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公开(公告)号：CN114426435B
公开(公告)日：2023-03-14
申请号：CN202010966967.0
申请日：2020-09-15
申请人： 青岛大学 , 中国科学院金属研究所 , 中国海洋大学
摘要： 本发明涉及三元层状陶瓷钛硅碳及其固溶体与铁素体不锈钢直接扩散连接方法，步骤为：将三元层状陶瓷与铁素体不锈钢的待连接表面用金相砂纸逐级磨光，再用金刚石研磨膏抛光；将Ti3SiC2陶瓷与SUS430不锈钢的大表面相接触排列，并在样品侧面焊接测温铂丝，将焊接后的样品进行扩散连接；连接实验完成后，降温撤压，得到扩散连接接头。采用本发明所提供方法获得的接头界面结合好，连接温度低，具有良好的使用性能和力学性能，界面生成连续的反应层，没有明显的裂纹、气孔等焊接缺陷，能解决合金连接体Cr挥发问题，减少陶瓷连接体制备和加工费用，扩大了三元层状陶瓷Ti3SiC2及其固溶体材料的应用范围。
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公开(公告)号：CN114180983B
公开(公告)日：2022-09-06
申请号：CN202010968610.6
申请日：2020-09-15
申请人： 中国科学院金属研究所 , 青岛大学 , 中国海洋大学
摘要： 本发明涉及基于Zn箔中间层的三元层状陶瓷钛硅碳及其固溶体与铁素体不锈钢的扩散连接方法，步骤为：将三元层状陶瓷与铁素体不锈钢的待连接表面用金相砂纸逐级磨光，再用金刚石研磨膏抛光；Zn箔清洗清除掉表面油污等杂质；按照三元层状陶瓷/Zn箔/铁素体不锈钢的顺序排列，并在样品侧面焊接测温铂丝，将焊接后的样品进行扩散连接；连接实验完成后，降温撤压，得到扩散连接接头。采用本发明所提供方法获得的接头界面结合好，连接温度低，具有良好的使用性能和力学性能，界面生成连续的反应层，没有裂纹、气孔等焊接缺陷，能解决合金连接体Cr挥发问题，减少陶瓷连接体制备和加工费用，扩大了三元层状陶瓷Ti3SiC2及其固溶体材料的应用范围。
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公开(公告)号：CN114180983A
公开(公告)日：2022-03-15
申请号：CN202010968610.6
申请日：2020-09-15
申请人： 中国科学院金属研究所 , 青岛大学 , 中国海洋大学
IPC分类号： C04B37/02
摘要： 本发明涉及基于Zn箔中间层的三元层状陶瓷钛硅碳及其固溶体与铁素体不锈钢的扩散连接方法，步骤为：将三元层状陶瓷与铁素体不锈钢的待连接表面用金相砂纸逐级磨光，再用金刚石研磨膏抛光；Zn箔清洗清除掉表面油污等杂质；按照三元层状陶瓷/Zn箔/铁素体不锈钢的顺序排列，并在样品侧面焊接测温铂丝，将焊接后的样品进行扩散连接；连接实验完成后，降温撤压，得到扩散连接接头。采用本发明所提供方法获得的接头界面结合好，连接温度低，具有良好的使用性能和力学性能，界面生成连续的反应层，没有裂纹、气孔等焊接缺陷，能解决合金连接体Cr挥发问题，减少陶瓷连接体制备和加工费用，扩大了三元层状陶瓷Ti3SiC2及其固溶体材料的应用范围。
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公开(公告)号：CN114180982A
公开(公告)日：2022-03-15
申请号：CN202010966980.6
申请日：2020-09-15
申请人： 青岛大学 , 中国科学院金属研究所 , 中国海洋大学
IPC分类号： C04B37/02
