-
公开(公告)号：CN103137188A
公开(公告)日：2013-06-05
申请号：CN201210458102.9
申请日：2012-11-14
申请人： 阿尔特拉公司
IPC分类号： G11C11/413
CPC分类号： G11C11/52 , B82Y10/00 , G11C13/025 , G11C23/00 , H01H1/0094 , H01H1/20 , H01H59/0009 , H01L27/101 , H01L27/11
摘要： 本发明涉及具有中继器件的存储器元件。提供了一种具有存储器元件的集成电路。集成电路可以包括形成在第一部分里的逻辑电路，第一部分具有互补金属氧化物半导体（CMOS）器件，并且可以包括形成在第二部分里的至少一部分存储器元件和关联的存储器电路，第二部分具有纳米机电（NEM）中继器件。NEM和CMOS器件可以通过电介质堆叠中的通孔互连。在第一部分与第二部分里的器件可以接收各自的电源电压。在一个合适的布置中，存储器元件可以包括两个中继开关，它们提供非易失性存储特性与软错误翻转（SEU）免疫性。在另一个合适的布置中，存储器元件可以包括第一与第二交叉耦合的反相电路。第一反相电路可以包括中继开关，而第二反相电路仅包括CMOS晶体管。以此方式配置的存储器元件可以用于提供易失性存储特性与SEU免疫性。
-
公开(公告)号：CN101562049B
公开(公告)日：2012-09-05
申请号：CN200910126405.9
申请日：2004-08-12
申请人： 南泰若股份有限公司
CPC分类号： H01L29/0665 , B82Y10/00 , G11C13/025 , G11C23/00 , G11C2213/16 , G11C2213/17 , H01H1/0094 , H01H1/027 , H01H2001/0005 , H01L27/28 , H01L29/0673 , H01L29/73 , H01L29/78 , H01L51/0048 , H01L51/0508 , Y10S977/762 , Y10S977/932 , Y10S977/94 , Y10T29/49002
摘要： 本发明是关于具有多个控件的基于纳米管的开关元件以及由其制成的电路。开关元件包括一输入节点、一输出节点、以及具有至少一个导电纳米管的纳米管通道元件。一控制结构相对于该纳米管通道放置，以可控地在输入节点及输出节点之间形成与解除一导电通道。该输出节点被构建与安排为使该通道的形成实质上不受输出节点的电气状态的影响。该控制结构包括置于该纳米管通道元件的相对两侧的一个控制电极和一个释放电极。该控制与释放可用来形成一差动输入，或者如果该装置被适当构建，则以非易失性方式操作该电路。该开关元件可被安排在具有差动输入和/或取决于该构建的非易失性行为的逻辑电路和闩锁中。
-
公开(公告)号：CN101273456B
公开(公告)日：2012-04-18
申请号：CN200680035573.1
申请日：2006-09-27
IPC分类号： H01L27/115 , H01L21/8246 , H01L41/00 , B81B3/00 , H01L27/12 , G11C13/02 , H01L21/336 , H01L27/06 , G11C11/00 , H01L29/788 , H01L27/10 , G11C23/00 , H01L21/8247 , H01L51/00
CPC分类号： H01L27/115 , B81B3/0072 , B81B2201/016 , B82Y10/00 , G11C13/0014 , G11C13/0016 , G11C13/025 , G11C23/00 , G11C2213/14 , G11C2213/17 , G11C2213/77 , H01H9/547 , H01H59/0009 , H01H61/0107 , H01L21/28273 , H01L27/112 , H01L29/66825 , H01L29/785
