公开(公告)号：CN106972002B

公开(公告)日：2019-07-05

申请号：CN201611058613.6

申请日：2016-11-24

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 张哲诚 ,  林志翰 ,  曾鸿辉

IPC分类号： H01L23/538 ,  H01L21/768

CPC分类号： H01L27/0886 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76834 ,  H01L21/76837 ,  H01L21/76897 ,  H01L21/823425 ,  H01L21/823468 ,  H01L21/823475 ,  H01L21/823864 ,  H01L21/823871 ,  H01L23/535 ,  H01L27/088 ,  H01L29/41775 ,  H01L29/41791 ,  H01L29/66795 ,  H01L2029/7858

摘要： 一种半导体结构，包含衬底、第一栅极结构、第一间隔件、源极漏极结构、导体和接触蚀刻停止层。第一栅极结构存在于衬底上。第一间隔件存在于第一栅极结构的至少一个侧壁上，其中第一间隔件有顶部和底部，底部位于顶部和衬底之间。源极漏极结构邻近第一间隔件的底部。导体电连接至源极漏极结构。保护层至少存在于导体和第一间隔件的顶部之间。接触蚀刻停止层至少部分存在于导体和第一间隔件的顶部之间，而在保护层和第一间隔件的顶部之间不存在。本发明实施例涉及半导体结构及其制造方法。

公开(公告)号：CN109690756A

公开(公告)日：2019-04-26

申请号：CN201780051404.5

申请日：2017-07-18

申请人： 高通股份有限公司

发明人： P·W·楼 ,  S·格科特佩里

IPC分类号： H01L21/768 ,  H01L23/48

CPC分类号： H01L23/5283 ,  H01L21/76889 ,  H01L21/76892 ,  H01L21/76898 ,  H01L21/823475 ,  H01L23/481 ,  H01L23/66 ,  H01L29/456 ,  H01L2224/11

摘要： 一种集成电路器件可以包括耦合到前侧金属化层的前侧触点。集成电路器件可以进一步包括耦合到背侧金属化层的背侧触点。前侧触点可以直接耦合到背侧触点。

公开(公告)号：CN109300891A

公开(公告)日：2019-02-01

申请号：CN201810825992.X

申请日：2018-07-25

申请人： 拉碧斯半导体株式会社

发明人： 大竹久雄

IPC分类号： H01L27/02

CPC分类号： H01L27/0255 ,  H01L21/762 ,  H01L21/76224 ,  H01L21/823475 ,  H01L21/823493 ,  H01L23/60 ,  H01L27/027 ,  H01L27/0266

摘要： 本发明提供能够更加有效地利用使用了绝缘用槽的半导体装置的功能，并且抑制因基板电位的变动而引起内部电路的误动作的、静电保护元件以及半导体装置。包括：第一导电型的基板；形成存在基板上的第二导电型的外延层；形成在外延层上的第一导电型的阱；包括形成在阱的内部的、漏极区域、与漏极区域隔开沟道区域所形成的源极区域以及在沟道区域上绝缘地形成的栅极的晶体管；形成为具有相对于漏极区域至少在与栅极的延伸方向平行的方向上分离预先决定的距离并对置的对置区域的第一导电型的阱接触区域。

公开(公告)号：CN108807417A

公开(公告)日：2018-11-13

申请号：CN201810029029.0

申请日：2018-01-12

申请人： 爱思开海力士有限公司

发明人： 沈圣辅 ,  崔正达

IPC分类号： H01L27/11582 ,  H01L27/11556 ,  H01L27/115

CPC分类号： H01L27/11582 ,  G11C5/02 ,  G11C16/16 ,  G11C16/30 ,  G11C16/3445 ,  H01L21/8221 ,  H01L21/823475 ,  H01L24/09 ,  H01L27/0688 ,  H01L27/11565 ,  H01L27/1157 ,  H01L27/11573 ,  H01L27/11575 ,  H01L27/1203 ,  H01L27/115 ,  H01L27/11556

摘要： 半导体装置及其制造方法。本文中提供的可以是一种半导体装置。该半导体装置可以包括：第一基板；第二基板，该第二基板设置在所述第一基板上；堆叠，该堆叠设置在所述第二基板上并且包括叠置的存储单元；以及放电接触结构，该放电接触结构将所述第二基板与所述第一基板电联接，使得所述第二基板中的电荷被释放至所述第一基板。

公开(公告)号：CN106165084B

公开(公告)日：2018-09-04

申请号：CN201580004369.2

申请日：2015-01-13

申请人： 美国联合碳化硅公司

发明人： 阿努普·巴拉 ,  李仲达

IPC分类号： H01L21/82 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/06 ,  H01L27/088 ,  H01L27/098

CPC分类号： H03K17/687 ,  H01L21/76897 ,  H01L21/8213 ,  H01L21/823475 ,  H01L23/535 ,  H01L27/0617 ,  H01L27/088 ,  H01L27/098 ,  H01L29/78 ,  H01L29/808 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： 所公开的发明涉及先进的高压开关，其与常规栅极驱动器相比具有改善的性能特性、提高的可靠性和较好的兼容性。本文中所公开的发明实现了经由级联(巴利加对(Baliga‑pair))结构中的低压Si MOSFET来控制的、包括高压常通SiC VJFET的混合开关。SiC VJFET和Si MOSFET以晶片级单片地集成在一起，其中，Si MOSFET在Si层上制造，所述Si层与在SiC VJFET之上的电介质层直接相邻。还提供了制造和操作这些开关的方法。

