太阳能电池制作方法
    2.
    发明公开

    公开(公告)号:CN108807600A

    公开(公告)日:2018-11-13

    申请号:CN201810751270.4

    申请日:2018-07-10

    IPC分类号: H01L31/18 H01L31/0463

    CPC分类号: H01L31/18 H01L31/0463

    摘要: 本发明提供的太阳能电池制作方法,涉及半导体技术领域。方法包括:对位于柔性基板的一面的电极层进行激光切割处理以得到多个间隔设置的背电极;对制作的高阻抗层、缓冲层和吸收层进行第一机械切割处理以形成多个间隔区域;对制作的低阻抗层、高阻抗层、缓冲层和吸收层进行第二机械切割处理以得到多个电池单元。在任意相邻两个电池单元中一个电池单元的低阻抗层通过对应的间隔区域与另一个电池单元的背电极接触设置,以使相邻两个电池单元串联连接。通过上述设置,可以改善通过现有技术制备的太阳能电池存在制造成本、使用寿命低的问题。

    太阳能电池
    3.
    发明授权

    公开(公告)号:CN105340083B

    公开(公告)日:2018-07-24

    申请号:CN201480035545.4

    申请日:2014-06-17

    发明人: 郑钟先

    IPC分类号: H01L31/0463

    摘要: 根据实施例的一种太阳能电池包括:支撑基板;在所述支撑基板上的背电极层;在所述背电极层上的光吸收层;在所述光吸收层上的缓冲层;在所述缓冲层上的前电极层;以及,被形成为穿过所述背电极层、所述光吸收层、所述缓冲层和所述前电极层的第四通孔,其中,所述第四通孔相对于所述支撑基板的顶表面倾斜。

    太阳能电池模块及其制造方法

    公开(公告)号:CN107689402A

    公开(公告)日:2018-02-13

    申请号:CN201710541346.6

    申请日:2017-07-05

    IPC分类号: H01L31/05 H01L31/18

    摘要: 本发明提供能够降低电阻损耗的太阳能电池模块及其制造方法。该太阳能电池模块具有基板、以及配置于基板上且相互串联连接的第1单元电池和第2单元电池;其中,第1单元电池和第2单元电池各自包括:配置于基板上的第1电极层、位于第1电极层上且包含第1金属原子的氧化物的第1半导体层、位于第1半导体层上的第2半导体层、以及位于第2半导体层上的第2电极层;第1单元电池的第2电极层的一部分位于将第1单元电池的第2半导体层和第2单元电池的第2半导体层分隔的沟槽内;第1单元电池的第2电极层经由第2单元电池的第1半导体层中俯视看来与沟槽重叠的第1部分而与第2单元电池的第1电极层电连接;第1部分包含与第1金属原子不同的第2金属原子,第1部分中的第2金属原子的原子数相对于所有金属原子的原子数的合计之比A比第1半导体层中除第1部分以外的第2部分的第2金属原子的原子数相对于所有金属原子的原子数的合计之比B更大。

    用于将薄膜器件划分成单独的单元的方法及设备

    公开(公告)号:CN103688361B

    公开(公告)日:2017-05-10

    申请号:CN201280035235.3

    申请日:2012-07-13

    发明人: A·N·布伦顿

    摘要: 一种用于将具有第一层、第二层和第三层的薄膜器件划分成单独的单元的方法以及装置,所述第一层为下电极层,所述第二层为活性层,所述第三层为上电极层,所有的所述层在所述器件的范围内连续,所述单独的单元串联地电气性互连。所述单元的划分和相邻单元之间的电气连接都通过加工头跨越所述器件的单个行程被执行。所述加工头的第一部分上的喷墨印刷头被使用以将不导电材料沉积到第一切口中。至少一个切口通过使用从所述加工头的第二部分朝第一层、第二层和第三层从所述器件的上侧指向的激光束来形成。所述薄膜器件可以是太阳能板、照明板或电池。

    用于制造集成薄膜太阳能电池的设备

    公开(公告)号:CN106165121A

    公开(公告)日:2016-11-23

    申请号:CN201480076639.6

    申请日:2014-12-31

    IPC分类号: H01L31/18 H01L31/0445

    摘要: 本发明提供一种用于制造集成薄膜太阳能电池的装置,其中多个单元电池在真空中彼此串联地电连接,所述装置包括:光电转换器成形处理室,其通过在衬底上发射光电转换材料而形成光电转换器,在衬底上,已经从在衬底中形成的多个沟槽中的每个内的一条基线到每个沟槽的底部,到与底部连续的一侧,并且到与一侧连续的衬底的突出表面形成第一导电层;以及第二导电层成形处理室,其从每个沟槽内的另一条基线到每个沟槽的底部,到与底部连续的另一侧,并且到与另一侧连续的衬底的突出表面形成第二导电层。光电转换器成形处理室和第二导电层成形处理室在真空中进行相应处理。