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公开(公告)号：CN110176488A
公开(公告)日：2019-08-27
申请号：CN201910123704.0
申请日：2019-02-19
申请人： 马克西姆综合产品公司
IPC分类号： H01L29/06 , H01L21/336 , H01L29/78
摘要： 一种包括击穿电压钳位的横向双扩散金属氧化物半导体(LDMOS)晶体管包括：漏极n+区；源极n+区；栅极；以及p型减小表面场(PRSF)层，该PRSF层包括一个或多个桥接部分。该一个或多个桥接部分中的每一个在厚度方向上在该漏极n+区下方延伸。另一LDMOS晶体管包括：漏极n+区；源极n+区；栅极；n型减小表面场(NRSF)层，在横向方向上布置在该源极n+区与该漏极n+区之间；PRSF层，在与该横向方向正交的厚度方向上布置在该NRSF层下方；以及p型埋层(PBL)，在该厚度方向上布置在该PRSF层下方。该漏极n+区在该厚度方向上布置在该PBL之上。
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公开(公告)号：CN110176454B
公开(公告)日：2022-06-28
申请号：CN201910123703.6
申请日：2019-02-19
申请人： 马克西姆综合产品公司
IPC分类号： H01L27/088 , H01L29/78
摘要： 一种多晶体管器件包括共享第一p型降低表面场(RESURF)层和第一漏极n+区的第一和第二横向双扩散金属氧化物半导体场效应(LDMOS)晶体管。在某些实施例中，所述第一LDMOS晶体管包括第一漂移区，所述第二LDMOS晶体管包括第二漂移区，并且所述第一和第二漂移区在厚度方向上至少部分地被所述第一p型RESURF层分离开。
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公开(公告)号：CN112993039A
公开(公告)日：2021-06-18
申请号：CN202110156670.2
申请日：2017-05-23
申请人： 马克西姆综合产品公司
IPC分类号： H01L29/78 , H01L29/06 , H01L29/423
摘要： 一种横向双扩散金属氧化物半导体场效应(LDMOS)晶体管包括硅半导体结构；第一栅极结构和第二栅极结构和沟槽电介质层。第一栅极结构和第二栅极结构设置在硅半导体结构上并且在横向方向上彼此分离。沟槽电介质层设置在硅半导体结构中的沟槽中，并且在正交于横向方向的厚度方向上至少部分地在第一栅极结构和第二栅极结构中的每一个下方延伸。
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公开(公告)号：CN110176454A
公开(公告)日：2019-08-27
申请号：CN201910123703.6
申请日：2019-02-19
申请人： 马克西姆综合产品公司
IPC分类号： H01L27/088 , H01L29/78
摘要： 一种多晶体管器件包括共享第一p型降低表面场(RESURF)层和第一漏极n+区的第一和第二横向双扩散金属氧化物半导体场效应(LDMOS)晶体管。在某些实施例中，所述第一LDMOS晶体管包括第一漂移区，所述第二LDMOS晶体管包括第二漂移区，并且所述第一和第二漂移区在厚度方向上至少部分地被所述第一p型RESURF层分离开。
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公开(公告)号：CN110176488B
公开(公告)日：2024-07-16
申请号：CN201910123704.0
申请日：2019-02-19
申请人： 马克西姆综合产品公司
IPC分类号： H01L29/06 , H01L21/336 , H01L29/78
摘要： 一种包括击穿电压钳位的横向双扩散金属氧化物半导体(LDMOS)晶体管包括：漏极n+区；源极n+区；栅极；以及p型减小表面场(PRSF)层，该PRSF层包括一个或多个桥接部分。该一个或多个桥接部分中的每一个在厚度方向上在该漏极n+区下方延伸。另一LDMOS晶体管包括：漏极n+区；源极n+区；栅极；n型减小表面场(NRSF)层，在横向方向上布置在该源极n+区与该漏极n+区之间；PRSF层，在与该横向方向正交的厚度方向上布置在该NRSF层下方；以及p型埋层(PBL)，在该厚度方向上布置在该PRSF层下方。该漏极n+区在该厚度方向上布置在该PBL之上。
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公开(公告)号：CN112993039B
公开(公告)日：2024-04-05
申请号：CN202110156670.2
申请日：2017-05-23
申请人： 马克西姆综合产品公司
IPC分类号： H01L29/78 , H01L29/06 , H01L29/423
摘要： 一种横向双扩散金属氧化物半导体场效应(LDMOS)晶体管包括硅半导体结构；第一栅极结构和第二栅极结构和沟槽电介质层。第一栅极结构和第二栅极结构设置在硅半导体结构上并且在横向方向上彼此分离。沟槽电介质层设置在硅半导体结构中的沟槽中，并且在正交于横向方向的厚度方向上至少部分地在第一栅极结构和第二栅极结构中的每一个下方延伸。
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公开(公告)号：CN107452800B
公开(公告)日：2021-02-26
申请号：CN201710367154.8
申请日：2017-05-23
申请人： 马克西姆综合产品公司
IPC分类号： H01L29/78 , H01L29/06 , H01L29/423
摘要： 一种横向双扩散金属氧化物半导体场效应(LDMOS)晶体管包括硅半导体结构；第一栅极结构和第二栅极结构和沟槽电介质层。第一栅极结构和第二栅极结构设置在硅半导体结构上并且在横向方向上彼此分离。沟槽电介质层设置在硅半导体结构中的沟槽中，并且在正交于横向方向的厚度方向上至少部分地在第一栅极结构和第二栅极结构中的每一个下方延伸。
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公开(公告)号：CN107452800A
公开(公告)日：2017-12-08
申请号：CN201710367154.8
申请日：2017-05-23
申请人： 马克西姆综合产品公司
IPC分类号： H01L29/78 , H01L29/06 , H01L29/423
摘要： 一种横向双扩散金属氧化物半导体场效应(LDMOS)晶体管包括硅半导体结构；第一栅极结构和第二栅极结构和沟槽电介质层。第一栅极结构和第二栅极结构设置在硅半导体结构上并且在横向方向上彼此分离。沟槽电介质层设置在硅半导体结构中的沟槽中，并且在正交于横向方向的厚度方向上至少部分地在第一栅极结构和第二栅极结构中的每一个下方延伸。
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