摘要： 具有双稳态位置的纳米机械装置，用于形成开关和存储器装置。所述装置可驱动至不同的位置，可连接到不同配置中的晶体管装置，以提供存储器装置。驱动机制包括静电方法和加热。在一个形式中，所述机械装置形成场效应晶体管的栅极，参见图2A。在另一形式中，所述装置可以是开关，开关可以不同的方式连接晶体管，当导通和断开时影响其电子特性。在一个实施例中，所述存储器开关包括用可拉长的或可压缩的膜形成，参见图5B。交叉点开关由多个交叉的导电的导体的列和行形成，参见图11A。可驱动开关位于列和行的各个交叉点之间，使得各个交叉点可单独地访问。基于侧壁的开关可连接晶体管的浮栅(823)，参见图8B。
-
公开(公告)号：CN1964053B
公开(公告)日：2011-11-23
申请号：CN200610142807.4
申请日：2006-10-26
申请人： 三星电子株式会社
IPC分类号： H01L27/115 , H01L23/522 , G11C16/02
CPC分类号： G11C23/00 , B82Y10/00 , G11C13/025 , Y10S977/742 , Y10S977/784
摘要： 本发明提供一种非易失性存储器件。该存储器件包括：衬底；至少第一和第二电极，设置在该衬底上，彼此间隔开预定距离；导电纳米管，设置在该第一和第二电极之间并且由于静电力选择性地与该第一电极或该第二电极接触；及支承物，支承该导电纳米管。因此，该存储器件是可擦除非易失性存储器件，其能在即使没有电源供应时保持信息，并确保高操作速度和高集成密度。另外，由于该存储器件以位为单位写入和擦除信息，所以该存储器件能应用于很多领域。
-
公开(公告)号：CN101300642B
公开(公告)日：2010-12-15
申请号：CN200680041326.2
申请日：2006-11-06
申请人： 国际商业机器公司
发明人： G·M·麦克雷尔兰德
摘要： 一种电子机械存储器件，其包括方便数据输入的输入单元、一系列数据单元和一个方便数据读出的终端单元。每一个数据单元具有至少两个稳定的机械方向，这些方向能被用来存储数据。通过施加一个瞬变电磁脉冲到数据单元，数据可以被输入该器件。该器件被构建成，使得当一个数据位被输入数据单元系列的时候，任何先前已经被输入该系列的数据位被移向终止数据单元。
-
公开(公告)号：CN101277897A
公开(公告)日：2008-10-01
申请号：CN200680036330.X
申请日：2006-11-02
申请人： 卡文迪什动力有限公司
CPC分类号： H01H59/0009 , B81C1/0015 , B81C2201/014 , B81C2201/0176 , G11C23/00 , H01H51/12
摘要： 本发明提供一种非易失性存储器装置和制造非易失性微机电存储器单元的方法。所述方法包含通过使用原子层沉积在衬底上沉积第一牺牲材料层的第一步骤。所述方法的第二步骤是在所述第一牺牲材料层的至少一部分上方提供悬臂(101)。第三步骤是通过使用原子层沉积在所述第一牺牲材料层上方和所述悬臂的一部分上方沉积第二牺牲材料层，使得所述悬臂的一部分由牺牲材料包围。第四步骤是提供又一材料层(107)，其覆盖所述第二牺牲材料层的至少一部分。最终，最后步骤是蚀刻掉包围所述悬臂的所述牺牲材料，进而界定其中悬置所述悬臂的空腔(102)。
-
公开(公告)号：CN101273456A
公开(公告)日：2008-09-24
申请号：CN200680035573.1
申请日：2006-09-27
IPC分类号： H01L27/115 , H01L21/8246 , H01L41/00 , B81B3/00 , H01L27/12 , G11C13/02 , H01L21/336 , H01L27/06 , G11C11/00 , H01L29/788 , H01L27/10 , G11C23/00 , H01L21/8247 , H01L51/00
CPC分类号： H01L27/115 , B81B3/0072 , B81B2201/016 , B82Y10/00 , G11C13/0014 , G11C13/0016 , G11C13/025 , G11C23/00 , G11C2213/14 , G11C2213/17 , G11C2213/77 , H01H9/547 , H01H59/0009 , H01H61/0107 , H01L21/28273 , H01L27/112 , H01L29/66825 , H01L29/785
