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公开(公告)号：CN1156849A
公开(公告)日：1997-08-13
申请号：CN96121688.3
申请日：1996-11-06
Applicant: 陶氏康宁亚洲株式会社 , 陶氏康宁东丽西林根株式会社 , 佳能株式会社
IPC: G03G5/047
CPC classification number: G03G5/078 , C07F7/1804 , C08G77/18 , C08G77/20 , C08G77/70 , C08K9/06 , C08L83/04 , G03G5/0578 , G03G5/0614 , G03G5/0616 , G03G5/0629 , G03G5/0631 , G03G5/0633 , G03G5/0637 , G03G5/0642 , C08L2666/44
Abstract: 本发明公开了具有由下式(I)表示的结构的有机硅改性的电荷迁移化合物，其中A表示电荷迁移基，Q表示水解基或羟基，R2表示具有1至15个碳原子的一价烃基或卤代一价烃基，n是1至18，m是1至3，和1是1至5；还公开了包括有机硅改性的电荷迁移化合物和主要由有机硅高聚物组成的固化型树脂的可固化组合物。
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公开(公告)号：CN1119371C
公开(公告)日：2003-08-27
申请号：CN96121688.3
申请日：1996-11-06
Applicant: 陶氏康宁亚洲株式会社 , 陶氏康宁东丽西林根株式会社 , 佳能株式会社
CPC classification number: G03G5/078 , C07F7/1804 , C08G77/18 , C08G77/20 , C08G77/70 , C08K9/06 , C08L83/04 , G03G5/0578 , G03G5/0614 , G03G5/0616 , G03G5/0629 , G03G5/0631 , G03G5/0633 , G03G5/0637 , G03G5/0642 , C08L2666/44
Abstract: 本发明公开了具有由下式(I)表示的结构的有机硅改性的电荷迁移化合物，其中A表示电荷迁移基，Q表示水解基或羟基，R2表示具有1至15个碳原子的一价烃基或卤代一价烃基，n是1至18，m是1至3，和1是1至5；还公开了包括有机硅改性的电荷迁移化合物和主要由有机硅高聚物组成的固化型树脂的可固化组合物。
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公开(公告)号：CN1138182C
公开(公告)日：2004-02-11
申请号：CN96121994.7
申请日：1996-11-06
Applicant: 陶氏康宁亚洲株式会社 , 陶氏康宁东丽西林根株式会社
IPC: G03G5/047
Abstract: 本发明提供一种通过在聚硅氧烷树脂范围内以有效浓度均匀键合电荷转移基团制造具有电荷转移性质的聚硅氧烷树脂的方法。通过共水解和缩合硅烷单体与芳族取代的叔胺形成的电荷转移基团，该叔胺已由一个或多个具有含烃基并带有可水解取代基的甲硅烷基的芳环改性。叔胺具有电离势为4.5至6.2伏。
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公开(公告)号：CN1165154A
公开(公告)日：1997-11-19
申请号：CN96123305.2
申请日：1996-11-06
Applicant: 陶氏康宁亚洲株式会社 , 陶氏康宁东丽西林根株式会社
CPC classification number: G03G5/078 , C08G77/16 , C08G77/18 , C08L83/04 , G03G5/0578 , G03G5/0614 , Y10S526/941 , C08L2666/44
Abstract: 本发明提供一种通过以实用浓度将电荷迁移物质均匀地溶于聚硅氧烷树脂中生产具有电荷迁移性能的聚硅氧烷树脂的方法。溶于聚硅氧烷树脂中的电荷迁移物质是芳族取代的叔胺，该叔胺已通过用含甲硅烷基的烃基取代一个或多个芳基进行改性，所述甲硅烷基具有可水解的取代基。
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