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公开(公告)号：CN101578683A
公开(公告)日：2009-11-11
申请号：CN200780040785.3
申请日：2007-10-26
发明人： P·罗卡艾卡巴罗卡斯 , P·布尔金 , D·戴纳卡 , P·里波尔 , P·狄斯坎普 , T·科尔恩德米尔伦德尔
IPC分类号： H01J37/32
CPC分类号： H01J37/32678 , C23C16/24 , C23C16/511 , H01J37/32192 , H05H1/46
摘要： 描述一种从等离子体在衬底上沉积膜的设备。该设备包含罩壳，设置在该罩壳内的多个等离子体发生器单元以及同样在该罩壳内的用于支撑衬底的装置。每个等离子体发生器单元包含具有发射微波的末端的微波天线，设置在所述天线末端的区域中而且与其一起限定出电子回旋共振区域的磁体，在该电子回旋共振区域中可以生成等离子体，以及具有膜前体气体或等离子体气体出口的进气单元。设置该出口以使气体朝向从微波天线来看位于磁体之外的膜沉积区域，该出口位于位于热电子约束包络体之中或之上。
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公开(公告)号：CN101681784B
公开(公告)日：2011-10-19
申请号：CN200780040795.7
申请日：2007-10-26
发明人： P·罗卡艾卡巴罗卡斯 , P·布尔金 , D·戴纳卡 , P·里波尔 , P·狄斯坎普 , T·科尔恩德米尔伦德尔
IPC分类号： H01J37/32
CPC分类号： C23C16/45523 , C23C16/24 , C23C16/511 , H01J37/32192 , H01J37/32678 , H01L31/03762 , H01L31/065 , H01L31/076 , H01L31/202 , Y02E10/548 , Y02P70/521
摘要： 描述一种通过从等离子体沉积而在衬底上形成无定形材料膜的方法。将衬底放在罩壳中，将膜前体气体引入罩壳内，并从罩壳内抽出未反应的和离解的气体以便在其中提供低压力。将微波能量引入罩壳内的气体中，从而通过分布式电子回旋共振(DECR)在其中产生等离子体并使材料从等离子体沉积至衬底上。在材料的沉积过程中改变所述膜前体气体流量，以便使带隙在沉积材料的厚度上变化。
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公开(公告)号：CN101583737A
公开(公告)日：2009-11-18
申请号：CN200780040665.3
申请日：2007-10-26
发明人： P·罗卡艾卡巴罗卡斯 , P·布尔金 , D·戴纳卡 , T·H·道 , P·里波尔 , P·狄斯坎普 , T·科尔恩德米尔伦德尔
IPC分类号： C23C16/24 , H01J37/32 , C23C16/511 , H01L31/20
CPC分类号： C23C16/24 , C23C16/511 , H01J37/32192 , H01J37/32678 , H01L31/028 , H01L31/03762 , H01L31/03921 , H01L31/202 , Y02E10/547 , Y02E10/548 , Y02P70/521
摘要： 公开一种通过从等离子体沉积而在衬底(14)上形成无定形材料膜、例如无定形硅膜的方法。将衬底放在具有限定容积的罩壳中，通过管子(20)将膜前体气体例如硅烷引入罩壳内。通过出口(22)从罩壳内抽出未反应的和离解的气体以便在罩壳内提供低压力。将微波能量引入罩壳内的气体中，从而通过分布式电子回旋共振在其中产生等离子体，并使材料从等离子体沉积至衬底上。定义为前体气体流量除以分布式等离子体源的面积的归一化前体气体流量大于或等于700sccm/m2，而且定义为反应器容积除以有效前体气体泵吸速率的气体停留时间不大于30ms。
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公开(公告)号：CN101583737B
公开(公告)日：2011-08-03
申请号：CN200780040665.3
申请日：2007-10-26
发明人： P·罗卡艾卡巴罗卡斯 , P·布尔金 , D·戴纳卡 , T·H·道 , P·里波尔 , P·狄斯坎普 , T·科尔恩德米尔伦德尔
IPC分类号： C23C16/24 , H01J37/32 , C23C16/511 , H01L31/20
CPC分类号： C23C16/24 , C23C16/511 , H01J37/32192 , H01J37/32678 , H01L31/028 , H01L31/03762 , H01L31/03921 , H01L31/202 , Y02E10/547 , Y02E10/548 , Y02P70/521
摘要： 公开一种通过从等离子体沉积而在衬底(14)上形成无定形材料膜、例如无定形硅膜的方法。将衬底放在具有限定容积的罩壳中，通过管子(20)将膜前体气体例如硅烷引入罩壳内。通过出口(22)从罩壳内抽出未反应的和离解的气体以便在罩壳内提供低压力。将微波能量引入罩壳内的气体中，从而通过分布式电子回旋共振在其中产生等离子体，并使材料从等离子体沉积至衬底上。定义为前体气体流量除以分布式等离子体源的面积的归一化前体气体流量大于或等于700sccm/m2，而且定义为反应器容积除以有效前体气体泵吸速率的气体停留时间不大于30ms。
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公开(公告)号：CN101584020B
公开(公告)日：2011-01-05
申请号：CN200780040675.7
申请日：2007-10-26
发明人： P·罗卡艾卡巴罗卡斯 , P·布尔金 , D·戴纳卡 , P·里波尔 , P·狄斯坎普 , T·科尔恩德米尔伦德尔
IPC分类号： H01J37/32
CPC分类号： H01J37/32678 , C23C16/24 , C23C16/45523 , C23C16/45525 , C23C16/45542 , C23C16/511 , C23C16/515 , H01J37/32192
