公开(公告)号：CN113334244A

公开(公告)日：2021-09-03

申请号：CN202110540193.X

申请日：2021-05-18

申请人： 长江存储科技有限责任公司

发明人： 高翔 ,  胡恒 ,  洪义财 ,  曾明

IPC分类号： B24B37/30 ,  B24B37/34 ,  B24B37/10

摘要： 本申请实施例提供一种承载装置以及研磨设备，属于半导体技术领域，承载装置包括承载台和基座。承载台具有第一开口以及连通第一开口的第一贯通孔。基座具有第二开口以及连通第二开口的第二贯通孔，第一贯通孔和第二贯通孔连通并形成第一通道，第一通道沿第一通道的延伸方向位于第一开口和第二开口之间，第一通道的侧壁配置为将第一通道沿第一通道的径向封闭。通过第一通道的侧壁将第一通道沿第一通道的径向封闭，第一通道内的研磨碎屑无法透过第一通道的侧壁沿径向挤入基座与承载台之间，能够缓解半导体结构沿半导体结构的厚度方向的两个表面出现相互倾斜的现象，即缓解半导体结构厚度在指向晶圆切口的方向逐渐减薄的问题，晶圆的厚度较为均匀。

公开(公告)号：CN113334244B

公开(公告)日：2023-04-28

申请号：CN202110540193.X

申请日：2021-05-18

申请人： 长江存储科技有限责任公司

发明人： 高翔 ,  胡恒 ,  洪义财 ,  曾明

IPC分类号： B24B37/30 ,  B24B37/34 ,  B24B37/10

摘要： 本申请实施例提供一种承载装置以及研磨设备，属于半导体技术领域，承载装置包括承载台和基座。承载台具有第一开口以及连通第一开口的第一贯通孔。基座具有第二开口以及连通第二开口的第二贯通孔，第一贯通孔和第二贯通孔连通并形成第一通道，第一通道沿第一通道的延伸方向位于第一开口和第二开口之间，第一通道的侧壁配置为将第一通道沿第一通道的径向封闭。通过第一通道的侧壁将第一通道沿第一通道的径向封闭，第一通道内的研磨碎屑无法透过第一通道的侧壁沿径向挤入基座与承载台之间，能够缓解半导体结构沿半导体结构的厚度方向的两个表面出现相互倾斜的现象，即缓解半导体结构厚度在指向晶圆切口的方向逐渐减薄的问题，晶圆的厚度较为均匀。

公开(公告)号：CN111805410A

公开(公告)日：2020-10-23

申请号：CN202010483324.0

申请日：2020-06-01

申请人： 长江存储科技有限责任公司

发明人： 熊紫超 ,  胡恒 ,  段贤明 ,  王光毅 ,  高林 ,  吴宇

IPC分类号： B24B37/005 ,  B24B37/34 ,  B24B49/12 ,  B24B37/10 ,  H01L21/67

摘要： 本申请公开了一种研磨系统，包括：壳体，具有至少一个操作窗口；至少一个研磨装置，位于壳体内部，研磨装置包括研磨头；控制装置，具有操作部，操作部位于壳体外部，以便于在壳体外部控制研磨头旋转；以及防护装置，用于检测至少一个操作窗口是否处于操作状态，并在至少一个操作窗口处于操作状态的情况下向控制装置发送提示信息，以便防止研磨头旋转，该研磨系统通过设置防护装置，保护了检修人员的人身安全。