公开(公告)号：CN1119371C

公开(公告)日：2003-08-27

申请号：CN96121688.3

申请日：1996-11-06

Applicant: 陶氏康宁亚洲株式会社 ,  陶氏康宁东丽西林根株式会社 ,  佳能株式会社

Inventor： 栉引信男 ,  竹内贵久子 ,  小林秀树 ,  正富亨 ,  吉永和夫 ,  桥本雄一 ,  西田俊一郎

IPC: C08K7/18 ,  C08K5/54 ,  C08L83/04

CPC classification number: G03G5/078 ,  C07F7/1804 ,  C08G77/18 ,  C08G77/20 ,  C08G77/70 ,  C08K9/06 ,  C08L83/04 ,  G03G5/0578 ,  G03G5/0614 ,  G03G5/0616 ,  G03G5/0629 ,  G03G5/0631 ,  G03G5/0633 ,  G03G5/0637 ,  G03G5/0642 ,  C08L2666/44

Abstract: 本发明公开了具有由下式(I)表示的结构的有机硅改性的电荷迁移化合物，其中A表示电荷迁移基，Q表示水解基或羟基，R2表示具有1至15个碳原子的一价烃基或卤代一价烃基，n是1至18，m是1至3，和1是1至5；还公开了包括有机硅改性的电荷迁移化合物和主要由有机硅高聚物组成的固化型树脂的可固化组合物。

公开(公告)号：CN1156849A

公开(公告)日：1997-08-13

申请号：CN96121688.3

申请日：1996-11-06

Applicant: 陶氏康宁亚洲株式会社 ,  陶氏康宁东丽西林根株式会社 ,  佳能株式会社

Inventor： 栉引信男 ,  竹内贵久子 ,  小林秀树 ,  正富亨 ,  吉永和夫 ,  桥本雄一 ,  西田俊一郎

IPC: G03G5/047

CPC classification number: G03G5/078 ,  C07F7/1804 ,  C08G77/18 ,  C08G77/20 ,  C08G77/70 ,  C08K9/06 ,  C08L83/04 ,  G03G5/0578 ,  G03G5/0614 ,  G03G5/0616 ,  G03G5/0629 ,  G03G5/0631 ,  G03G5/0633 ,  G03G5/0637 ,  G03G5/0642 ,  C08L2666/44

Abstract: 本发明公开了具有由下式(I)表示的结构的有机硅改性的电荷迁移化合物，其中A表示电荷迁移基，Q表示水解基或羟基，R2表示具有1至15个碳原子的一价烃基或卤代一价烃基，n是1至18，m是1至3，和1是1至5；还公开了包括有机硅改性的电荷迁移化合物和主要由有机硅高聚物组成的固化型树脂的可固化组合物。

公开(公告)号：CN1165154A

公开(公告)日：1997-11-19

申请号：CN96123305.2

申请日：1996-11-06

Applicant: 陶氏康宁亚洲株式会社 ,  陶氏康宁东丽西林根株式会社

Inventor： 栉引信男 ,  竹内贵久子 ,  小林秀树 ,  正富亨

IPC: C08G77/04 ,  C08L83/04 ,  G03G5/07

CPC classification number: G03G5/078 ,  C08G77/16 ,  C08G77/18 ,  C08L83/04 ,  G03G5/0578 ,  G03G5/0614 ,  Y10S526/941 ,  C08L2666/44

Abstract: 本发明提供一种通过以实用浓度将电荷迁移物质均匀地溶于聚硅氧烷树脂中生产具有电荷迁移性能的聚硅氧烷树脂的方法。溶于聚硅氧烷树脂中的电荷迁移物质是芳族取代的叔胺，该叔胺已通过用含甲硅烷基的烃基取代一个或多个芳基进行改性，所述甲硅烷基具有可水解的取代基。