摘要： 本发明从等离子体向衬底上沉积无定形或微晶材料例如硅的膜的方法。以不连续微波脉冲的序列将微波能量引入腔室中，以不连续气体脉冲的序列将膜前体气体引入腔室中，且至少在每个微波脉冲期间，将用于产生原子氢的气体供入腔室中。每个微波脉冲以非重叠形式跟随有前体气体脉冲，且每个前体气体脉冲之后是其间既没有微波脉冲又没有前体气体脉冲的时段。
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公开(公告)号：CN101578388B
公开(公告)日：2013-01-02
申请号：CN200780040737.4
申请日：2007-10-26
发明人： P·罗卡艾卡巴罗卡斯 , P·布尔金 , D·戴纳卡 , P·里波尔 , P·狄斯坎普 , T·科尔恩德米尔伦德尔
IPC分类号： C23C16/24 , C23C16/511 , H01J37/32 , H01L31/20
CPC分类号： C23C16/511 , C23C16/24 , C23C16/45523 , H01J37/32192 , H01J37/32678 , H01L31/20
摘要： 描述了一种通过从等离子体沉积而在衬底(14)上形成无定形材料膜的方法。将衬底(14)放在罩壳中，通过管子(20)将膜前体气体引入罩壳内，并通过管子(22)从罩壳内抽出未反应的和离解的气体以便在其中提供低压力。以给定频率和功率水平的脉冲序列将微波能量引入罩壳内的气体中，从而通过分布式电子回旋共振(DECR)在其中产生等离子体并使材料从等离子体沉积至衬底上。在材料的沉积过程中改变所述频率和/或功率水平，以便使带隙在沉积材料的厚度上变化。
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公开(公告)号：CN101578683B
公开(公告)日：2012-11-07
申请号：CN200780040785.3
申请日：2007-10-26
发明人： P·罗卡艾卡巴罗卡斯 , P·布尔金 , D·戴纳卡 , P·里波尔 , P·狄斯坎普 , T·科尔恩德米尔伦德尔
IPC分类号： H01J37/32
CPC分类号： H01J37/32678 , C23C16/24 , C23C16/511 , H01J37/32192 , H05H1/46
摘要： 公开一种从等离子体在衬底上沉积膜的设备。该设备包含罩壳，设置在该罩壳内的多个等离子体发生器单元以及同样在该罩壳内的用于支撑衬底的装置。每个等离子体发生器单元包含具有发射微波的末端的微波天线，设置在所述天线末端的区域中而且与其一起限定出电子回旋共振区域的磁体，在该电子回旋共振区域中可以生成等离子体，以及具有膜前体气体或等离子体气体出口的进气单元。设置该出口以使气体朝向从微波天线来看位于磁体之外的膜沉积区域，该出口位于位于热电子约束包络体之中或之上。
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公开(公告)号：CN101681784A
公开(公告)日：2010-03-24
申请号：CN200780040795.7
申请日：2007-10-26
发明人： P·罗卡艾卡巴罗卡斯 , P·布尔金 , D·戴纳卡 , P·里波尔 , P·狄斯坎普 , T·科尔恩德米尔伦德尔
IPC分类号： H01J37/32
CPC分类号： C23C16/45523 , C23C16/24 , C23C16/511 , H01J37/32192 , H01J37/32678 , H01L31/03762 , H01L31/065 , H01L31/076 , H01L31/202 , Y02E10/548 , Y02P70/521
摘要： 描述一种通过从等离子体沉积而在衬底上形成无定形材料膜的方法。将衬底放在罩壳中，将膜前体气体引入罩壳内，并从罩壳内抽出未反应的和离解的气体以便在其中提供低压力。将微波能量引入罩壳内的气体中，从而通过分布式电子回旋共振(DECR)在其中产生等离子体并使材料从等离子体沉积至衬底上。在材料的沉积过程中改变所述膜前体气体流量，以便使带隙在沉积材料的厚度上变化。
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公开(公告)号：CN101584256A
公开(公告)日：2009-11-18
申请号：CN200780040706.9
申请日：2007-10-26
发明人： P·罗卡艾卡巴罗卡斯 , P·布尔金 , D·戴纳卡 , P·里波尔 , P·狄斯坎普 , T·科尔恩德米尔伦德尔
CPC分类号： H05H1/46 , H01J37/32192 , H01J37/32366 , H01J37/32678
摘要： 描述一种等离子体激发装置，其用于从分布式电子回旋共振所形成的等离子体在衬底上沉积膜。该装置包含具有发射微波的末端的微波天线，设置在所述天线末端的区域中而且与其一起限定出在其中可以生成等离子体的电子回旋共振区域的磁体，以及具有膜前体气体或等离子体气体出口的进气单元。设置该出口以引导气体朝向从微波天线来看位于磁体之外的膜沉积区域。
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公开(公告)号：CN101584256B
公开(公告)日：2012-08-01
申请号：CN200780040706.9
申请日：2007-10-26
发明人： P·罗卡艾卡巴罗卡斯 , P·布尔金 , D·戴纳卡 , P·里波尔 , P·狄斯坎普 , T·科尔恩德米尔伦德尔
CPC分类号： H05H1/46 , H01J37/32192 , H01J37/32366 , H01J37/32678
摘要： 描述一种等离子体激发装置，其用于从分布式电子回旋共振所形成的等离子体在衬底上沉积膜。该装置包含具有发射微波的末端的微波天线，设置在所述天线末端的区域中而且与其一起限定出在其中可以生成等离子体的电子回旋共振区域的磁体，以及具有膜前体气体或等离子体气体出口的进气单元。设置该出口以引导气体朝向从微波天线来看位于磁体之外的膜沉积区域。
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