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公开(公告)号:CN106847786B
公开(公告)日:2019-08-13
申请号:CN201611094799.0
申请日:2016-12-02
申请人: 英飞凌科技股份有限公司
IPC分类号: H01L23/52 , H01L23/48 , H01L23/495 , H01L21/768 , H01L21/48
CPC分类号: H01L23/481 , H01L21/561 , H01L21/568 , H01L21/78 , H01L23/3128 , H01L23/3157 , H01L23/49541 , H01L24/19 , H01L24/96 , H01L24/97 , H01L2224/04105 , H01L2224/12105 , H01L2224/16227 , H01L2224/18 , H01L2225/1035 , H01L2225/1041 , H01L2225/1058 , H01L2924/18162
摘要: 电子装置(710)包括半导体封装结构(770),半导体封装结构(770)具有第一主表面区域(772)和第二主表面区域(774)并包括半导体芯片(712)和连接器块(600),半导体芯片(712)包括位于第二主表面区域(774)内的至少一个芯片垫(714),连接器块(600)包括至少一个第一导电贯通连接部(602)和至少一个第二导电贯通连接部(604),至少一个第一导电贯通连接部(602)和至少一个第二导电贯通连接部(604)以不同的横截面积(A1,A2)在第一主表面区域(772)与第二主表面区域(774)之间延伸并与半导体芯片(712)并排布置。
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公开(公告)号:CN106449590B
公开(公告)日:2019-08-09
申请号:CN201610981072.8
申请日:2016-11-08
申请人: 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
IPC分类号: H01L23/52 , H01L23/522 , H01L23/528 , H01L23/488 , H01L21/768
CPC分类号: H01L21/568 , H01L23/3135 , H01L2224/04105 , H01L2224/12105 , H01L2224/16225 , H01L2224/19 , H01L2224/32145 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/73267 , H01L2224/92244 , H01L2224/97 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , H01L2924/00012 , H01L2924/00014
摘要: 本发明实施例公开了一种半导体存储模块及其制作方法,所述半导体存储模块包括自下而上依次堆叠的控制芯片组和至少两个存储芯片组,相邻的两个存储芯片组的第一重布线层通过层间导电柱电连接,控制芯片组的第二重布线层与相邻的存储芯片组通过区域间导电柱电连接,存储芯片组包括依次堆叠的至少两个存储芯片,和位于至少两个存储芯片下方的第一复合绝缘层,至少两个存储芯片的第一层内导电柱错开预设角度,以与第一重布线层电连接,控制芯片组包括控制芯片,和位于控制芯片下方的第二复合绝缘层,控制芯片的第二层内导电柱与第二重布线层电连接。综上,可以提高存储模块的存储能力和控制能力,减小存储模块尺寸,以及实现存储模块的晶圆级制造。
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公开(公告)号:CN105374786B
公开(公告)日:2019-08-09
申请号:CN201510504927.3
申请日:2015-08-17
申请人: ABB瑞士股份有限公司
IPC分类号: H01L23/495 , H01L23/12 , H01L25/00 , H05K1/18 , H05K3/30
CPC分类号: H01L23/49861 , H01L21/4821 , H01L21/4846 , H01L23/142 , H01L23/3675 , H01L23/492 , H01L23/49537 , H01L23/49562 , H01L23/5389 , H01L24/19 , H01L24/20 , H01L24/32 , H01L24/73 , H01L24/83 , H01L24/92 , H01L25/071 , H01L25/18 , H01L25/50 , H01L2224/04105 , H01L2224/12105 , H01L2224/24137 , H01L2224/32225 , H01L2224/32245 , H01L2224/73267 , H01L2224/8384 , H01L2224/92244 , H01L2924/13055 , H01L2924/13091 , H01L2924/15153 , H01L2924/00
