公开(公告)号：CN103137188B

公开(公告)日：2017-09-19

申请号：CN201210458102.9

申请日：2012-11-14

申请人： 阿尔特拉公司

发明人： L-S·刘 ,  M·T·阐 ,  徐彦忠 ,  I·拉希姆 ,  J·T·瓦特

IPC分类号： G11C11/413

CPC分类号： G11C11/52 ,  B82Y10/00 ,  G11C13/025 ,  G11C23/00 ,  H01H1/0094 ,  H01H1/20 ,  H01H59/0009 ,  H01L27/101 ,  H01L27/11

摘要： 本发明涉及具有中继器件的存储器元件。提供了一种具有存储器元件的集成电路。集成电路可以包括形成在第一部分里的逻辑电路，第一部分具有互补金属氧化物半导体（CMOS）器件，并且可以包括形成在第二部分里的至少一部分存储器元件和关联的存储器电路，第二部分具有纳米机电（NEM）中继器件。NEM和CMOS器件可以通过电介质堆叠中的通孔互连。在第一部分与第二部分里的器件可以接收各自的电源电压。在一个合适的布置中，存储器元件可以包括两个中继开关，它们提供非易失性存储特性与软错误翻转（SEU）免疫性。在另一个合适的布置中，存储器元件可以包括第一与第二交叉耦合的反相电路。第一反相电路可以包括中继开关，而第二反相电路仅包括CMOS晶体管。以此方式配置的存储器元件可以用于提供易失性存储特性与SEU免疫性。

公开(公告)号：CN103137188A

公开(公告)日：2013-06-05

申请号：CN201210458102.9

申请日：2012-11-14

申请人： 阿尔特拉公司

发明人： L-S·刘 ,  M·T·阐 ,  徐彦忠 ,  I·拉希姆 ,  J·T·瓦特

IPC分类号： G11C11/413

CPC分类号： G11C11/52 ,  B82Y10/00 ,  G11C13/025 ,  G11C23/00 ,  H01H1/0094 ,  H01H1/20 ,  H01H59/0009 ,  H01L27/101 ,  H01L27/11

摘要： 本发明涉及具有中继器件的存储器元件。提供了一种具有存储器元件的集成电路。集成电路可以包括形成在第一部分里的逻辑电路，第一部分具有互补金属氧化物半导体（CMOS）器件，并且可以包括形成在第二部分里的至少一部分存储器元件和关联的存储器电路，第二部分具有纳米机电（NEM）中继器件。NEM和CMOS器件可以通过电介质堆叠中的通孔互连。在第一部分与第二部分里的器件可以接收各自的电源电压。在一个合适的布置中，存储器元件可以包括两个中继开关，它们提供非易失性存储特性与软错误翻转（SEU）免疫性。在另一个合适的布置中，存储器元件可以包括第一与第二交叉耦合的反相电路。第一反相电路可以包括中继开关，而第二反相电路仅包括CMOS晶体管。以此方式配置的存储器元件可以用于提供易失性存储特性与SEU免疫性。