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公开(公告)号:CN103329004B
公开(公告)日:2017-07-28
申请号:CN201180065549.3
申请日:2011-01-21
Applicant: 飞思卡尔半导体公司
CPC classification number: G01S7/03 , G01S3/043 , G01S7/032 , G01S13/931 , G01S2007/2886 , G01S2007/358 , H01Q1/3233 , H01Q3/26
Abstract: 一种相控阵接收器包括多个模拟波束形成接收信道(602),每个包括被布置成接收射频信号的天线元件(610)和被布置成提供模拟信道输出信号的信道输出(628)。所述多个模拟波束形成接收信道中的至少一个包括同相下变频混合电路(614),同相下变频混合电路(614)被连接到所述天线元件和本地振荡器源(616)并且被布置成向相位旋转电路(612)提供同相下变频信号;以及正交下变频混合电路(620),正交下变频混合电路(620)被连接到所述天线元件和所述本地振荡器源并且被布置成向所述相位旋转电路提供下变频正交信号。所述相位旋转电路被布置成向所述信道输出提供从所述下变频同相信号和所述下变频正交信号生成的相移模拟输出信号。
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公开(公告)号:CN103081352B
公开(公告)日:2016-11-09
申请号:CN201080068792.6
申请日:2010-08-26
Applicant: 飞思卡尔半导体公司
CPC classification number: H02M7/53835 , H03B5/1209 , H03B5/1218 , H03B5/1231 , H03B5/124 , H03B5/1847 , H03B25/00 , H03B2200/007
Abstract: 本发明涉及双推振荡器电路,具有:第一振荡分支,带有第一有源器件和第一储能电路,适合于提供有基本频率f0的信号;第二振荡分支,与第一振荡分支对称,带有第二有源器件和第二储能电路并且适合于提供有基本频率f0的信号。输出分支耦合于第一振荡分支和第二振荡分支以基于具有基本频率f0的信号提供具有基本信号的二次谐振频率2f0的信号和/或以提供具有基本频率f0的信号。双推振荡器电路还包括至少一个端子分支,带有端子,适合于提供具有二次谐振频率2f0或基本频率f0的差分信号的分量。至少一个端子分支包括RF短截线,其包括对于具有二次谐振频率2f0或基本频率f0的信号的四分之一波长传输线和相应的电容器。
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公开(公告)号:CN103492900B
公开(公告)日:2016-09-21
申请号:CN201180070274.2
申请日:2011-04-20
Applicant: 飞思卡尔半导体公司
Inventor: 萨韦里奥·特罗塔
IPC: G01S7/03
CPC classification number: H01Q3/34 , G01S7/032 , G01S13/426 , G01S13/931 , G01S2013/9375 , H01Q1/3233 , H01Q3/00 , H01Q21/065
Abstract: 一种天线装置(1i)包括第一链(301)的至少两个天线组件(31i),其中天线组件(31i)中的每一个包括具有用于发射雷达波(22i)的一排天线补片(92)的发射天线(2i);以及具有用于接收雷达响应波(320)的一排天线补片(92)的接收天线(4i);其中所述接收天线(4i)的所述一排天线补片(92)与所述发射天线(2i)的所述一排天线补片(92)对齐。用于放大雷达信号(20)和用于接收雷达响应信号(320)的放大器和接收器电路(3i),所述放大器和接收器电路(3i)包括移相器(323)以用于移位所述雷达信号(20)的相位以被放大并用于同步移位所接收到的雷达响应信号(320)。雷达电路(310)包括第一链(301)的至少两个雷达组件(39i),其中雷达组件(39i)中的每一个包括:如上所述的放大器和接收器电路(3i);用于发射雷达波(20)的发射天线(2i);以及用于接收雷达响应波(320)的接收天线(4i)。
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公开(公告)号:CN103329004A
公开(公告)日:2013-09-25
申请号:CN201180065549.3
申请日:2011-01-21
Applicant: 飞思卡尔半导体公司
CPC classification number: G01S7/03 , G01S3/043 , G01S7/032 , G01S13/931 , G01S2007/2886 , G01S2007/358 , H01Q1/3233 , H01Q3/26
