公开(公告)号：CN107075661B

公开(公告)日：2020-03-17

申请号：CN201580051781.X

申请日：2015-09-24

申请人： 韩国机械研究院

发明人： 朴圣奎 ,  尹政钦 ,  金东好 ,  赵炳镇 ,  权正大 ,  文彩愿

IPC分类号： C23C14/22 ,  C23C14/34 ,  C23C16/44 ,  G01J3/44 ,  G01N21/65 ,  B82Y30/00

摘要： 本发明涉及一种具有多个纳米间隙的基底及其制备方法，更具体地，本发明涉及一种具有高吸收且能够在宽范围内使用光源的多纳米间隙基底及其制备方法。

公开(公告)号：CN107949901A

公开(公告)日：2018-04-20

申请号：CN201680047856.1

申请日：2016-08-22

申请人： 株式会社世可 ,  韩国机械研究院

发明人： 金炫中 ,  金洪徹 ,  金正来 ,  崔炳景 ,  王弘来 ,  权雅贤 ,  申东贤 ,  李圣徒 ,  罗钟周 ,  权正大

IPC分类号： H01L21/3065 ,  H01L21/56 ,  H01L31/0216

CPC分类号： H01L21/3065 ,  H01L21/56 ,  H01L31/0216

摘要： 本发明涉及一种防反射表面的制造方法及形成防反射表面的基板，将通过反复控制等离子体干式蚀刻和无机物的沉积而形成的防反射结构层控制为各种结构，从而能够提高耐久性并确保优异的透光性及防反射效果，并且具有易清洁、耐污染性、耐划伤性等功能。

公开(公告)号：CN107075661A

公开(公告)日：2017-08-18

申请号：CN201580051781.X

申请日：2015-09-24

申请人： 韩国机械研究院

发明人： 朴圣奎 ,  尹政钦 ,  金东好 ,  赵炳镇 ,  权正大 ,  文彩愿

IPC分类号： C23C14/22 ,  C23C14/34 ,  C23C16/44 ,  G01J3/44 ,  G01N21/65 ,  B82Y30/00

摘要： 本发明涉及一种具有多个纳米间隙的基底及其制备方法，更具体地，本发明涉及一种具有高吸收且能够在宽范围内使用光源的多纳米间隙基底及其制备方法。

公开(公告)号：CN104160790A

公开(公告)日：2014-11-19

申请号：CN201280050231.2

申请日：2012-08-10

申请人： 韩国机械研究院

发明人： 南基锡 ,  权正大 ,  郑容秀 ,  李建焕 ,  尹政钦 ,  李性薰 ,  金东好 ,  姜宰煜 ,  朴圣奎 ,  金昌洙

IPC分类号： H05H1/34 ,  C23C16/50 ,  H01L21/205

CPC分类号： H01J37/32541 ,  C23C16/503 ,  C23C16/509 ,  H01J9/022 ,  H01J37/32559 ,  H01J37/32568 ,  H01J37/32825 ,  H01J2237/327 ,  H05H1/2406 ,  H05H2001/2431 ,  H05H2001/485 ,  H05H2001/486

摘要： 根据本发明实施例的等离子体发生器设置为通过防止等离子体到电弧的转变以近大气压的压力产生高密度和稳定的等离子体。该等离子体发生器包括用于设置基板的板状下电极；以及在板状下电极上的圆柱旋转电极，其中圆柱旋转电极包括导电主体和绝缘屏蔽层，导电主体连接到电源且包括在导电主体的外圆周表面上的多个毛细管单元；绝缘屏蔽层由绝缘材料或电介质材料制成，暴露多个毛细管单元的下表面，并且屏蔽其它部分。