公开(公告)号：CN103679067A

公开(公告)日：2014-03-26

申请号：CN201310411053.8

申请日：2013-09-11

Applicant: 飞思卡尔半导体公司

Inventor： R·S·斯考勒 ,  D·L·安德烈 ,  J·C·坎宁安

IPC: G06F21/80

CPC classification number: G06F21/6218 ,  G06F12/1466 ,  G06F12/1483 ,  G06F21/79

Abstract: 公开了用于非易失性存储器（NVM）系统内代码保护的方法和系统。存储在NVM存储器扇区内的信息，例如启动代码或其它代码块，通过使用写入在NVM系统内的一次编程存储器区域的锁定代码和锁定密钥被保护。此外，锁定代码被结合为可以被存储在合并的保护寄存器内的合并的锁定代码。合并的保护寄存器内被用于控制对受保护存储器扇区的访问。当存储器扇区被保护时，锁定代码/密钥对被写入一次编程区域。存储了锁定代码/密钥对的一次编程区域对外部用户来说是不可读的。一旦被保护，存储器扇区在没有锁定代码/密钥对的情况下不能被更新。

公开(公告)号：CN102549551A

公开(公告)日：2012-07-04

申请号：CN201080043387.9

申请日：2010-08-05

Applicant: 飞思卡尔半导体公司

Inventor： R·S·斯考勒 ,  D·L·安德烈 ,  S·F·麦金蒂

IPC: G06F12/02 ,  G06F13/16

CPC classification number: G06F12/0246 ,  G06F2212/7203 ,  G06F2212/7205

Abstract: 一种仿真电可擦除存储器系统(10)，包括随机存取存储器(RAM)(20)和非易失性存储器(NVM)(26)。接收对RAM的写访问，该写访问提供第一写数据和第一地址，其中所述第一数据存储在RAM中的所述第一地址处，并且NVM的当前正在填充的扇区(38)被更新，以便将所述第一写数据和所述第一地址存储为第一记录。响应所述写访问，基于在NVM的最早填充的扇区(30)中是否存在任何剩余的有效记录，执行擦除处理的一部分或者至多预定数量的有效记录从最早填充的扇区到当前正在填充的扇区的转移。有效记录的预定数量小于最早填充的扇区中可以存储的全部记录的最大数量。