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公开(公告)号：CN100578734C
公开(公告)日：2010-01-06
申请号：CN03810217.X
申请日：2003-04-15
申请人： 马特森技术公司
CPC分类号： H01L21/67103 , C23C16/4583 , C23C16/4585 , C23C16/46 , C30B25/12
摘要： 公开了一种在基座上用于加热处理室中半导体基板的工艺和系统。根据本发明，公开了基座。根据本发明，基座包括一将晶片悬在基座上方的支撑结构，该支撑结构由具有较低导热率的材料制成。该支撑结构具有特定高度，禁止或者防止高温处理期间在晶片中形成径向温度梯度。必要时，可以在基座中形成用于设置和定位支撑结构的凹处。基座可以包括限定一槽的晶片支撑面，该槽具有被构造成与加热周期中晶片形状相符合的形状。
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公开(公告)号：CN1813116A
公开(公告)日：2006-08-02
申请号：CN200480018240.9
申请日：2004-07-21
申请人： 马特森技术公司
CPC分类号： H01L21/67115 , H01L21/6719
摘要： 作为腔室结构的一部分，窗口装置包括具有内部的腔室。腔室形成具有孔边缘的窗口孔。具有一对相对主表面和在该相对主表面之间延伸的周边侧壁结构的窗口装入带支承抵靠在孔边缘的周边侧壁结构的窗口孔内，因此，周边侧壁结构与孔边缘这样配合，使得大致垂直于窗口的相对主表面施加的偏压力的至少一部分，转变成与偏压力施加方向不同或倾斜的方向。
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公开(公告)号：CN1653591A
公开(公告)日：2005-08-10
申请号：CN03810217.X
申请日：2003-04-15
申请人： 马特森技术公司
CPC分类号： H01L21/67103 , C23C16/4583 , C23C16/4585 , C23C16/46 , C30B25/12
摘要： 公开了一种在基座上用于加热处理室中半导体基板的工艺和系统。根据本发明，公开了基座。根据本发明，基座包括一将晶片悬在基座上方的支撑结构，该支撑结构由具有较低导热率的材料制成。该支撑结构具有特定高度，禁止或者防止高温处理期间在晶片中形成径向温度梯度。必要时，可以在基座中形成用于设置和定位支撑结构的凹处。基座可以包括限定一槽的晶片支撑面，该槽具有被构造成与加热周期中晶片形状相符合的形状。
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公开(公告)号：CN1934404B
公开(公告)日：2011-12-14
申请号：CN200480021056.X
申请日：2004-07-21
申请人： 马特森技术公司
IPC分类号： F27D11/00
CPC分类号： H01L21/67115 , F27B17/0025
摘要： 介绍了可定制的室光谱响应，其至少可用于修改室性能，用于晶片加热、晶片冷却、温度测量和散射光。在一个方案中，介绍了一种用于加工处理物体的系统，处理物体具有在处理物体温度下的给定发射光谱，其使处理物体产生处理物体辐射的能量。室以第一方式响应加热配置辐射的能量并以第二方式响应入射在其上的处理物体辐射的能量。室可以按通过反射大部分的热源辐射能量的第一方式响应以及按通过吸收大部分的处理物体辐射能量的第二方式响应。可以根据设计考虑用选择性反射率处理室的不同部分以针对具体的室性能参数实现目的。
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公开(公告)号：CN1813116B
公开(公告)日：2011-01-19
申请号：CN200480018240.9
申请日：2004-07-21
申请人： 马特森技术公司
CPC分类号： H01L21/67115 , H01L21/6719
摘要： 作为腔室结构的一部分，窗口装置包括具有内部的腔室。腔室形成具有孔边缘的窗口孔。具有一对相对主表面和在该相对主表面之间延伸的周边侧壁结构的窗口装入带支承抵靠在孔边缘的周边侧壁结构的窗口孔内，因此，周边侧壁结构与孔边缘这样配合，使得大致垂直于窗口的相对主表面施加的偏压力的至少一部分，转变成与偏压力施加方向不同或倾斜的方向。
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公开(公告)号：CN1879001A
公开(公告)日：2006-12-13
申请号：CN200480033393.0
申请日：2004-11-10
申请人： 马特森技术公司
IPC分类号： F27D11/00
CPC分类号： H01L21/67115 , F27B17/0025 , F27D5/0037
摘要： 作为通过对工件施加受控的热量处理工件(122)的系统的一部分，加热装置包括间隔开的加热元件(102)阵列，用于与工件保持相对的关系，使得工件承受所产生的直接辐射。辐射罩(200)包括多个元件(207)，所述元件被支撑为可以在以下位置之间移动，(i)缩回位置，该位置允许直接辐射到达工件，和(ii)展开位置，在该位置中多个元件以至少部分地阻挡直接辐射到达工件并且吸收由工件发出和发射的辐射的方式相配合，因而获得与先前相比对时间－温度轮廓线更大的控制。至少某些元件(207)在相邻的加热元件(102)之间以这些特定的元件在缩回和展开位置之间移动的方式移动。可以使用管状、弯曲、板状元件结构。
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公开(公告)号：CN100573010C
公开(公告)日：2009-12-23
申请号：CN200480033393.0
申请日：2004-11-10
申请人： 马特森技术公司
IPC分类号： F27D11/00
CPC分类号： H01L21/67115 , F27B17/0025 , F27D5/0037
摘要： 作为通过对工件施加受控的热量处理工件(122)的系统的一部分，加热装置包括间隔开的加热元件(102)阵列，用于与工件保持相对的关系，使得工件承受所产生的直接辐射。辐射罩(200)包括多个元件(207)，所述元件被支撑为可以在以下位置之间移动，(i)缩回位置，该位置允许直接辐射到达工件，和(ii)展开位置，在该位置中多个元件以至少部分地阻挡直接辐射到达工件并且吸收由工件发出和发射的辐射的方式相配合，因而获得与先前相比对时间-温度轮廓线更大的控制。至少某些元件(207)在相邻的加热元件(102)之间以这些特定的元件在缩回和展开位置之间移动的方式移动。可以使用管状、弯曲、板状元件结构。
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公开(公告)号：CN1934404A
公开(公告)日：2007-03-21
申请号：CN200480021056.X
申请日：2004-07-21
申请人： 马特森技术公司
IPC分类号： F27D11/00
CPC分类号： H01L21/67115 , F27B17/0025
摘要： 介绍了可定制的室光谱响应，其至少可用于修改室性能，用于晶片加热、晶片冷却、温度测量和散射光。在一个方案中，介绍了一种用于加工处理物体的系统，处理物体具有在处理物体温度下的给定发射光谱，其使处理物体产生处理物体辐射的能量。室以第一方式响应加热配置辐射的能量并以第二方式响应入射在其上的处理物体辐射的能量。室可以按通过反射大部分的热源辐射能量的第一方式响应以及按通过吸收大部分的处理物体辐射能量的第二方式响应。可以根据设计考虑用选择性反射率处理室的不同部分以针对具体的室性能参数实现目的。
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