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公开(公告)号：CN110720144B
公开(公告)日：2024-07-02
申请号：CN201880037296.0
申请日：2018-09-27
Applicant: 首尔半导体株式会社
Abstract: 根据一实施例的发光元件包括：第一发光单元、第二发光单元以及第三发光单元，各自包括第一导电型半导体层、活性层以及第二导电型半导体层；垫，电连接于所述第一发光单元至第三发光单元，从而能够使所述第一发光单元至第三发光单元独立地驱动；第二波长转换器，变换从所述第二发光单元发出的光的波长；以及第三波长转换器，变换从所述第三发光单元发出的光的波长，其中，所述第三波长转换器将光的波长变换为比第二波长转换器变换的波长更长的长波长，所述第二发光单元具有比所述第一发光单元更大的面积，所述第三发光单元具有比所述第二发光单元更大的面积。
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公开(公告)号：CN111048544A
公开(公告)日：2020-04-21
申请号：CN201911308820.6
申请日：2018-12-05
Applicant: 首尔半导体株式会社
IPC: H01L27/15 , H01L21/683
Abstract: 本公开涉及一种发光装置的制造方法及发光装置。根据本公开的一实施例的发光装置的制造方法包括如下步骤：在第一临时基板上形成氮化镓系半导体层；在所述半导体层上形成电极部而制造发光元件；在所述发光元件上形成保护膜；向所述第一临时基板和所述半导体层之间的界面照射激光；去除所述保护膜；以及利用移送装置而向基板上移送所述发光元件。
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公开(公告)号：CN110121782A
公开(公告)日：2019-08-13
申请号：CN201880005518.0
申请日：2018-03-07
Applicant: 首尔半导体株式会社
Abstract: 本发明涉及一种显示装置及其制造方法，根据本发明的一实施例的包括发光二极管芯片的显示装置包括：发光结构体，包括第一导电型半导体层、第二导电型半导体层以及夹设于所述第一导电型半导体层和所述第二导电型半导体层之间的活性层；第二电极，与所述第二导电型半导体层电连接；绝缘部，布置为覆盖所述第二电极的部分上表面和所述发光结构体的侧表面；第二固定部，覆盖所述绝缘部的上部，与所述第二电极电连接，并且至少一部分向所述发光结构体的侧表面延伸。根据本发明，具有即使减少发光二极管芯片的发光面积从而被供应的电流的大小较小，也可以提高发光二极管芯片中流动的电流密度的效果。
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公开(公告)号：CN110010636B
公开(公告)日：2025-01-07
申请号：CN201811480431.7
申请日：2018-12-05
Applicant: 首尔半导体株式会社
IPC: H10H29/30
Abstract: 本公开涉及一种显示装置。根据本公开的一实施例的显示装置可以包括：面板基板；多个发光元件，排列在所述面板基板上；以及至少一个连接端部(tip)，布置于所述发光元件各自的一面上，其中，所述多个发光元件可以包括：发光结构体，包括第一导电型半导体层、第二导电型半导体层以及活性层，所述活性层夹设于所述第一导电型半导体层和第二导电型半导体层之间；以及第一电极焊盘和第二电极焊盘，布置于所述发光结构体上。
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公开(公告)号：CN111048656B
公开(公告)日：2024-06-14
申请号：CN201911265214.0
申请日：2018-09-04
Applicant: 首尔半导体株式会社
IPC: H01L33/62 , H01L33/48 , H01L25/075 , H01L25/16 , G09G3/32
Abstract: 本发明涉及一种显示装置及该显示装置的制造方法，根据本发明的一实施例的显示装置可以包括：相互分离的多个基底基板；像素，设置于所述基底基板的一面上；以及布线部，连接于所述像素，其中，所述布线部包括：信号布线，设置于所述基底基板上；以及连接部，设置于彼此邻近的基底基板的所述一面上，将所述信号布线相互连接，其中，至少一个所述基底基板设置为与其余所述基底基板的面积互不相同。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111162099A
公开(公告)日：2020-05-15
申请号：CN201911354437.4
申请日：2018-09-27
Applicant: 首尔半导体株式会社
Abstract: 根据一实施例的显示装置，包括：基板；第一发光单元、第二发光单元以及第三发光单元，提供于所述基板上，并射出红光、绿光以及蓝光；以及阻隔壁，分别提供于所述第一发光单元至所述第三发光单元之间，并且使所述光不能透过，其中，所述第一发光单元至所述第三发光单元的高度比所述阻隔壁的高度低，所述阻隔壁和所述第一发光单元至所述第三发光单元之间的距离是10μm至20μm。
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公开(公告)号：CN111029453A
公开(公告)日：2020-04-17
申请号：CN201911264335.3
申请日：2018-09-04
Applicant: 首尔半导体株式会社
IPC: H01L33/48 , H01L33/58 , H01L33/60 , H01L33/62 , H01L25/075
Abstract: 本发明涉及一种发光装置、该发光装置的制造方法及显示装置，根据本发明的一实施例的发光装置可以包括：基底基板；以及至少一个像素单元，设置为封装件形态而贴装于所述基底基板上，其中，所述像素单元包括：连接电极，将第一导电性粘结层置于中间而设置在所述基底基板；非透光层，设置于所述连接电极上；以及发光元件，设置于所述非透光层上。
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公开(公告)号：CN111048544B
公开(公告)日：2025-05-02
申请号：CN201911308820.6
申请日：2018-12-05
Applicant: 首尔半导体株式会社
IPC: H10H29/49 , H10H29/03 , H01L21/683
Abstract: 本公开涉及一种发光装置的制造方法及发光装置。根据本公开的一实施例的发光装置的制造方法包括如下步骤：在第一临时基板上形成氮化镓系半导体层；在所述半导体层上形成电极部而制造发光元件；在所述发光元件上形成保护膜；向所述第一临时基板和所述半导体层之间的界面照射激光；去除所述保护膜；以及利用移送装置而向基板上移送所述发光元件。
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公开(公告)号：CN109219886B
公开(公告)日：2023-05-05
申请号：CN201780034070.0
申请日：2017-03-31
Applicant: 首尔半导体株式会社
Abstract: 本发明涉及一种显示装置及其制造方法，本发明提供一种显示装置，包括：第一基板，包括有规律地布置的多个发光二极管；第二基板，包括薄膜晶体管面板部，所述薄膜晶体管面板部包括驱动所述多个发光二极管的多个薄膜晶体管；以及第三基板，包括使从所述第一基板发出的光变换的光变换部，其中，所述第一基板及第二基板以彼此的一面相面对的方式结合，各个所述发光二极管与各个薄膜晶体管电连接，所述第一基板及第三基板以彼此的一面相面对的方式结合，从所述多个发光二极管发出的光通过所述光变换部而发出蓝色光、绿色光及红色光中的任意一种以上。
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公开(公告)号：CN111092096B
公开(公告)日：2025-05-02
申请号：CN201911273979.9
申请日：2018-12-05
Applicant: 首尔半导体株式会社
Abstract: 本公开涉及一种发光装置。根据本公开的一实施例的显示装置可以包括：基板；像素，提供于所述基板上，所述像素包括：光通过层，提供于所述基板上，并且具有上表面和侧面；发光元件，提供于所述光通过层的上表面；绝缘膜，覆盖所述发光元件和所述光通过层的上表面和侧面；以及端子部，提供于所述绝缘膜上，并与所述发光元件电连接。
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