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    混合跨导放大器
    2.
    发明公开
    混合跨导放大器 有权

    公开(公告)号：CN106031028A

    公开(公告)日：2016-10-12

    申请号：CN201580010334.X

    申请日：2015-02-26

    申请人： 美国亚德诺半导体公司

    发明人： B·吉尔伯特

    IPC分类号： H03F3/42 ,  H03F3/45 ,  H03F1/26

    CPC分类号： H03G3/007 ,  H03F1/26 ,  H03F3/04 ,  H03F3/45085 ,  H03F3/45089 ,  H03F2200/171 ,  H03F2200/261 ,  H03F2203/45392

    摘要： 混合跨导放大器具有包括第一和第二增益晶体管的至少一个增益级，电耦合到所述第一增益晶体管的至少一个第一负载晶体管和电耦合到所述第二增益晶体管的至少第二负载晶体管，和电耦合到负载晶体管的负载电阻。具有可选增益的混合跨导放大器具有包括至少第一和第二负载晶体管的第一混合跨导放大器单元，每个负载晶体管具有负载电阻器，具有至少具有第三、第四、第五和第六负载晶体管的至少一个附加的混合跨导放大器单元，每个负载晶体管具有负载电阻器，电耦合到放大器单元的至少两个开关以允许选择放大器单元中的一个，并具有相应于选择的放大器单元的增益的差分输出信号。

    带过压保护的差分放大器和方法
    4.
    发明授权
    带过压保护的差分放大器和方法 有权

    公开(公告)号：CN101553822B

    公开(公告)日：2014-06-04

    申请号：CN200780005276.7

    申请日：2007-02-13

    申请人： 德克萨斯仪器股份有限公司

    发明人： S·V·阿列宁 ,  H·苏提汗第

    IPC分类号： G06G7/12

    CPC分类号： H03F3/45085 ,  H03F1/52 ,  H03F1/523 ,  H03F3/45098 ,  H03F3/45278 ,  H03F2200/444

    摘要： 用于防止在限制转换操作过程中对集成电路放大器电路中的双极型晶体管造成伤害的电路包括第一晶体管(Q1或Q3)和第二晶体管(Q2或Q4)，每个晶体管都有第一、第二和第三电极，该第一晶体管的第一和第二电极中的第一电极被耦连成接收第一信号(Vin+或Vin++)，而该第二晶体管的第一和第二电极中的第一电极被耦连成接收第二信号(Vin-或Vin--)。第一分隔晶体管(J3)有与第一晶体管的第一和第二电极中的第一电极耦连的第一载流电极以及与第二晶体管的第一和第二电极中的第一电极耦连的第二载流电极；控制该第一分隔晶体管以便在响应第一和第二信号时电气隔离第一晶体管的第一和第二电极中的第一电极与第二晶体管的第一和第二电极中的第一电极，从而限制第一和第二晶体管中之一的PN结两端的反向偏置电压。

    偏置电路
    6.
    发明公开
    偏置电路 有权

    公开(公告)号：CN102843103A

    公开(公告)日：2012-12-26

    申请号：CN201210209701.7

    申请日：2012-06-20

    申请人： 半导体元件工业有限责任公司

    发明人： 盐田智基

    IPC分类号： H03F1/30 ,  H03F3/45

    CPC分类号： H03F3/45085 ,  H03F2200/447 ,  H03F2203/45622

    摘要： 本发明的偏置电路用于抑制动作晶体管的发射极电压的温度依赖性。将偏置电流Ib经由第一电阻R3、R4和第一晶体管Q7提供给动作晶体管Q8的基极。包括至少一个电流镜电路，与偏置电流Ib相应的对应电流Ib’流过第二晶体管Q3。第三晶体管Q2与第一晶体管共连基极，流过对应电流Ib’，第二电阻R2得到与上述第一电阻R3中的压降对应的压降。第四晶体管Q1在发射极侧接收基准电压Vref，基极与上述第三晶体管Q2的发射极侧相连接。通过第四晶体管Q1的1VBE来抵消动作晶体管Q8的1VBE，通过上述第三晶体管Q2的1VBE来抵消第二晶体管Q7的1VBE，由此在动作晶体管Q8的发射极侧设定基准电压Vref。

    高效率的单端转双端放大器
    8.
    发明公开
    高效率的单端转双端放大器 无效 复审申请

    公开(公告)号：CN101826847A

    公开(公告)日：2010-09-08

    申请号：CN201010002871.9

    申请日：2010-01-21

    申请人： 立积电子股份有限公司

    发明人： 陈志纬 ,  赵传珍 ,  王是琦

    IPC分类号： H03F3/45

    CPC分类号： H03F3/191 ,  H03F1/0261 ,  H03F3/45085 ,  H03F3/45098 ,  H03F2203/45166

    摘要： 本发明披露了一种高效率的单端转双端放大器。该高效率的单端转双端放大器具有一第一晶体管做为一第一放大级。一第二晶体管，一第三晶体管，一第一扼流圈，一第二扼流圈，以及一第一电容，形成一第二单端转双端放大级。该第一放大级接收且放大一输入讯号后，通过一耦合模块输出放大后的该讯号至该第二单端转双端放大级，并且同时通过一腔提供直流偏压电流给该第二单端转双端放大级。该第二单端转双端放大级重复使用该第一放大级的直流电流，放大该第一放大级的该输出讯号，以及转换该输出讯号成为一差动输出。

    带过压保护的差分放大器和方法
    9.
    发明公开
    带过压保护的差分放大器和方法 有权

    公开(公告)号：CN101553822A

    公开(公告)日：2009-10-07

    申请号：CN200780005276.7

    申请日：2007-02-13

    申请人： 德克萨斯仪器股份有限公司

    发明人： S·V·阿列宁 ,  H·苏提汗第

    IPC分类号： G06G7/12

    CPC分类号： H03F3/45085 ,  H03F1/52 ,  H03F1/523 ,  H03F3/45098 ,  H03F3/45278 ,  H03F2200/444

    摘要： 用于防止在限制转换操作过程中对集成电路放大器电路中的双极型晶体管造成伤害的电路包括第一晶体管(Q1或Q3)和第二晶体管(Q2或Q4)，每个晶体管都有第一、第二和第三电极，该第一晶体管的第一和第二电极中的第一电极被耦连成接收第一信号(Vin+或Vin++)，而该第二晶体管的第一和第二电极中的第一电极被耦连成接收第二信号(Vin－或Vin－－)。第一分隔晶体管(J3)有与第一晶体管的第一和第二电极中的第一电极耦连的第一载流电极以及与第二晶体管的第一和第二电极中的第一电极耦连的第二载流电极；控制该第一分隔晶体管以便在响应第一和第二信号时电气隔离第一晶体管的第一和第二电极中的第一电极与第二晶体管的第一和第二电极中的第一电极，从而限制第一和第二晶体管中之一的PN结两端的反向偏置电压。