公开(公告)号：CN113481484B

公开(公告)日：2022-03-08

申请号：CN202110745661.7

申请日：2021-07-01

申请人： 陛通半导体设备(苏州)有限公司

发明人： 高政宁 ,  宋维聪

IPC分类号： C23C16/06 ,  C23C16/505 ,  C23C16/455 ,  C23C16/16 ,  C23C16/18

摘要： 本发明提供一种电阻温度系数趋于零的钴锗合金薄膜的制备方法，该钴锗合金薄膜中，锗的原子百分比含量为15％‑20％，钴锗合金薄膜的电阻温度系数小于200ppm/℃，制备方法包括将生长基底放置于沉积腔室内，依次或者先后向沉积腔室内通入含钴气体和含锗气体，以于生长基底上制备电阻温度系数趋于零的钴锗合金薄膜的步骤。该钴锗合金薄膜电阻温度系数小，此外还具有抗氧化性好，稳定性高等优点，在用于制备诸如接触孔等互连结构时，可以显著提高器件本身的抗温度性能，从而实现在不改变器件设计的情况下，减小器件发热和提高器件性能的效果。且可以采用PECVD和PEALD工艺制备，可以与现有的半导体制备工艺完美融合，有助于降低其制备成本，提高其适用性。

公开(公告)号：CN113481484A

公开(公告)日：2021-10-08

申请号：CN202110745661.7

申请日：2021-07-01

申请人： 陛通半导体设备(苏州)有限公司

发明人： 高政宁 ,  宋维聪

IPC分类号： C23C16/06 ,  C23C16/505 ,  C23C16/455 ,  C23C16/16 ,  C23C16/18

摘要： 本发明提供一种电阻温度系数趋于零的钴锗合金薄膜的制备方法，该钴锗合金薄膜中，锗的原子百分比含量为15％‑20％，钴锗合金薄膜的电阻温度系数小于200ppm/℃，制备方法包括将生长基底放置于沉积腔室内，依次或者先后向沉积腔室内通入含钴气体和含锗气体，以于生长基底上制备电阻温度系数趋于零的钴锗合金薄膜的步骤。该钴锗合金薄膜电阻温度系数小，此外还具有抗氧化性好，稳定性高等优点，在用于制备诸如接触孔等互连结构时，可以显著提高器件本身的抗温度性能，从而实现在不改变器件设计的情况下，减小器件发热和提高器件性能的效果。且可以采用PECVD和PEALD工艺制备，可以与现有的半导体制备工艺完美融合，有助于降低其制备成本，提高其适用性。