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公开(公告)号：CN104798149A
公开(公告)日：2015-07-22
申请号：CN201380059906.4
申请日：2013-11-19
申请人： 高通股份有限公司
CPC分类号： H03F1/26 , H01F29/00 , H04B1/18 , Y10T307/74
摘要： 用于改善在多个操作模式间被共享的变压器的性能的技术。在一方面，变压器的第一和第二初级线圈被耦合到AC接地电压。初级线圈被互耦到该变压器的次级线圈。为使得第二初级线圈不活跃(例如，当在第一模式中操作时)，把将该第二初级线圈耦合到共用参考电压的开关断开。类似地，当期望使得第一初级线圈不活跃时(例如，当在第二模式中操作时)，把将该第一初级线圈耦合到该共用参考电压的开关断开。以此方式，不活跃的初级线圈有利地不对次级线圈加载。进一步的方面提供例如将这些技术扩展到两个以上模式，以及将信号从初级线圈向次级线圈互耦的替换技术。
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公开(公告)号：CN102986139A
公开(公告)日：2013-03-20
申请号：CN201180034204.1
申请日：2011-07-15
申请人： 高通股份有限公司
CPC分类号： H03D7/1441 , H03D7/1458 , H03D7/165 , H03D2200/0023 , H03H7/1775 , H03H7/422 , H03H7/465
摘要： 能够在宽频率范围上发射的RF发射机包括混频器（96）、宽带高Q平衡-不平衡转换器（97）、第一驱动放大器（87）和第二驱动放大器（91）。该平衡-不平衡转换器具有单个初级绕组（98）和两个次级绕组（99、100）。该混频器的差分输出耦合至该初级绕组。这两个次级绕组中的第一次级绕组（99）耦合成驱动第一驱动放大器（87）。这两个次级绕组中的第二次级绕组（100）耦合成驱动第二驱动放大器（91）。当以较低频率发射时使用一个驱动放大器，而当以较高频率发射时使用另一个驱动放大器。通过恰适地改变这些次级绕组的电感大小并通过在某些时间用开关（104）切断这些次级绕组中的一个，该平衡-不平衡转换器可调谐为在该宽频率范围上操作同时具有高质量因子Q，由此便于降低功耗，同时满足性能要求。
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公开(公告)号：CN104737445B
公开(公告)日：2018-03-16
申请号：CN201380055064.5
申请日：2013-10-22
申请人： 高通股份有限公司
CPC分类号： H03F3/72 , H03F1/0277 , H03F1/223 , H03F3/195 , H03F3/211 , H03F2200/111 , H03F2200/294 , H03F2200/429 , H03F2203/21109 , H03F2203/7209 , H03F2203/7215 , H03F2203/7236 , H03F2203/7239 , H03G3/3052
摘要： 公开了具有分路开关(430)以减轻干扰的放大器(460)。在一示例性设计中，装置(400)包括放大器(460)和分路开关(430)。该放大器(460)具有起效地耦合到集成电路(IC)芯片的输入/输出I/O焊盘(410)的输入(450)。当该分路开关(430)被闭合时，该分路开关(430)将该放大器(460)接地。该分路开关(430)与该I/O焊盘(410)和放大器输入(450)隔离。该放大器(460)可以是低噪声放大器LNA或者某种其他类型的放大器。在一示例性设计中，该分路开关(430)是藉由串联开关来与I/O焊盘(410)隔离的。该串联开关和该分路开关(430)可以在该放大器(460)被禁用时被闭合，并且可以在该放大器(460)被启用时被断开(460)。
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公开(公告)号：CN102986139B
公开(公告)日：2016-08-03
申请号：CN201180034204.1
申请日：2011-07-15
申请人： 高通股份有限公司
CPC分类号： H03D7/1441 , H03D7/1458 , H03D7/165 , H03D2200/0023 , H03H7/1775 , H03H7/422 , H03H7/465
摘要： 能够在宽频率范围上发射的RF发射机包括混频器（96）、宽带高Q平衡-不平衡转换器（97）、第一驱动放大器（87）和第二驱动放大器（91）。该平衡-不平衡转换器具有单个初级绕组（98）和两个次级绕组（99、100）。该混频器的差分输出耦合至该初级绕组。这两个次级绕组中的第一次级绕组（99）耦合成驱动第一驱动放大器（87）。这两个次级绕组中的第二次级绕组（100）耦合成驱动第二驱动放大器（91）。当以较低频率发射时使用一个驱动放大器，而当以较高频率发射时使用另一个驱动放大器。通过恰适地改变这些次级绕组的电感大小并通过在某些时间用开关（104）切断这些次级绕组中的一个，该平衡-不平衡转换器可调谐为在该宽频率范围上操作同时具有高质量因子Q，由此便于降低功耗，同时满足性能要求。
