公开(公告)号：CN104036823A

公开(公告)日：2014-09-10

申请号：CN201410079549.4

申请日：2014-03-06

Applicant: 飞思卡尔半导体公司

Inventor： R·S·斯考勒 ,  J·C·坎宁汉姆

IPC: G11C16/06 ,  G11C16/26 ,  G11C29/42

CPC classification number: G06F12/0246 ,  G06F11/006 ,  G06F11/1666 ,  G06F11/20 ,  G06F12/0238 ,  G06F2212/1032 ,  G06F2212/7202 ,  G11C16/349 ,  G11C29/785 ,  G11C29/82

Abstract: 本发明涉及用于非易失性存储器系统中的失效管理的对称数据复制。公开了用于非易失性存储器（NVM）系统（200）中的失效管理的多个数据子系统（232、234）内的数据的对称复制的系统及方法。所公开的实施例执行到多个不同数据块子系统（232、234）的对称写操作，以便创建复制子系统。由于子系统对称地操作，地址位置和指针对于每个子系统来说是相同。如果在一个子系统内的数据中检测到错误，则位于复制系统内的相同对称位置处的复制数据可以被使用。从而，NVM系统的耐久性和寿命被大大提高。因此这些延长寿命的NVM系统可以被用来例如仿真EEPROM（电可擦可编程只读存储器）系统。

公开(公告)号：CN104008020A

公开(公告)日：2014-08-27

申请号：CN201410049600.7

申请日：2014-02-13

Applicant: 飞思卡尔半导体公司

Inventor： R·S·斯考勒 ,  J·C·坎宁汉姆 ,  H·P·加斯奎特

IPC: G06F11/00

CPC classification number: G06F12/0246 ,  G06F2212/7209

Abstract: 本发明公开了一种用于追踪死扇区以自动搜索和誊写的鲁棒扇区ID方案。一种耐限电的EEPROM的仿真器（18）使用存储在每个扇区的扇区识别记录（45）中的多个扇区状态位（451）和前向/反向跳过标志（452、453）管理在易失性存储器（20）和非易失性存储器（24）处的存储器操作，以定义多个顺序地排列的多个状态指示器来指定用于每个存储器扇区的多个扇区配置状态，以及在前向誊写和反向搜索操作期间自动地绕过非易失性存储器阵列中的一个或多个死扇区。

公开(公告)号：CN102549551A

公开(公告)日：2012-07-04

申请号：CN201080043387.9

申请日：2010-08-05

Applicant: 飞思卡尔半导体公司

Inventor： R·S·斯考勒 ,  D·L·安德烈 ,  S·F·麦金蒂

IPC: G06F12/02 ,  G06F13/16

CPC classification number: G06F12/0246 ,  G06F2212/7203 ,  G06F2212/7205

Abstract: 一种仿真电可擦除存储器系统(10)，包括随机存取存储器(RAM)(20)和非易失性存储器(NVM)(26)。接收对RAM的写访问，该写访问提供第一写数据和第一地址，其中所述第一数据存储在RAM中的所述第一地址处，并且NVM的当前正在填充的扇区(38)被更新，以便将所述第一写数据和所述第一地址存储为第一记录。响应所述写访问，基于在NVM的最早填充的扇区(30)中是否存在任何剩余的有效记录，执行擦除处理的一部分或者至多预定数量的有效记录从最早填充的扇区到当前正在填充的扇区的转移。有效记录的预定数量小于最早填充的扇区中可以存储的全部记录的最大数量。

公开(公告)号：CN103679067A

公开(公告)日：2014-03-26

申请号：CN201310411053.8

申请日：2013-09-11

Applicant: 飞思卡尔半导体公司

Inventor： R·S·斯考勒 ,  D·L·安德烈 ,  J·C·坎宁安

IPC: G06F21/80

CPC classification number: G06F21/6218 ,  G06F12/1466 ,  G06F12/1483 ,  G06F21/79

Abstract: 公开了用于非易失性存储器（NVM）系统内代码保护的方法和系统。存储在NVM存储器扇区内的信息，例如启动代码或其它代码块，通过使用写入在NVM系统内的一次编程存储器区域的锁定代码和锁定密钥被保护。此外，锁定代码被结合为可以被存储在合并的保护寄存器内的合并的锁定代码。合并的保护寄存器内被用于控制对受保护存储器扇区的访问。当存储器扇区被保护时，锁定代码/密钥对被写入一次编程区域。存储了锁定代码/密钥对的一次编程区域对外部用户来说是不可读的。一旦被保护，存储器扇区在没有锁定代码/密钥对的情况下不能被更新。

公开(公告)号：CN103514953A

公开(公告)日：2014-01-15

申请号：CN201310247508.7

申请日：2013-06-21

Applicant: 飞思卡尔半导体公司

Inventor： R·S·斯考勒 ,  F·K·小巴克尔 ,  R·J·西兹代克

IPC: G11C16/14

CPC classification number: G06F12/0246 ,  G06F2212/7201 ,  G06F2212/7207

Abstract: 本发明涉及对存储在闪存中的数据有地址RAM的模拟电可擦存储器。存储器系统包括存储器控制器、耦合于所述存储器控制器的地址随机存取存储器（RAM）、以及耦合于所述存储器控制器的非易失性存储器。所述非易失性存储器有地址部分和数据部分。所述非易失性存储器的所述地址部分给所述存储器控制器提供了数据部分地址和有效数据的数据部分地址。所述存储器控制器加载所述数据部分地址并将其存储在有效数据的所述查找地址限定的位置处的地址RAM内。所述存储器控制器使用所述数据部分地址，以及所述地址RAM内的数据块的位置，以将所述数据块定位在所述非易失性存储器数据部分内。所述存储器控制器使用所述数据部分地址，以及所述地址RAM内的所述数据块地址的位置，以将所述数据块定位在所述非易失性存储器数据部分内。