公开(公告)号：CN1934404B

公开(公告)日：2011-12-14

申请号：CN200480021056.X

申请日：2004-07-21

申请人： 马特森技术公司

发明人： 保罗·J·蒂曼斯 ,  丹尼尔·J·迪瓦恩 ,  李荣载 ,  胡耀志 ,  彼得·C·博迪加

IPC分类号： F27D11/00

CPC分类号： H01L21/67115 ,  F27B17/0025

摘要： 介绍了可定制的室光谱响应，其至少可用于修改室性能，用于晶片加热、晶片冷却、温度测量和散射光。在一个方案中，介绍了一种用于加工处理物体的系统，处理物体具有在处理物体温度下的给定发射光谱，其使处理物体产生处理物体辐射的能量。室以第一方式响应加热配置辐射的能量并以第二方式响应入射在其上的处理物体辐射的能量。室可以按通过反射大部分的热源辐射能量的第一方式响应以及按通过吸收大部分的处理物体辐射能量的第二方式响应。可以根据设计考虑用选择性反射率处理室的不同部分以针对具体的室性能参数实现目的。

公开(公告)号：CN1934404A

公开(公告)日：2007-03-21

申请号：CN200480021056.X

申请日：2004-07-21

申请人： 马特森技术公司

发明人： 保罗·J·蒂曼斯 ,  丹尼尔·J·迪瓦恩 ,  李荣载 ,  胡耀志 ,  彼得·C·博迪加

IPC分类号： F27D11/00

CPC分类号： H01L21/67115 ,  F27B17/0025

摘要： 介绍了可定制的室光谱响应，其至少可用于修改室性能，用于晶片加热、晶片冷却、温度测量和散射光。在一个方案中，介绍了一种用于加工处理物体的系统，处理物体具有在处理物体温度下的给定发射光谱，其使处理物体产生处理物体辐射的能量。室以第一方式响应加热配置辐射的能量并以第二方式响应入射在其上的处理物体辐射的能量。室可以按通过反射大部分的热源辐射能量的第一方式响应以及按通过吸收大部分的处理物体辐射能量的第二方式响应。可以根据设计考虑用选择性反射率处理室的不同部分以针对具体的室性能参数实现目的。