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公开(公告)号：CN105190886A
公开(公告)日：2015-12-23
申请号：CN201480014492.8
申请日：2014-03-10
申请人： 高通股份有限公司
摘要： 描述了一种装置。该装置包括输入器件。该装置还包括正供电电压焊盘。该装置进一步包括输入信号焊盘。该装置还包括接地焊盘。该装置进一步包括保护输入器件免受静电放电的充电器件模型保护电路系统。充电器件模型保护电路系统包括de-Q电路系统和共源共栅器件中的至少一者。
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公开(公告)号：CN104737445A
公开(公告)日：2015-06-24
申请号：CN201380055064.5
申请日：2013-10-22
申请人： 高通股份有限公司
CPC分类号： H03F3/72 , H03F1/0277 , H03F1/223 , H03F3/195 , H03F3/211 , H03F2200/111 , H03F2200/294 , H03F2200/429 , H03F2203/21109 , H03F2203/7209 , H03F2203/7215 , H03F2203/7236 , H03F2203/7239 , H03G3/3052
摘要： 公开了具有分路开关(430)以减轻干扰的放大器(460)。在一示例性设计中，装置(400)包括放大器(460)和分路开关(430)。该放大器(460)具有起效地耦合到集成电路(IC)芯片的输入/输出I/O焊盘(410)的输入(450)。当该分路开关(430)被闭合时，该分路开关(430)将该放大器(460)接地。该分路开关(430)与该I/O焊盘(410)和放大器输入(450)隔离。该放大器(460)可以是低噪声放大器LNA或者某种其他类型的放大器。在一示例性设计中，该分路开关(430)是藉由串联开关来与I/O焊盘(410)隔离的。该串联开关和该分路开关(430)可以在该放大器(460)被禁用时被闭合，并且可以在该放大器(460)被启用时被断开(460)。
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公开(公告)号：CN105190886B
公开(公告)日：2019-09-10
申请号：CN201480014492.8
申请日：2014-03-10
申请人： 高通股份有限公司
摘要： 描述了一种装置。该装置包括输入器件。该装置还包括正供电电压焊盘。该装置进一步包括输入信号焊盘。该装置还包括接地焊盘。该装置进一步包括保护输入器件免受静电放电的充电器件模型保护电路系统。充电器件模型保护电路系统包括de‑Q电路系统和共源共栅器件中的至少一者。
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公开(公告)号：CN104798149B
公开(公告)日：2018-05-29
申请号：CN201380059906.4
申请日：2013-11-19
申请人： 高通股份有限公司
CPC分类号： H03F1/26 , H01F29/00 , H04B1/18 , Y10T307/74
摘要： 用于改善在多个操作模式间被共享的变压器的性能的技术。在一方面，变压器的第一和第二初级线圈被耦合到AC接地电压。初级线圈被互耦到该变压器的次级线圈。为使得第二初级线圈不活跃(例如，当在第一模式中操作时)，把将该第二初级线圈耦合到共用参考电压的开关断开。类似地，当期望使得第一初级线圈不活跃时(例如，当在第二模式中操作时)，把将该第一初级线圈耦合到该共用参考电压的开关断开。以此方式，不活跃的初级线圈有利地不对次级线圈加载。进一步的方面提供例如将这些技术扩展到两个以上模式，以及将信号从初级线圈向次级线圈互耦的替换技术。
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公开(公告)号：CN103026625B
公开(公告)日：2016-06-08
申请号：CN201180036653.X
申请日：2011-07-26
申请人： 高通股份有限公司
发明人： H·严 , J·G·杉卡拉那拉亚南 , B·S·阿苏里 , H·卡特里 , V·V·帕尼卡什
IPC分类号： H03K17/06 , H03K17/16 , H03K17/687 , H03H11/32 , H03H7/42 , H04B1/04 , H03H11/24 , H04B1/48 , H01P1/22
CPC分类号： H03K17/063 , H03K17/161 , H03K17/687 , H03K2017/066 , H03K2217/0018 , H03K2217/0054
摘要： 一方面，RF开关包括主晶体管和栅-源短路电路。当关断RF开关时，开通栅-源短路电路以使主晶体管的源极和栅极短路在一起，由此防止Vgs发展成将导致主晶体管泄漏。当开通RF开关时，关断栅-源短路电路以将源极和栅极去耦合。向栅极提供数字逻辑高电压以开通主晶体管。第二方面，RF开关包括具有块体端子的主晶体管。当关断RF开关时，该块体通过高电阻接地。当开通RF开关时，源极和块体短路在一起，由此降低主晶体管的阈值电压。
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