摘要： 具有双稳态位置的纳米机械装置，用于形成开关和存储器装置。所述装置可驱动至不同的位置，可连接到不同配置中的晶体管装置，以提供存储器装置。驱动机制包括静电方法和加热。在一个形式中，所述机械装置形成场效应晶体管的栅极，参见图2A。在另一形式中，所述装置可以是开关，开关可以不同的方式连接晶体管，当导通和断开时影响其电子特性。在一个实施例中，所述存储器开关包括用可拉长的或可压缩的膜形成，参见图5B。交叉点开关由多个交叉的导电的导体的列和行形成，参见图11A。可驱动开关位于列和行的各个交叉点之间，使得各个交叉点可单独地访问。基于侧壁的开关可连接晶体管的浮栅(823)，参见图8B。
-
公开(公告)号：CN101015019A
公开(公告)日：2007-08-08
申请号：CN200480026835.9
申请日：2004-08-26
申请人： 米克伦技术公司
发明人： 泰勒·J·戈姆
CPC分类号： G11C29/883 , G11C7/10 , G11C11/401 , G11C11/4093 , G11C23/00 , G11C29/1201 , G11C29/48 , G11C29/88 , G11C2207/2254
摘要： 本发明公开的实施例包括一个系统，该系统包括输入、输出(88)以及数据存储设备(82)、连接到该数据存储设备的处理器(102)、连接到处理器(102)的存储设备(108)，以及插入在该处理器(102)和该存储设备(108)之间的配置电路(92)，以有选择地将在该处理器的地址(86)、控制(90)和数据总线(88)中的线路连接到在该存储设备(108)的地址(86)、控制(90)和数据总线(88)中的线路。
-
公开(公告)号：CN1925166A
公开(公告)日：2007-03-07
申请号：CN200610092400.5
申请日：2006-06-02
申请人： 三星电子株式会社
CPC分类号： H01L27/115 , B82Y10/00 , G11C13/025 , G11C23/00 , G11C2213/16 , Y10S977/742 , Y10S977/743 , Y10S977/842
摘要： 本发明公开了一种纳米弹性存储装置及其制造方法。所述纳米弹性存储装置包括：基底；布置在所述基底上的多个下电极；支承单元，在具有暴露所述下电极的空腔的基底上以预定厚度由绝缘材料形成；纳米弹性体，在所述空腔中从所述下电极的表面竖直延伸；和多个上电极，形成于所述支承单元上，并且在所述纳米弹性体上面与所述下电极垂直交叉。使用纳米弹性存储装置可以在比使用多个带型纳米管的传统存储装置低的驱动电压下运行，存储单元不相互影响，可靠性更高，集成度更高。
-
公开(公告)号：CN105514106A
公开(公告)日：2016-04-20
申请号：CN201410486979.8
申请日：2014-09-22
申请人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
发明人： 甘正浩
IPC分类号： H01L27/115 , H01L21/8239
CPC分类号： H01L27/1021 , G11C11/50 , G11C23/00 , H01L21/76802 , H01L21/76877 , H01L23/5226 , H01L23/528 , H01L23/53261 , H01L27/115 , H01L29/84 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： 本发明提供一种半导体器件及其制造方法和电子装置，涉及半导体技术领域。本发明的半导体器件包括半导体衬底、位于所述半导体衬底上的绝缘层、位于所述绝缘层上的位线、位于所述位线两侧的侧壁层以及位于所述侧壁层上的字线，其中，所述侧壁层高于所述位线，所述位线与所述字线在空间上交叉设置，所述位线的材料为TiAl，所述字线的材料为TiN。本发明的半导体器件由于分别采用TiAl和TiN作为位线和字线，因而位线和字线的均一性更容易控制，可以在一定程度上提高半导体器件的性能。本发明的半导体器件的制造方法，用于制造上述半导体器件，制得的半导体器件同样具有上述优点。本发明的电子装置包括上述的半导体器件，同样具有上述优点。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
搜索结果
65 条记录 (耗时 0.021 秒)
