公开(公告)号：CN103681473A

公开(公告)日：2014-03-26

申请号：CN201310410597.2

申请日：2013-09-11

Applicant: 飞思卡尔半导体公司

Inventor： M·B·文森特 ,  龚志伟(托尼) ,  S·M·海斯 ,  D·米切尔

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/485

CPC classification number: H01L21/76816 ,  H01L21/76814 ,  H01L23/485 ,  H01L23/525 ,  H01L23/528 ,  H01L24/19 ,  H01L24/96 ,  H01L2224/0231 ,  H01L2224/02375 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及具有沟槽通路的微电子封装及其制造方法。本发明提供包括至少一个沟槽通路(76)的微电子封装(50)的实施例，以及用于制造这样的微电子封装的方法的实施例。在一个实施例中，该方法包括在具有多个接触垫(58、60)的第一微电子器件(52)之上沉积介电层(74)的步骤，所述多个接触垫(58、60)被所述介电层覆盖。沟槽通路被形成于所述介电层内以通过所述沟槽通路暴露所述多个接触垫。所述沟槽通路被形成为包括在其中具有多个凹部的相对的细圆齿状侧壁(78)。然后，通过所述沟槽通路暴露出来的所述多个接触垫被溅射蚀刻。多个互连线(96)在所述介电层上形成，所述多个互连线的每一个电耦合到所述多个接触垫中的不同的一个。