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公开(公告)号:CN113056659A
公开(公告)日:2021-06-29
申请号:CN201980076011.9
申请日:2019-09-18
申请人: 阿卡什系统公司
发明人: 费利克斯·伊杰克阿姆 , 小泰伦·D·米切尔 , 保罗·索尼埃 , 丹尼尔·弗朗西斯
摘要: 描述了无线通信的各方面,包括:被配置为用于发射或接收数据的射频(RF)放大器芯片,该芯片包括:包括第一材料的第一基底和包括与第一材料不同的第二材料的第二基底。第一基底和第二基底可以是晶格匹配的,以使得第一基底和第二基底之间的界面区域在大约1332cm·1处展现出sp3碳峰,其具有不大于5.0cm·1的半峰全宽,如通过拉曼光谱法所测量的。在一些方面,第一基底和所述第二基底允许所述芯片以至少每秒500兆比特的传送速率和至少8GHz的频率来发射或接收数据。在一些方面,RF放大器芯片是卫星发射机的一部分。
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公开(公告)号:CN117916848A
公开(公告)日:2024-04-19
申请号:CN202180094373.8
申请日:2021-12-22
申请人: 阿卡什系统公司
IPC分类号: H01L21/02 , H01L31/0312 , H01L31/0264 , H01L23/373 , H01L21/20 , C23C16/27
摘要: 描述了在半导体上金刚石生长的各方面。一些方面包括在含半导体的分层结构上沉积金刚石籽晶层。一些方面包括在该金刚石籽晶层上方沉积中间层。在一些方面,中间层是固定金刚石籽晶的固定层。一些方面包括在含半导体的分层结构的表面上方生成人造金刚石。在一些方面,人造金刚石在包括金刚石籽晶和中间层的表面上方生成。在一些方面,含半导体的分层结构在该含半导体的分层结构的表面上方的适当位置用金刚石籽晶刻蚀。在一些方面,衬底的界面包括金刚石籽晶层与含半导体的分层结构之间的界面、中间层与该金刚石籽晶层之间的界面,以及人造金刚石与中间层之间的界面。
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