公开(公告)号：CN103180930B

公开(公告)日：2016-02-17

申请号：CN201180047562.6

申请日：2011-08-04

申请人： 阿尔特拉公司

发明人： T·H·怀特 ,  G·V·鲍威尔 ,  B·詹森 ,  S·A·劳 ,  D·多 ,  A·L·李 ,  W-c·林

IPC分类号： H01L21/00

CPC分类号： H01L21/823493 ,  H01L21/32055 ,  H01L21/76224 ,  H01L21/823475 ,  H01L21/823481 ,  H01L21/823871 ,  H01L21/823892 ,  H01L27/0207 ,  H01L29/7833

摘要： 公开通过在一个或者多个浮置多晶硅栅极指状物的两侧上形成带来实现更低要求的N阱或者P阱带结构的实施例。

公开(公告)号：CN103180930A

公开(公告)日：2013-06-26

申请号：CN201180047562.6

申请日：2011-08-04

申请人： 阿尔特拉公司

发明人： T·H·怀特 ,  G·V·鲍威尔 ,  B·詹森 ,  S·A·劳 ,  D·多 ,  A·L·李 ,  W-c·林

IPC分类号： H01L21/00

CPC分类号： H01L21/823493 ,  H01L21/32055 ,  H01L21/76224 ,  H01L21/823475 ,  H01L21/823481 ,  H01L21/823871 ,  H01L21/823892 ,  H01L27/0207 ,  H01L29/7833

摘要： 公开通过在一个或者多个浮置多晶硅栅极指状物的两侧上形成带来实现更低要求的N阱或者P阱带结构的实施例。