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    用于制造集成薄膜太阳能电池的设备
    3.
    发明公开
    用于制造集成薄膜太阳能电池的设备 无效

    公开(公告)号：CN106165121A

    公开(公告)日：2016-11-23

    申请号：CN201480076639.6

    申请日：2014-12-31

    申请人： 韩国科学技术院

    发明人： 林宏树 ,  全振完 ,  洪玧昊

    IPC分类号： H01L31/18 ,  H01L31/0445

    CPC分类号： H01L31/0463 ,  H01L31/046 ,  H01L31/0465 ,  H01L31/18 ,  Y02E10/50

    摘要： 本发明提供一种用于制造集成薄膜太阳能电池的装置，其中多个单元电池在真空中彼此串联地电连接，所述装置包括：光电转换器成形处理室，其通过在衬底上发射光电转换材料而形成光电转换器，在衬底上，已经从在衬底中形成的多个沟槽中的每个内的一条基线到每个沟槽的底部，到与底部连续的一侧，并且到与一侧连续的衬底的突出表面形成第一导电层；以及第二导电层成形处理室，其从每个沟槽内的另一条基线到每个沟槽的底部，到与底部连续的另一侧，并且到与另一侧连续的衬底的突出表面形成第二导电层。光电转换器成形处理室和第二导电层成形处理室在真空中进行相应处理。

    集成薄膜太阳能电池及其制造方法
    4.
    发明授权
    集成薄膜太阳能电池及其制造方法 失效

    公开(公告)号：CN101901853B

    公开(公告)日：2012-07-25

    申请号：CN201010183207.9

    申请日：2010-05-26

    申请人： 韩国铁钢株式会社 ,  韩国科学技术院

    发明人： 林宏树 ,  全振完

    IPC分类号： H01L31/18 ,  H01L31/05 ,  H01L31/0224

    CPC分类号： H01L31/0392 ,  H01L31/022425 ,  H01L31/035281 ,  H01L31/046 ,  H01L31/0465 ,  Y02E10/50

    摘要： 本发明提供集成薄膜太阳能电池及其制造方法，该方法包括以下步骤：准备沟槽按照间隔有一定距离的方式形成的基板；通过第一导电性物质在各个所述沟槽的部分底面和一个侧面上形成第一电极层；在没有形成所述第一电极层的沟槽的部分区域和所述第一电极层上形成太阳能电池层；倾斜释放出第二导电性物质并将其沉积在所述太阳能电池层上以形成第二电极层；对形成在所述沟槽上的太阳能电池层进行蚀刻，以使所述第一电极层暴露；通过倾斜释放出第三导电性物质并将其沉积在所述第二电极层上的方式形成导电层，以使所述暴露的第一电极层和所述第二电极层电连接。

    物质图形、模具、金属薄膜图形及金属图形的形成方法
    5.
    发明授权
    物质图形、模具、金属薄膜图形及金属图形的形成方法 有权

    公开(公告)号：CN101281365B

    公开(公告)日：2012-07-25

    申请号：CN200810091611.6

    申请日：2008-04-04

    申请人： 韩国科学技术院

    发明人： 全振完 ,  尹浚宝 ,  林宏树

    IPC分类号： G03F7/00 ,  G03F7/004 ,  G03F1/00 ,  G03F1/62

    CPC分类号： C09K19/544 ,  Y10T428/24802

    摘要： 本发明涉及一种物质图形、使用该物质图形的模具、金属薄膜图形、金属图形及其形成方法，本发明物质图形形成方法包括：步骤(a)，在基板上涂布感光性物质并形成感光性物质薄膜；步骤(b)，在所述感光性薄膜上确定曝光区域；步骤(c)，在曝光到所述感光性物质薄膜的光的传输路径上，放置光折射膜和光扩散膜；步骤(d)，将通过所述光折射膜和所述光扩散膜的光照射到所述感光性物质薄膜的所述曝光区域并形成物质图形。通过本发明的物质图形形成方法，可以更容易地形成具有各种倾斜度及形状的三维非对称结构的物质图形，并且进一步通过该物质图形形成模具、金属薄膜图形和金属图形。

    集成薄膜太阳能电池及其制造方法、及集成薄膜太阳能电池的透明电极的处理方法及其结构、及具有处理过的透明电极的透明基板
    6.
    发明公开
    集成薄膜太阳能电池及其制造方法、及集成薄膜太阳能电池的透明电极的处理方法及其结构、及具有处理过的透明电极的透明基板 失效

    公开(公告)号：CN101142690A

    公开(公告)日：2008-03-12

    申请号：CN200680008251.8

    申请日：2006-03-16

    申请人： 韩国科学技术院

    发明人： 林宏树 ,  权圣源 ,  郭中焕 ,  朴相一 ,  尹浚宝 ,  文建又

    IPC分类号： H01L31/042

    CPC分类号： Y02E10/50 ,  Y02P70/521

    摘要： 本发明涉及集成薄膜太阳能电池，尤其涉及最小化制造过程所引起的集成太阳能电池的损耗并可通过低成本工序获得的集成薄膜太阳能电池，以及制造该太阳能电池的方法，用于集成薄膜太阳能电池的透明电极的处理方法，其通过最小化集成薄膜太阳能电池的单元电池之间(绝缘)间隙能够加宽有效区域并减少制造成本，以及透明电极的结构，以及具有透明电极的透明基板。制造集成薄膜太阳能电池的方法包括以下步骤：(a)单独在透明基板上形成透明电极图案；(b)在步骤(a)的基板上形成太阳能电池(半导体)层；(c)通过在太阳能电池(半导体)层上倾斜沉积导电材料形成第一后电极；(d)通过将第一后电极作为掩模蚀刻太阳能电池(半导体)层；和(e)通过在步骤(d)的基板上倾斜沉积金属形成第二后电极以使透明电极和第一后电极电连接。

    光电装置及其制造方法
    10.
    发明公开
    光电装置及其制造方法 无效

    公开(公告)号：CN102024871A

    公开(公告)日：2011-04-20

    申请号：CN201010247229.7

    申请日：2010-08-06

    申请人： 韩国铁钢株式会社 ,  韩国科学技术院

    发明人： 林宏树 ,  全振完

    IPC分类号： H01L31/18 ,  H01L31/042 ,  H01L31/0224

    CPC分类号： H01L31/03923 ,  H01L31/022425 ,  H01L31/0392 ,  H01L31/03925 ,  H01L31/0463 ,  H01L31/0465 ,  H01L31/076 ,  Y02E10/541 ,  Y02E10/548 ,  Y02P70/521

    摘要： 本发明提供光电装置的制造方法，包括以下步骤：准备形成有沟槽的基板；在沟槽之间区域形成第一电极层和辅助电极层，其中，辅助电极层与第一电极层的部分区域相接触并位于第一电极层的上或下部，且其电阻小于第一电极层电阻；在第一电极层或辅助电极层上形成光电转换层；将第二导电性物质倾斜沉积在光电转换层上以形成第二电极层；对形成于沟槽内部的光电转换层进行蚀刻以使第一电极层或辅助电极层暴露；将第三导电性物质倾斜沉积在第二电极层上以形成导电层，以使第一电极层或辅助电极层与第二电极层在沟槽内部相电连接，其中，第一电极层或辅助电极层形成于所述区域中通过光产生电的一个区域，而第二电极层形成于通过光产生电的另一个区域。