公开(公告)号：CN105745738B

公开(公告)日：2018-07-31

申请号：CN201480045911.4

申请日：2014-08-15

申请人： 格罗方德半导体股份有限公司

发明人： V·巴斯克 ,  程慷果 ,  A·克哈基弗尔鲁茨 ,  V·Y·萨德塞 ,  R·斯瑞尼瓦萨恩

IPC分类号： H01L21/28 ,  H01L29/423

CPC分类号： H01L27/088 ,  H01L21/76897 ,  H01L21/823456 ,  H01L21/823475 ,  H01L29/4958 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/66477 ,  H01L29/78

摘要： 一种形成半导体器件的方法，该方法包括在相应的一个或多个晶体管在衬底中一个或多个沟道区之上沉积金属层，金属层具有第一区和第二区；降低金属层的第一区的高度；在已降低高度的第一区之上形成绝缘层，绝缘层形成为具有与金属层的第二区共面的顶面；并且形成到一个或多个晶体管的源极/漏极区的至少一个触点。因此也提供了形成的半导体器件的结构。

公开(公告)号：CN104425443B

公开(公告)日：2018-07-20

申请号：CN201310594649.6

申请日：2013-11-22

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 林以唐 ,  万幸仁

IPC分类号： H01L23/522 ,  H01L29/41 ,  H01L21/768

CPC分类号： H01L27/0207 ,  H01L21/823431 ,  H01L21/823475 ,  H01L27/0688 ,  H03K19/20

摘要： 本发明提供了用于制造半导体器件结构的系统和方法。示例性半导体器件结构包括第一器件层、第二器件层和层间连接结构。第一器件层形成在衬底上并且包括第一半导体器件，第一半导体器件包括第一电极结构。第二器件层形成在第一器件层上并且包括第二半导体器件，第二半导体器件包括第二电极结构。第一层间连接结构包括一种或多种第一导电材料并且被配置为电连接至第一电极结构和第二电极结构。

公开(公告)号：CN108269807A

公开(公告)日：2018-07-10

申请号：CN201710001445.5

申请日：2017-01-03

申请人： 联华电子股份有限公司 ,  福建省晋华集成电路有限公司

发明人： 陈美玲 ,  刘玮鑫 ,  陈意维 ,  张家隆 ,  李瑞珉 ,  张景翔 ,  吴姿锦 ,  邹世芳

IPC分类号： H01L27/108

CPC分类号： H01L21/76834 ,  H01L21/02112 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/02348 ,  H01L21/76825 ,  H01L21/823475 ,  H01L27/10817 ,  H01L27/10823 ,  H01L27/10852 ,  H01L27/10894 ,  H01L27/10897 ,  H01L28/87 ,  H01L28/91 ,  H01L27/10844 ,  H01L27/10805

摘要： 本发明公开一种半导体元件的制作方法，至少包含有以下步骤:首先，提供一基底，该基底内定义有一存储区域以及一周边区域，该存储区域内包含有多个存储单元，各该存储单元至少包含有一第一晶体管以及一电容结构，该周边区包含有至少一第二晶体管，接着于该存储区域以及该周边区域内，以一原子层沉积方式形成一第一绝缘层，至少覆盖该存储区域内的各该存储单元的该电容结构以及该周边区域内的该第二晶体管，然后形成一第二绝缘层，覆盖于该第一绝缘层上，以及于该周边区域内的该第二绝缘层内形成一接触结构，至少电连接该第二晶体管。

公开(公告)号：CN108231733A

公开(公告)日：2018-06-29

申请号：CN201711064077.5

申请日：2017-11-02

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 林威呈 ,  杨惠婷 ,  彭士玮 ,  曾健庭 ,  杨超源 ,  赖志明

IPC分类号： H01L23/522 ,  H01L23/528

CPC分类号： H01L27/0207 ,  H01L21/823431 ,  H01L21/823437 ,  H01L21/823475 ,  H01L23/485 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/5286 ,  H01L27/088 ,  H01L27/0886 ,  H01L23/528

摘要： 一种半导体元件，包括至少一第一栅极带、至少一第二栅极带、至少一第一导电线和至少一第一导电通孔。此至少一第一栅极带的一端表面和此至少一第二栅极带的一端表面彼此相对。此至少一第一导电线在此至少一第一栅极带和此至少一第二栅极带上方并且跨此至少一第一栅极带的此端表面和此至少一第二栅极带的此端表面。此至少一第一导电通孔连接此至少一第一导线与此至少一第一栅极带。

公开(公告)号：CN108122839A

公开(公告)日：2018-06-05

申请号：CN201710695218.7

申请日：2017-08-15

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 陈志良 ,  赖志明 ,  杨超源 ,  曾健庭 ,  萧锦涛 ,  刘如淦 ,  吴伟豪 ,  周雷峻

IPC分类号： H01L21/8232 ,  H01L21/8238 ,  H01L27/092

CPC分类号： H01L27/0207 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/32139 ,  H01L21/76895 ,  H01L21/823431 ,  H01L21/823437 ,  H01L21/823475 ,  H01L21/823481 ,  H01L23/528 ,  H01L27/0886 ,  H01L27/11807 ,  H01L29/0649 ,  H01L2027/11851 ,  H03K19/0944 ,  H01L21/8232 ,  H01L21/8238 ,  H01L27/092

摘要： 一种制造半导体装置的方法包括在衬底上方提供材料并在所述材料的两个相对的侧壁上分别形成单独的栅极电极线。因此，可使所述栅极电极线之间的切口的宽度最小化。这会缩短所述半导体装置的单元的高度，从而增加所述半导体装置的单元密度。