Abstract: 一种相控阵接收器包括多个模拟波束形成接收信道(602),每个包括被布置成接收射频信号的天线元件(610)和被布置成提供模拟信道输出信号的信道输出(628)。所述多个模拟波束形成接收信道中的至少一个包括同相下变频混合电路(614),同相下变频混合电路(614)被连接到所述天线元件和本地振荡器源(616)并且被布置成向相位旋转电路(612)提供同相下变频信号;以及正交下变频混合电路(620),正交下变频混合电路(620)被连接到所述天线元件和所述本地振荡器源并且被布置成向所述相位旋转电路提供下变频正交信号。所述相位旋转电路被布置成向所述信道输出提供从所述下变频同相信号和所述下变频正交信号生成的相移模拟输出信号。
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公开(公告)号:CN103765578B
公开(公告)日:2016-09-14
申请号:CN201180073114.3
申请日:2011-08-31
Applicant: 飞思卡尔半导体公司
CPC classification number: H01L23/66 , H01L23/49822 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L2223/6627 , H01L2223/6677 , H01L2224/131 , H01L2224/16225 , H01L2924/19032 , H01L2924/19051 , H01P3/003 , H01P5/10 , H01L2924/014
Abstract: 描述了包括衬底(6)和至少一个半导体管芯(26)的集成电路封装(10)。连接单元(8)可能在所述衬底(6)和所述半导体管芯(26)之间提供电连接。所述连接单元(8)包括导电层的堆叠和在彼此顶上的隔离层的堆叠。所述堆叠可能包括微带线和共面波导。所述微带线或共面波导可以是平衡‑不平衡变换器、功率分配器或定向耦合器的一部分。
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公开(公告)号:CN103492900A
公开(公告)日:2014-01-01
申请号:CN201180070274.2
申请日:2011-04-20
Applicant: 飞思卡尔半导体公司
Inventor: 萨韦里奥·特罗塔
IPC: G01S7/03
CPC classification number: H01Q3/34 , G01S7/032 , G01S13/426 , G01S13/931 , G01S2013/9375 , H01Q1/3233 , H01Q3/00 , H01Q21/065
Abstract: 一种天线装置(1i)包括第一链(301)的至少两个天线组件(31i),其中天线组件(31i)中的每一个包括具有用于发射雷达波(22i)的一排天线补片(92)的发射天线(2i);以及具有用于接收雷达响应波(320)的一排天线补片(92)的接收天线(4i);其中所述接收天线(4i)的所述一排天线补片(92)与所述发射天线(2i)的所述一排天线补片(92)对齐。用于放大雷达信号(20)和用于接收雷达响应信号(320)的放大器和接收器电路(3i),所述放大器和接收器电路(3i)包括移相器(323)以用于移位所述雷达信号(20)的相位以被放大并用于同步移位所接收到的雷达响应信号(320)。雷达电路(310)包括第一链(301)的至少两个雷达组件(39i),其中雷达组件(39i)中的每一个包括:如上所述的放大器和接收器电路(3i);用于发射雷达波(20)的发射天线(2i);以及用于接收雷达响应波(320)的接收天线(4i)。
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公开(公告)号:CN103081352A
公开(公告)日:2013-05-01
申请号:CN201080068792.6
申请日:2010-08-26
Applicant: 飞思卡尔半导体公司
CPC classification number: H02M7/53835 , H03B5/1209 , H03B5/1218 , H03B5/1231 , H03B5/124 , H03B5/1847 , H03B25/00 , H03B2200/007
Abstract: 本发明涉及双推振荡器电路(10),具有:第一振荡分支,带有第一有源器件(12)和第一储能电路(16、20),适合于提供有基本频率f0的信号;第二振荡分支,与第一振荡分支对称,带有第二有源器件(14)和第二储能电路(18、22)并且适合于提供有基本频率f0的信号。输出分支(24、28、50、60)耦合于第一振荡分支和第二振荡分支以基于具有基本频率f0的信号提供具有基本信号的二次谐振频率2f0的信号和/或以提供具有基本频率f0的信号。双推振荡器电路(10)还包括至少一个端子分支(36、58、68、78),带有端子(42、82、94、100),适合于提供具有二次谐振频率2f0或基本频率f0的差分信号的分量。至少一个端子分支(36、58、68、78)包括RF短截线(44、84),其包括对于具有二次谐振频率2f0或基本频率f0的信号的四分之一波长传输线(46、86、102、106)和相应的电容器(48、88、104、108)。本发明还涉及双推振荡器电路(10),具有输出分支(24、28、50、60),耦合于第一振荡分支和第二振荡分支以提供具有基本频率f0的信号。输出分支之一(50)包括两个耦合电感器(52、54)和带有第一基本频率端子(94)的第一基本频率分支(58),第一基本频率分支(58)与耦合电感器之一(54)串联耦合,两个耦合电感器通过第一连接点彼此串联耦合。另一条输出分支(60)包括两个耦合电感器(62、64)和带有第二基本频率端子(100)的第二基本频率分支(68),第二基本频率分支(68)与这个输出分支(6)的耦合电感器之一(54)串联耦合,并且这个输出分支(60)的两个耦合电感器(62、64)通过第二连接点彼此串联耦合。双推振荡器电路(10)适合于在第一和第二基本频率端子(94、100)处提供具有基本频率f0的差分信号。
