一种晶片的清洗装置,涉及半导体加工领域,该清洗装置包括:支架,驱动晶片的待清洁面在预设平面内转动;清洁刷,与晶片的待清洁面的部分区域接触,且晶片的待清洁面的旋转中心位于清洁刷与晶片的待清洁面接触的区域内;供液管路,位于晶片的待清洁面的外侧,且供液管路间隔设置有多个出液口,各出液口均朝向待清洁面,以向待清洁面喷洒清洗液;其中,待清洁面上的点距待清洁面的旋转中心越近,点被喷洒的清洗液的密度越高。这种晶片的清洗装置,能够使经过清洗后的晶片的表面有良好的一致性。