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公开(公告)号：CN110741380A
公开(公告)日：2020-01-31
申请号：CN201880038832.9
申请日：2018-05-23
申请人： 高通股份有限公司
发明人： 菲拉斯·萨莫拉 , 戴维·威廉·伯恩斯 , 拉温德拉·瓦曼·谢诺伊
摘要： 本文所描述的主题的实施方案涉及包含压电微机械超声换能器PMUT传感器元件和其阵列的传感器。所述PMUT传感器元件能够在非超声力检测模式与超声成像模式之间切换。所述PMUT传感器元件可以包含隔膜，所述隔膜能够在施加所施加力时进行静态位移并且能够在所述PMUT传感器元件发射或接收超声信号时进行动态位移。在一些实施方案中，所述PMUT传感器元件包含所述隔膜上的二维电子气结构。所述传感器可以进一步包含传感器控制器，所述传感器控制器被配置成在所述PMUT传感器元件中的一或多个的非超声力检测模式与超声成像模式之间切换，其中在所述非超声力检测模式下测量所施加力，并且其中在所述超声成像模式期间对物体进行超声成像。
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公开(公告)号：CN106660074B
公开(公告)日：2019-09-24
申请号：CN201580035279.X
申请日：2015-06-08
申请人： 高通股份有限公司
发明人： 乔恩·布拉德利·拉斯特 , 拉温德拉·瓦曼·谢诺伊 , 艾弗杰尼·佩托维奇·高瑟夫 , 赫瑞什科士·班差瓦加 , 戴维·威廉·伯恩斯 , 郭乃贵 , 乔纳森·查尔斯·格里菲思 , 苏耶普拉卡什·甘蒂
摘要： 压电微机械超声换能器PMUT包含被安置在衬底上的多层堆叠。所述多层堆叠可包含被安置在所述衬底上面的锚定结构、被安置在所述锚定结构上面的压电层堆叠和被安置成接近所述压电层堆叠的机械层。所述压电层堆叠可被安置在空腔上面。所述机械层可密封所述空腔，并且连同所述压电层堆叠受所述锚定结构支撑并在所述空腔上面形成膜片，所述膜片被配置成在所述PMUT接收或发射超声波信号时，进行挠曲运动和振动中的一或两者。
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公开(公告)号：CN106660074A
公开(公告)日：2017-05-10
申请号：CN201580035279.X
申请日：2015-06-08
申请人： 高通股份有限公司
发明人： 乔恩·布拉德利·拉斯特 , 拉温德拉·瓦曼·谢诺伊 , 艾弗杰尼·佩托维奇·高瑟夫 , 赫瑞什科士·班差瓦加 , 戴维·威廉·伯恩斯 , 郭乃贵 , 乔纳森·查尔斯·格里菲思 , 苏耶普拉卡什·甘蒂
摘要： 压电微机械超声换能器PMUT包含被安置在衬底上的多层堆叠。所述多层堆叠可包含被安置在所述衬底上面的锚定结构、被安置在所述锚定结构上面的压电层堆叠和被安置成接近所述压电层堆叠的机械层。所述压电层堆叠可被安置在空腔上面。所述机械层可密封所述空腔，并且连同所述压电层堆叠受所述锚定结构支撑并在所述空腔上面形成膜片，所述膜片被配置成在所述PMUT接收或发射超声波信号时，进行挠曲运动和振动中的一或两者。
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公开(公告)号：CN107077950B
公开(公告)日：2020-03-31
申请号：CN201580060565.1
申请日：2015-11-05
申请人： 高通股份有限公司
发明人： 梅特·埃蒂尔克 , 拉温德拉·瓦曼·谢诺伊 , 赖关余 , 日塔伊·基姆 , 唐纳德·威廉·小基德韦尔 , 乔恩·布拉德利·拉斯特 , 詹姆斯·托马斯·多伊尔 , 奥马尔·詹姆斯·贝希尔
摘要： 本发明提供一种电感器，其可包含第一衬底、磁件和导体。所述第一衬底可形成于第二衬底内。所述磁件可连接到所述第一衬底的第一侧。所述导体可形成于所述第二衬底内、所述第二衬底上，或既可形成于所述第二衬底内又可形成于所述第二衬底上。所述导体可具有输入和输出。所述导体可经配置以环绕所述第一衬底，但不与所述第一衬底接触并且不与所述磁件接触。
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公开(公告)号：CN108012565A
公开(公告)日：2018-05-08
申请号：CN201680048793.1
申请日：2016-08-08
申请人： 高通股份有限公司
发明人： 卡里姆·阿拉比 , 拉温德拉·瓦曼·谢诺伊 , 艾弗杰尼·佩托维奇·高瑟夫 , 梅特·埃蒂尔克
IPC分类号： H01L23/498 , H01L23/64
CPC分类号： H01L28/10 , H01L23/49816 , H01L23/49822 , H01L23/49827 , H01L23/49833 , H01L23/645 , H01L2224/16225 , H01L2224/16265 , H01L2224/16267 , H01L2224/16268 , H01L2924/15311 , H01L2924/19011 , H01L2924/19042 , H01L2924/19103
摘要： 具有线圈电感器的电压调节器集成或嵌入到片上系统SOC装置中。所述线圈电感器在具有通孔的电感器晶片上制造，并且所述电感器晶片与SOC晶片接合以与所述SOC装置集成。
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公开(公告)号：CN107077950A