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公开(公告)号:CN103026623B
公开(公告)日:2016-06-22
申请号:CN201080068259.X
申请日:2010-07-27
Applicant: 飞思卡尔半导体公司
Inventor: 萨韦里奥·特罗塔
CPC classification number: H03K3/00 , H03B19/14 , H03K3/011 , H03K3/2885
Abstract: 本发明涉及锁存器电路(10),包括:感测布置(12),其中一个或多个感测晶体管(T1、T2)适于感测输入信号(D、Dn)并且适于基于感测到的输入信号(D、Dn)来提供第一信号;以及感测布置开关器件(16),该感测布置开关器件(16)被连接或可连接到第一电流源(18),该感测布置开关器件(16)适于基于第一时钟信号(CLK)来接通或断开到一个或多个感测晶体管(T1、T2)的电流。该锁存器电路(10)还包括存储布置(14),其中一个或多个存储晶体管(T3、T4)适于存储第一信号并且适于基于第一信号来提供第二信号;以及存储布置开关器件(20),该存储布置开关器件(20)被连接或可连接到第一电流源(18)或第二电流源,该存储布置开关器件(20)适于基于第二时钟信号(CLKn)来接通或断开到存储晶体管(T3、T4)的电流,以及调谐布置(24),该调谐布置(24)被连接或可连接到温度传感器(106、108),该调谐布置(24)适于基于由温度传感器(106、108)提供的温度信号来偏置感测布置(12)和/或存储布置(14)的电流。本发明还涉及触发器电路,其中两个或多个锁存器电路和分频器(100)包括如所描述的至少一个锁存器电路(10)。
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公开(公告)号:CN104247259A
公开(公告)日:2014-12-24
申请号:CN201280072511.3
申请日:2012-04-20
Applicant: 飞思卡尔半导体公司
CPC classification number: H03B19/14 , H03F1/0205 , H03F3/45085 , H03F3/60 , H03F3/602 , H03F2200/423 , H03F2200/513 , H03F2200/543 , H03F2203/45612 , H03F2203/45652 , H03F2203/45668 , H03F2203/45702 , H03K23/667 , H03L7/00
Abstract: 本发明涉及用于将输入RF信号(312)划分为频分RF信号(316)的分频器电路(300)。该电路包括RF对(310)、与互阻抗放大器(302)串联耦合的开关-四对(306)和双对发射极跟随器(318)。电路(300)包括用于给RF对的第一放大器路径提供第一DC路径以及给开关-四对(306)和互阻抗放大器(302)的串联布置的第二放大器路径提供第二DC路径的耦合元件Rfc1..Rfc4、Z1、Z2、Z7、Z8。第一DC路径独立于第二DC路径。提供RF连接以耦合第一和第二放大器路径以将信号从第一放大器路径传输到第二放大器路径。
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公开(公告)号:CN103765578A
公开(公告)日:2014-04-30
申请号:CN201180073114.3
申请日:2011-08-31
Applicant: 飞思卡尔半导体公司
CPC classification number: H01L23/66 , H01L23/49822 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L2223/6627 , H01L2223/6677 , H01L2224/131 , H01L2224/16225 , H01L2924/19032 , H01L2924/19051 , H01P3/003 , H01P5/10 , H01L2924/014
Abstract: 描述了包括衬底(6)和至少一个半导体管芯(26)的集成电路封装(10)。连接单元(8)可能在所述衬底(6)和所述半导体管芯(26)之间提供电连接。所述连接单元(8)包括导电层的堆叠和在彼此顶上的隔离层的堆叠。所述堆叠可能包括微带线和共面波导。所述微带线或共面波导可以是平衡-不平衡变换器、功率分配器或定向耦合器的一部分。
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