公开(公告)号：CN1138182C

公开(公告)日：2004-02-11

申请号：CN96121994.7

申请日：1996-11-06

Applicant: 陶氏康宁亚洲株式会社 ,  陶氏康宁东丽西林根株式会社

Inventor： 栉引信男 ,  竹内贵久子 ,  小林秀树 ,  正富亨

IPC: G03G5/047

CPC classification number: C08G77/26 ,  G03G5/078

Abstract: 本发明提供一种通过在聚硅氧烷树脂范围内以有效浓度均匀键合电荷转移基团制造具有电荷转移性质的聚硅氧烷树脂的方法。通过共水解和缩合硅烷单体与芳族取代的叔胺形成的电荷转移基团，该叔胺已由一个或多个具有含烃基并带有可水解取代基的甲硅烷基的芳环改性。叔胺具有电离势为4.5至6.2伏。

公开(公告)号：CN1067398C

公开(公告)日：2001-06-20

申请号：CN96123304.4

申请日：1996-11-06

Applicant: 陶氏康宁亚洲株式会社

Inventor： 栉引信男 ,  竹内贵久子

IPC: C07F7/02

CPC classification number: G03G5/0614 ,  C07F7/1876 ,  G03G5/0578 ,  G03G5/078

Abstract: 本发明揭示了一种生产电荷迁移物质的方法，该物质给予聚硅氧烷树脂电荷迁移性质，该物质在树脂中是可溶的。该电荷迁移物质是带有许多芳基的芳族取代的叔胺，甲硅烷基通过烃基引入到至少一个芳基上。该方法使用不饱和脂族基，其与芳基键连，构成硅型电荷迁移化合物，或使用新键连的不饱和脂族基，其与其中硅原子的取代基是氢原子或可水解基团的硅烷链连。该方法利用氢化硅烷化反应在催化剂如铂化合物存在下进行。然后将硅型电荷迁移物质与铂化合物的吸附剂接触，使得铂化合物被吸附到吸附剂上。将铂化合物与吸附剂一起除去，使得剩余的铂化合物的浓度低于10ppm。

公开(公告)号：CN1322058C

公开(公告)日：2007-06-20

申请号：CN03814698.3

申请日：2003-06-05

Applicant: 陶氏康宁亚洲株式会社

Inventor： 须藤通孝 ,  D·E·凯特索里斯 ,  栉引信男

IPC: C08L83/04 ,  C08G77/42 ,  C08J5/18

CPC classification number: C08L83/04 ,  C08G77/12 ,  C08G77/20 ,  C08J5/18 ,  C08J2383/04 ,  C09D183/04 ,  C23C26/00 ,  Y10T428/31663 ,  C08L83/00

Abstract: 本发明涉及由交联聚硅氧烷制备的薄膜，所述交联聚硅氧烷通过在铂型催化剂存在下使具有特定的化学结构并且在分子中包含至少两个不饱和脂族烃基的聚硅氧烷和具有至少两个直接连接至硅原子上的氢原子的有机硅化合物进行交联反应而获得。本发明所提供的薄膜具有优异的耐热性能，具有优异的可见光(波长)范围的光线渗透性，具有低双折射的特性，并且具有适用于实际应用的物理性能。通过在上述聚硅氧烷上形成无机物层，有可能将本发明的层状薄膜例如用作透明电极薄膜。

公开(公告)号：CN1662608A

公开(公告)日：2005-08-31

申请号：CN03814698.3

申请日：2003-06-05

Applicant: 陶氏康宁亚洲株式会社

Inventor： 须藤通孝 ,  D·E·凯特索里斯 ,  栉引信男

IPC: C08L83/04 ,  C08G77/42 ,  C08J5/18

CPC classification number: C08L83/04 ,  C08G77/12 ,  C08G77/20 ,  C08J5/18 ,  C08J2383/04 ,  C09D183/04 ,  C23C26/00 ,  Y10T428/31663 ,  C08L83/00

Abstract: 本发明涉及由交联聚硅氧烷制备的薄膜，所述交联聚硅氧烷通过在铂型催化剂存在下使具有特定的化学结构并且在一个分子中包含至少两个不饱和脂族烃基的聚硅氧烷和具有至少两个直接连接至硅原子上的氢原子的有机硅化合物进行交联反应而获得。本发明所提供的薄膜具有优异的耐热性能，具有优异的可见光(波长)范围的光线渗透性，具有低双折射的特性，并且具有适用于实际应用的物理性能。通过在上述聚硅氧烷上形成无机物层，有可能将本发明的层压薄膜例如用作透明电极薄膜。