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公开(公告)号:CN1156849A
公开(公告)日:1997-08-13
申请号:CN96121688.3
申请日:1996-11-06
Applicant: 陶氏康宁亚洲株式会社 , 陶氏康宁东丽西林根株式会社 , 佳能株式会社
IPC: G03G5/047
CPC classification number: G03G5/078 , C07F7/1804 , C08G77/18 , C08G77/20 , C08G77/70 , C08K9/06 , C08L83/04 , G03G5/0578 , G03G5/0614 , G03G5/0616 , G03G5/0629 , G03G5/0631 , G03G5/0633 , G03G5/0637 , G03G5/0642 , C08L2666/44
Abstract: 本发明公开了具有由下式(I)表示的结构的有机硅改性的电荷迁移化合物,其中A表示电荷迁移基,Q表示水解基或羟基,R2表示具有1至15个碳原子的一价烃基或卤代一价烃基,n是1至18,m是1至3,和1是1至5;还公开了包括有机硅改性的电荷迁移化合物和主要由有机硅高聚物组成的固化型树脂的可固化组合物。
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公开(公告)号:CN1119371C
公开(公告)日:2003-08-27
申请号:CN96121688.3
申请日:1996-11-06
Applicant: 陶氏康宁亚洲株式会社 , 陶氏康宁东丽西林根株式会社 , 佳能株式会社
CPC classification number: G03G5/078 , C07F7/1804 , C08G77/18 , C08G77/20 , C08G77/70 , C08K9/06 , C08L83/04 , G03G5/0578 , G03G5/0614 , G03G5/0616 , G03G5/0629 , G03G5/0631 , G03G5/0633 , G03G5/0637 , G03G5/0642 , C08L2666/44
Abstract: 本发明公开了具有由下式(I)表示的结构的有机硅改性的电荷迁移化合物,其中A表示电荷迁移基,Q表示水解基或羟基,R2表示具有1至15个碳原子的一价烃基或卤代一价烃基,n是1至18,m是1至3,和1是1至5;还公开了包括有机硅改性的电荷迁移化合物和主要由有机硅高聚物组成的固化型树脂的可固化组合物。
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公开(公告)号:CN1064460C
公开(公告)日:2001-04-11
申请号:CN95120232.4
申请日:1995-12-07
Applicant: 佳能株式会社
CPC classification number: G03G15/326 , G03G15/04054 , G03G15/04072 , H04N1/29 , H04N1/40037
Abstract: 一种成象设备,由电子照相光敏元件包括支持体和放置在支持体上的光敏层,使光敏元件充电的充电装置、用光束照射充电光敏元件的曝光装置、显影装置,以及转印装置构成。曝光装置用光束照射充电光敏元件,光束的光点面积与光敏层厚度的积(S×T)至多为20,000μm3,而有效改进解像力和灰度还原性。光敏元件和选自下列各装置的至少一种装置最好整体安装形成处理盒,该盒可拆卸、装配成成象设备;充电装置、显影装置和清扫装置。
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公开(公告)号:CN1131755A
公开(公告)日:1996-09-25
申请号:CN95120232.4
申请日:1995-12-07
Applicant: 佳能株式会社
IPC: G03G15/00
CPC classification number: G03G15/326 , G03G15/04054 , G03G15/04072 , H04N1/29 , H04N1/40037
Abstract: 一种成像设备,由电子照相光敏元件包括支持体和放置在支持体上的光敏层,使光敏元件充电的充电装置、用光束照射充电光敏元件的曝光装置、显影装置,以及转印装置构成。曝光装置用光束照射充电光敏元件,光束的光点面积与光敏层厚度的积(S×T)至多为20,000μm3,而有效改进解像力和灰度还原性。光敏元件和选自下列各装置的至少一种装置最好整体安装形成工艺盒,该盒可拆卸、装配成成像设备:充电装置、显影装置和清扫装置。
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