摘要: 本公开内容描述了一种功率电子模块及其制造方法。该功率电子模块包括:导电引线框架,第一半导体器件的芯片嵌入在导电引线框架中;安装在导电引线框架和第一半导体器件的芯片之上的第一PCB;以及安装在所述PCB之上的支承框架,支承框架包括其中嵌入有第二半导体器件的芯片的腔,其中,第二半导体器件的芯片位于第一半导体器件的芯片之上,并且第一PCB包括在第一半导体器件的芯片与第二半导体器件的芯片之间的第一导电路径。
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公开(公告)号:CN107393900B
公开(公告)日:2019-07-26
申请号:CN201710668543.4
申请日:2017-08-08
申请人: 中国电子科技集团公司第五十八研究所
IPC分类号: H01L23/498 , H01L21/48
CPC分类号: H01L2224/04105 , H01L2224/19 , H01L2224/32225 , H01L2224/73267 , H01L2224/92244 , H01L2924/15153
摘要: 本发明涉及一种转接板结构,尤其是一种极多层布线的埋置型TSV转接板结构,属于集成电路封装的技术领域。按照本发明提供的技术方案,所述极多层布线的埋置型TSV转接板结构,包括转接板体;在所述转接板体内凹设有布线转接板槽,在所述布线转接板槽内设置布线转接板,在所述布线转接板上设置有极多层布线,布线转接板通过极多层布线与转接板体上表面的转接板上再布线层电连接,所述转接板上再布线层通过填充在转接板体内通孔的填充连接体与转接板体下表面的转接板下再布线层电连接,所述转接板下再布线层上设有若干焊球,所述焊球与转接板下再布线层电连接。本发明能有效增加布线层数,实现高密度的芯片级封装以及系统封装,安全可靠。
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公开(公告)号:CN106328603B
公开(公告)日:2019-07-05
申请号:CN201610003814.X
申请日:2016-01-04
申请人: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC分类号: H01L21/32 , G03F7/0387 , G03F7/039 , G03F7/0752 , G03F7/095 , G03F7/168 , G03F7/20 , G03F7/38 , H01L21/02282 , H01L21/0273 , H01L21/31127 , H01L21/56 , H01L21/568 , H01L21/76802 , H01L21/76825 , H01L24/19 , H01L24/20 , H01L24/97 , H01L2224/04105 , H01L2224/12105 , H01L2224/18 , H01L2224/94 , H01L2924/18162
摘要: 一些实施例涉及用于形成封装件结构的方法并且由此形成的封装件结构。实施例方法包括:在支撑结构上沉积感光介电层;在感光介电层的表面上形成第一层;将感光介电层暴露于辐射;以及在形成第一层和暴露于辐射之后,显影感光介电层。支撑结构包括集成电路管芯。在显影期间,第一层具有与感光介电层不同的去除选择性。根据一些实施例,在显影之后可以提高感光介电层的厚度均匀性,并且可以减少因显影感光介电层导致的厚度损失。本发明实施例涉及封装件结构及其形成方法。
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公开(公告)号:CN106876534B
公开(公告)日:2019-07-02
申请号:CN201710050570.5
申请日:2017-01-23
申请人: 陕西电子信息集团光电科技有限公司
CPC分类号: H01L21/568 , H01L2224/04105 , H01L2224/96
摘要: 本发明公开了一种倒装芯片级LED光源的封装方法,包括:在基板上设置一层薄膜;在薄膜上固定若干个具有一定间距的倒装芯片,芯片和电极底部与薄膜相粘贴;在带有网孔的载板上喷涂或刷涂一层脱模剂;固定好芯片的基板放置在带有网孔的载板下,将配制好的荧光胶注入填满载板的网孔中,烘烤固化后移除载板,UV解胶使薄膜与封装后的芯片CSP产品分离,即得单颗CSP产品。本发明工艺方法无需进行传统的切割工艺,减少了生产工序,提高了产品的生产效率及良品率,降低了设备投入成本。且封装的产品形状多样化,不受切割的影响。
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公开(公告)号:CN107134438B
公开(公告)日:2019-06-18
申请号:CN201710102855.9
申请日:2017-02-24
申请人: 商升特公司
CPC分类号: H01L24/94 , H01L21/561 , H01L21/565 , H01L21/568 , H01L21/6835 , H01L21/78 , H01L23/3107 , H01L23/3114 , H01L23/3185 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/06 , H01L24/96 , H01L2221/68327 , H01L2221/6834 , H01L2221/68381 , H01L2224/02371 , H01L2224/0331 , H01L2224/04105 , H01L2224/05026 , H01L2224/05548 , H01L2224/05561 , H01L2224/05562 , H01L2224/94 , H01L2224/96 , H01L2224/03
