公开(公告)号：CN102986033A

公开(公告)日：2013-03-20

申请号：CN201180034492.0

申请日：2011-07-08

申请人： 飞兆半导体公司

发明人： 贝内德托·博诺 ,  马丁·多梅杰

IPC分类号： H01L29/732 ,  H01L21/04 ,  H01L29/10 ,  H01L29/16

CPC分类号： H01L29/66068 ,  H01L29/1004 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/73 ,  H01L29/732

摘要： 本发明涉及一种制造碳化硅（SiC）双极结晶体管（BJT）的方法以及一种SiC BJT。SiC BJT（100）包括集电极区域（120）、基极区域（140）、以及发射极区域（160）。本发明的方法包括以下步骤：提供设置在基极发射极结与用于电接触所述基极区域的接触带之间的半导体材料的中间区域（180），所述基极发射极结由基极区域（140）和发射极区域（160）构成。通过调节影响中间区域（180）内少数载流子的扩散电流的中间区域（180）的至少一个参数，确定集电极区域（120）内电导率调制的程度。