摘要： 本发明涉及基于Al箔中间层的三元层状陶瓷钛硅碳及其固溶体与铁素体不锈钢的扩散连接方法，步骤为：将三元层状陶瓷与铁素体不锈钢的待连接表面用金相砂纸逐级磨光，再用金刚石研磨膏抛光；Al箔清除掉表面氧化膜；按照三元层状陶瓷/Al箔/铁素体不锈钢的顺序排列，并在样品侧面焊接测温铂丝，将焊接后的样品进行扩散连接；连接实验完成后，降温撤压，得到扩散连接接头。采用本发明所提供方法获得的接头界面结合好，连接温度低，具有良好的力学性能和使用性能，界面生成连续的反应层，没有裂纹、气孔等焊接缺陷，能解决合金连接体Cr挥发问题，减少陶瓷连接体制备和加工费用，扩大了三元层状陶瓷Ti3SiC2及其固溶体材料的应用范围。
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公开(公告)号：CN114180982B
公开(公告)日：2022-12-20
申请号：CN202010966980.6
申请日：2020-09-15
申请人： 青岛大学 , 中国科学院金属研究所 , 中国海洋大学
IPC分类号： C04B37/02
摘要： 本发明涉及基于Al箔中间层的三元层状陶瓷钛硅碳及其固溶体与铁素体不锈钢的扩散连接方法，步骤为：将三元层状陶瓷与铁素体不锈钢的待连接表面用金相砂纸逐级磨光，再用金刚石研磨膏抛光；Al箔清除掉表面氧化膜；按照三元层状陶瓷/Al箔/铁素体不锈钢的顺序排列，并在样品侧面焊接测温铂丝，将焊接后的样品进行扩散连接；连接实验完成后，降温撤压，得到扩散连接接头。采用本发明所提供方法获得的接头界面结合好，连接温度低，具有良好的力学性能和使用性能，界面生成连续的反应层，没有裂纹、气孔等焊接缺陷，能解决合金连接体Cr挥发问题，减少陶瓷连接体制备和加工费用，扩大了三元层状陶瓷Ti3SiC2及其固溶体材料的应用范围。
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公开(公告)号：CN112209729A
公开(公告)日：2021-01-12
申请号：CN202010966969.X
申请日：2020-09-15
申请人： 中国海洋大学 , 中国科学院金属研究所 , 青岛大学
摘要： 本发明涉及基于Ni箔中间层的三元层状陶瓷钛硅碳及其固溶体与铁素体不锈钢的扩散连接方法，步骤为：将三元层状陶瓷与铁素体不锈钢的待连接表面用金相砂纸逐级磨光，再用金刚石研磨膏抛光；Ni箔清洗清除掉表面油污等杂质；按照三元层状陶瓷/Ni箔/铁素体不锈钢的顺序排列，并在样品侧面焊接测温铂丝，将焊接后的样品进行扩散连接；连接实验完成后，降温撤压，得到扩散连接接头。采用本发明所提供方法获得的接头界面结合好，连接温度低，具有良好的使用性能和力学性能，界面生成连续的反应层，没有裂纹、气孔等焊接缺陷，能解决合金连接体Cr挥发问题，减少陶瓷连接体制备和加工费用，扩大了三元层状陶瓷Ti3SiC2及其固溶体材料的应用范围。
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公开(公告)号：CN112209729B
公开(公告)日：2022-08-02
申请号：CN202010966969.X
申请日：2020-09-15
申请人： 中国海洋大学 , 中国科学院金属研究所 , 青岛大学
摘要： 本发明涉及基于Ni箔中间层的三元层状陶瓷钛硅碳及其固溶体与铁素体不锈钢的扩散连接方法，步骤为：将三元层状陶瓷与铁素体不锈钢的待连接表面用金相砂纸逐级磨光，再用金刚石研磨膏抛光；Ni箔清洗清除掉表面油污等杂质；按照三元层状陶瓷/Ni箔/铁素体不锈钢的顺序排列，并在样品侧面焊接测温铂丝，将焊接后的样品进行扩散连接；连接实验完成后，降温撤压，得到扩散连接接头。采用本发明所提供方法获得的接头界面结合好，连接温度低，具有良好的使用性能和力学性能，界面生成连续的反应层，没有裂纹、气孔等焊接缺陷，能解决合金连接体Cr挥发问题，减少陶瓷连接体制备和加工费用，扩大了三元层状陶瓷Ti3SiC2及其固溶体材料的应用范围。