摘要: 本发明涉及半导体器件和在半导体管芯周围形成绝缘层的方法。一种半导体器件具有半导体晶片,该半导体晶片包括在该半导体晶片的第一表面上方形成的多个接触焊盘和多个半导体管芯。部分地穿过半导体晶片的第一表面形成沟槽。将绝缘材料设置在半导体晶片的第一表面上方和到沟槽中。在接触焊盘上方形成导电层。该导电层可以被印刷成在相邻的接触焊盘之间的沟槽中的绝缘材料上方延伸。将半导体晶片的与半导体晶片的第一表面相对的一部分移除,到沟槽中的绝缘材料。在半导体晶片的第二表面和半导体晶片的侧表面上方形成绝缘层。穿过第一沟槽中的绝缘材料而单体化半导体晶片,以分离半导体管芯。
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公开(公告)号:CN106783779B
公开(公告)日:2019-06-14
申请号:CN201611095553.5
申请日:2016-12-02
申请人: 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
发明人: 王祺翔
IPC分类号: H01L23/485 , H01L23/528 , H01L21/50
CPC分类号: H01L21/568 , H01L2224/04105 , H01L2224/19 , H01L2224/24137 , H01L2224/2518
摘要: 本发明公开了一种高堆叠扇出型系统级封装结构及其制作方法,所述封装结构包括:第一封装模块,包括自下而上依次堆叠的至少两个第一封装单元,上下相邻的第一封装单元的第一重布线层通过第一模块内连接件电连接,且至少一个第一封装单元的第一重布线层延伸至该第一封装模块至少一个侧面的边缘;第二封装模块,设置在第一封装模块的至少一侧,与第一封装模块相邻的第二封装单元的第二重布线层与延伸至边缘的第一重布线层通过模块间连接件电连接;柔性电路基板,通过对外连接件分别与第一封装模块中最下方的第一封装单元的第一重布线层,以及第二封装模块中第二封装单元的第二重布线层电连接。本发明使得封装结构器件间的平均距离缩小,互连更自由。
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公开(公告)号:CN105679682B
公开(公告)日:2019-02-12
申请号:CN201510885569.5
申请日:2015-12-03
申请人: 珠海越亚封装基板技术股份有限公司
IPC分类号: H01L21/48 , H01L23/495
CPC分类号: H05K1/183 , C23F1/02 , H01L21/486 , H01L23/3107 , H01L23/5389 , H01L24/00 , H01L2224/04105 , H01L2924/3511 , H05K1/0298 , H05K1/0373 , H05K1/09 , H05K1/115 , H05K1/185 , H05K3/0052
摘要: 一种由有机基质框架包围穿过该有机基质框架的插座限定的芯片插座阵列及其制造方法,所述芯片插座的特征是形状为矩形,具有光滑侧壁,拐角的曲率半径小于100微米,由此有利于每个插座与预定的芯片尺寸紧密匹配,能够实现紧凑芯片封装和微型化。
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公开(公告)号:CN106158772B
公开(公告)日:2018-12-18
申请号:CN201510140205.4
申请日:2015-03-27
申请人: 蔡亲佳
发明人: 蔡亲佳
IPC分类号: H01L23/31 , H01L21/60 , H01L21/56 , H01L27/146
CPC分类号: H01L21/568 , H01L2224/04105 , H01L2224/12105 , H01L2224/19 , H01L2224/48091 , H01L2224/73265 , H01L2924/1815 , H01L2924/00014
摘要: 本发明公开了一种板级嵌入式封装结构,包括:电路板;设于电路板内的、用以容置半导体芯片的开口或空腔;分别设置于电路板的第一、二表面的第一、二线路层,且第一、二线路层经贯穿电路板的导电通路电连接,第一、二线路层表面分别对应电路板的最高、最低表面;设于开口或空腔内的半导体芯片,该芯片经第二线路层与第一线路层电连接,且该芯片的I/O焊盘表面至少自第二线路层表面露出,并与电路板的最低表面处于同一平面;封装材料,用以覆盖电路板的第一表面、第一线路层及填充开口或空腔内未被芯片占据的空间。本发明还提供了制作该板级嵌入式封装结构的方法。藉由本发明可以大幅降低传感器的封装成本,减小封装体积,以及有效提升传感器的性能。
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