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公开(公告)号:CN1983567A
公开(公告)日:2007-06-20
申请号:CN200610165854.0
申请日:2006-12-14
申请人: 韩国科学技术院
IPC分类号: H01L21/84 , H01L27/15 , H01L27/30 , H01L31/18 , H01L31/042
CPC分类号: B29D11/00 , H01L31/046 , H01L31/0463 , H01L31/0465 , H01L31/0468 , H01L31/188 , H01L31/202 , Y02E10/50 , Y02P70/521
摘要: 本发明涉及一种透视式集成太阳能电池及其制造方法,其步骤包括:冶成一个相分开并呈带状的第一导电材料并置于透明基底之上,以使第一导电材料包含一个预定空间以供光线可直接穿过该透明基底;冶成一太阳能电池(半导体)层,斜沉积第二导电材料并用该第二导电材料层作为掩膜蚀刻该太阳能电池层;按照本步骤就可以制成透视式集成太阳能电池。本发明还同时涉及其电池单元间电串联的方法,工艺简单,制作容易,成本低,具有广泛市场前景。
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公开(公告)号:CN1983568B
公开(公告)日:2011-11-23
申请号:CN200610165858.9
申请日:2006-12-14
申请人: 韩国科学技术院
IPC分类号: H01L21/84 , H01L27/15 , H01L27/30 , H01L31/18 , H01L31/042
CPC分类号: H01L31/1804 , H01L31/022466 , H01L31/046 , H01L31/0463 , H01L31/1884 , Y02E10/547 , Y02P70/521
摘要: 本发明一种集成薄膜太阳能电池及其制造方法。其方法主要包括在一基底上制造并成型一导电材料,以预定间距隔开,以使之彼此相分离;在合成基底上制成一太阳能电池(半导体)层;倾斜沉积第一透明导电材料于该太阳能电池层之上;然后用该第一透明导电材料作为掩膜蚀刻该太阳能电池层;倾斜沉积一第二透明导电材料于合成基底之上,然后使之通过第一透明导电材料与导电材料相电连。
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公开(公告)号:CN100536118C
公开(公告)日:2009-09-02
申请号:CN200610165854.0
申请日:2006-12-14
申请人: 韩国科学技术院
IPC分类号: H01L21/84 , H01L27/15 , H01L27/30 , H01L31/18 , H01L31/042
CPC分类号: B29D11/00 , H01L31/046 , H01L31/0463 , H01L31/0465 , H01L31/0468 , H01L31/188 , H01L31/202 , Y02E10/50 , Y02P70/521
摘要: 本发明涉及一种透视式集成太阳能电池及其制造方法,其步骤包括:冶成一个相分开并呈带状的第一导电材料并置于透明基底之上,以使第一导电材料包含一个预定空间以供光线可直接穿过该透明基底;冶成一太阳能电池(半导体)层,斜沉积第二导电材料并用该第二导电材料层作为掩膜蚀刻该太阳能电池层;按照本步骤就可以制成透视式集成太阳能电池。本发明还同时涉及其电池单元间电串联的方法,工艺简单,制作容易,成本低,具有广泛市场前景。
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公开(公告)号:CN1983568A
公开(公告)日:2007-06-20
申请号:CN200610165858.9
申请日:2006-12-14
申请人: 韩国科学技术院
IPC分类号: H01L21/84 , H01L27/15 , H01L27/30 , H01L31/18 , H01L31/042
CPC分类号: H01L31/1804 , H01L31/022466 , H01L31/046 , H01L31/0463 , H01L31/1884 , Y02E10/547 , Y02P70/521
摘要: 本发明一种集成薄膜太阳能电池及其制造方法。其方法主要包括在一基底上制造并成型一导电材料,以预定间距隔开,以使之彼此相分离;在合成基底上制成一太阳能电池(半导体)层;倾斜沉积第一透明导电材料于该太阳能电池层之上;然后用该第一透明导电材料作为掩膜蚀刻该太阳能电池层;倾斜沉积一第二透明导电材料于合成基底之上,然后使之通过第一透明导电材料与导电材料相电连。
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