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公开(公告)号：CN114426435A
公开(公告)日：2022-05-03
申请号：CN202010966967.0
申请日：2020-09-15
申请人： 青岛大学 , 中国科学院金属研究所 , 中国海洋大学
摘要： 本发明涉及三元层状陶瓷钛硅碳及其固溶体与铁素体不锈钢直接扩散连接方法，步骤为：将三元层状陶瓷与铁素体不锈钢的待连接表面用金相砂纸逐级磨光，再用金刚石研磨膏抛光；将Ti3SiC2陶瓷与SUS430不锈钢的大表面相接触排列，并在样品侧面焊接测温铂丝，将焊接后的样品进行扩散连接；连接实验完成后，降温撤压，得到扩散连接接头。采用本发明所提供方法获得的接头界面结合好，连接温度低，具有良好的使用性能和力学性能，界面生成连续的反应层，没有明显的裂纹、气孔等焊接缺陷，能解决合金连接体Cr挥发问题，减少陶瓷连接体制备和加工费用，扩大了三元层状陶瓷Ti3SiC2及其固溶体材料的应用范围。
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公开(公告)号：CN118572081A
公开(公告)日：2024-08-30
申请号：CN202410773994.4
申请日：2024-06-17
申请人： 中国海洋大学
IPC分类号： H01M4/36 , H01M4/58 , H01M4/62 , H01M4/1397 , H01M4/136 , H01M10/054 , B82Y30/00
摘要： 本发明属于钠离子电池技术领域，公开了应用于钠离子电池的双碳限制型负极结构及制备方法。该制备方法将内液PMMA和外液PAN在不同的推速下纺丝形成纤维；将收集的纤维先进行预氧化处理，并在高温下的氮气气氛碳化，形成CNFs；将CNFs加入到去离子水中，超声分散，并加入SnCl4·5H2O和葡萄糖，搅拌均匀；在反应釜中水热，离心得到C‑SnO2@CNFs，烘干；然后将硫粉与C‑SnO2@CNFs分别置于管式炉上下游，在氩氢气氛下保温得到C‑SnS@CNFs。本发明有助于电解液的渗透，并且随着比表面积的增加可以促进高效的电化学动力学行为，同时也可以缓解Na+储存过程中的体积膨胀。
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公开(公告)号：CN113314706A
公开(公告)日：2021-08-27
申请号：CN202110622046.7
申请日：2021-06-04
申请人： 中国海洋大学
IPC分类号： H01M4/36 , H01M4/52 , H01M4/62 , H01M10/0525
摘要： 本发明适用于锂离子电池生产领域，提供了一种可应用于锂离子电池的一体化电极的制备方法，1）将清洗后的Cu75Zn25合金片放入真空管式炉中经过加热保温冷却，之后将样品清洗静置处理后获得纳米多孔铜；将Cu(NO3)2•6H2O和Co(NO3)2•3H2O溶解于异丙醇溶液中，得到粉色透明的溶液；2）将步骤1）中已经制备好的纳米多孔铜片浸入到水热釜的溶液中；将干燥后的样品放入真空管式炉中，加热保温冷却，获得CuCo2O4生长在多孔铜基底的样品；将C7H7SO3Na溶于去离子水和乙醇的混合溶液中，得到溶液A；然后取出吡咯单体置于上述溶液A中；在去离子水中溶解(NH4)2S2O8得到溶液B，将溶液A滴在CuCo2O4样品上，反应一段时间后滴加溶液B，清洗干燥后获得较高电导率的聚吡咯包覆的电极材料。
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