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公开(公告)号：CN103151068A
公开(公告)日：2013-06-12
申请号：CN201310056261.0
申请日：2008-03-31
申请人： 高通股份有限公司
发明人： 卢·G·蔡-奥恩 , 马修·迈克尔·诺瓦克 , 升·H·康
CPC分类号： H03K19/17748 , G11C11/161 , G11C11/165 , H03K19/17736 , H03K19/1778
摘要： 本发明涉及使用自旋转移力矩磁阻装置的软件可编程逻辑。本发明揭示用于使用自旋转移力矩磁阻随机存取存储器(STT-MRAM)技术的软件可编程逻辑的系统、电路及方法。磁性隧道结(MTJ)存储元件可形成为输入平面及输出平面。所述输入平面及输出平面可耦合在一起以形成允许实现逻辑功能的复阵列。
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公开(公告)号：CN101663816A
公开(公告)日：2010-03-03
申请号：CN200880009921.7
申请日：2008-03-31
申请人： 高通股份有限公司
发明人： 卢·G·蔡-奥恩 , 马修·迈克尔·诺瓦克 , 升·H·康
IPC分类号： H03K19/177 , G11C11/16
CPC分类号： H03K19/17748 , G11C11/161 , G11C11/165 , H03K19/17736 , H03K19/1778
摘要： 本发明揭示用于使用自旋转移力矩磁阻随机存取存储器(STT-MRAM)技术的软件可编程逻辑的系统、电路及方法。磁性隧道结(MTJ)存储元件可形成为输入平面及输出平面。所述输入平面及输出平面可耦合在一起以形成允许实现逻辑功能的复阵列。
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公开(公告)号：CN103151068B
公开(公告)日：2016-02-17
申请号：CN201310056261.0
申请日：2008-03-31
申请人： 高通股份有限公司
发明人： 卢·G·蔡-奥恩 , 马修·迈克尔·诺瓦克 , 升·H·康
CPC分类号： H03K19/17748 , G11C11/161 , G11C11/165 , H03K19/17736 , H03K19/1778
摘要： 本发明涉及使用自旋转移力矩磁阻装置的软件可编程逻辑。本发明揭示用于使用自旋转移力矩磁阻随机存取存储器(STT-MRAM)技术的软件可编程逻辑的系统、电路及方法。磁性隧道结(MTJ)存储元件可形成为输入平面及输出平面。所述输入平面及输出平面可耦合在一起以形成允许实现逻辑功能的复阵列。
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公开(公告)号：CN101663816B
公开(公告)日：2013-04-24
申请号：CN200880009921.7
申请日：2008-03-31
申请人： 高通股份有限公司
发明人： 卢·G·蔡-奥恩 , 马修·迈克尔·诺瓦克 , 升·H·康
IPC分类号： H03K19/177 , G11C11/16
CPC分类号： H03K19/17748 , G11C11/161 , G11C11/165 , H03K19/17736 , H03K19/1778
摘要： 本发明揭示用于使用自旋转移力矩磁阻随机存取存储器(STT-MRAM)技术的软件可编程逻辑的系统、电路及方法。磁性隧道结(MTJ)存储元件可形成为输入平面及输出平面。所述输入平面及输出平面可耦合在一起以形成允许实现逻辑功能的复阵列。
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