公开(公告)日：2017-08-18
申请号：CN201580060565.1
申请日：2015-11-05
申请人： 高通股份有限公司
发明人： 梅特·埃蒂尔克 , 拉温德拉·瓦曼·谢诺伊 , 赖关余 , 日塔伊·基姆 , 唐纳德·威廉·小基德韦尔 , 乔恩·布拉德利·拉斯特 , 詹姆斯·托马斯·多伊尔 , 奥马尔·詹姆斯·贝希尔
摘要： 本发明提供一种电感器，其可包含第一衬底、磁件和导体。所述第一衬底可形成于第二衬底内。所述磁件可连接到所述第一衬底的第一侧。所述导体可形成于所述第二衬底内、所述第二衬底上，或既可形成于所述第二衬底内又可形成于所述第二衬底上。所述导体可具有输入和输出。所述导体可经配置以环绕所述第一衬底，但不与所述第一衬底接触并且不与所述磁件接触。
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公开(公告)号：CN108698084B
公开(公告)日：2020-08-25
申请号：CN201780011467.8
申请日：2017-02-24
申请人： 高通股份有限公司
发明人： 小唐纳德·威廉·基德韦尔 , 拉温德拉·瓦曼·谢诺伊 , 乔恩·布拉德利·拉斯特
IPC分类号： B06B1/06
摘要： 一种设备可包含一或多个分段压电微机械超声换能器PMUT元件。每个分段PMUT元件可包含衬底、安置在所述衬底上的锚定结构以及安置成接近于所述锚定结构的膜。所述膜可包含压电层叠层和机械层。所述锚定结构可包含将所述分段PMUT元件划分成分段的边界部分。每个分段可具有对应的分段空腔。所述边界部分可对应于整个膜的节线。所述膜可包含安置成接近于每个分段空腔的膜分段。所述膜可经配置以当所述分段PMUT元件接收或发射信号时进行挠曲运动和振动中的一或两者。
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公开(公告)号：CN107107114B
公开(公告)日：2019-10-11
申请号：CN201580054255.9
申请日：2015-10-15
申请人： 高通股份有限公司
发明人： 赫瑞什科士·维加伊库马尔·班差瓦加 , 唐浩延 , 陆一鹏 , 寇斯坦丁·狄米绰夫·乔尔杰夫 , 苏耶普拉卡什·甘蒂 , 戴维·威廉·伯恩斯 , 拉温德拉·瓦曼·谢诺伊 , 乔恩·布拉德利·拉斯特 , 郭乃贵 , 菲拉斯·萨莫拉
摘要： 压电微机械超声换能器PMUT包含安置于腔上方的膜片，所述膜片包含压电层堆叠，所述压电层堆叠包含压电层、与收发器电路电耦合的第一电极以及与所述收发器电路电耦合的第二电极。所述第一电极可安置于所述膜片的第一部分中，且所述第二电极可安置于所述膜片的单独的第二部分中。所述第一电极和所述第二电极中的每一者安置于所述压电层的第一表面上或附近，所述第一表面与所述腔对置。所述PMUT经配置以在第一时间段期间借助于所述第一电极发射第一超声信号并在第二时间段期间借助于所述第二电极接收第二超声信号，所述第一时间段与所述第二时间段至少部分地重叠。
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公开(公告)号：CN108698084A
公开(公告)日：2018-10-23
申请号：CN201780011467.8
申请日：2017-02-24
申请人： 高通股份有限公司
发明人： 小唐纳德·威廉·基德韦尔 , 拉温德拉·瓦曼·谢诺伊 , 乔恩·布拉德利·拉斯特
IPC分类号： B06B1/06
摘要： 一种设备可包含一或多个分段压电微机械超声换能器PMUT元件。每个分段PMUT元件可包含衬底、安置在所述衬底上的锚定结构以及安置成接近于所述锚定结构的膜。所述膜可包含压电层叠层和机械层。所述锚定结构可包含将所述分段PMUT元件划分成分段的边界部分。每个分段可具有对应的分段空腔。所述边界部分可对应于整个膜的节线。所述膜可包含安置成接近于每个分段空腔的膜分段。所述膜可经配置以当所述分段PMUT元件接收或发射信号时进行挠曲运动和振动中的一或两者。
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公开(公告)号：CN108140115A
公开(公告)日：2018-06-08
申请号：CN201680059531.5
申请日：2016-10-14
申请人： 高通股份有限公司
发明人： 赫瑞什科士·维加伊库马尔·班差瓦加 , 苏耶普拉卡什·甘蒂 , 寇斯坦丁·狄米绰夫·乔尔杰夫 , 戴维·威廉·伯恩斯 , 蒂莫西·艾伦·迪金森 , 唐纳德·威廉·小基德韦尔 , 拉温德拉·瓦曼·谢诺伊 , 乔恩·布拉德利·拉斯特 , 唐浩延 , 卢奕鹏
CPC分类号： H01L27/20 , B06B1/0207 , B06B1/0607 , G01S7/52028 , G06F3/0436 , G06K9/0002 , H01L27/1214 , H01L41/1132 , H01L41/311
摘要： 超声传感器像素包含衬底、压电微机械超声换能器PMUT和传感器像素电路。所述PMUT包含压电层堆叠，所述压电层堆叠包含：安置于腔上方的压电层，所述腔安置于所述压电层堆叠与所述衬底之间；安置于所述压电层与所述腔之间的参考电极；和安置于所述压电层的第一表面上或附近的接收电极和发射电极中的一或两个，所述第一表面与所述腔对置。所述传感器像素电路与所述参考电极、所述接收电极和所述发射电极中的一或多个电耦合，且所述PMUT和所述传感器像素电路与所述传感器像素电路集成在所述衬底上。
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