中心偏离栅极切割
    1.
    发明授权

    公开(公告)号:CN107210297B

    公开(公告)日:2020-10-16

    申请号:CN201680007996.6

    申请日:2016-01-13

    发明人: Y·刘 S·S·宋

    IPC分类号: H01L27/02 H01L27/092

    摘要: 一种半导体器件包括扩散区域、耦合到该扩散区域的栅极结构、以及耦合到该扩散区域的虚设栅极结构。该栅极结构超出该扩散区域延伸第一距离,并且该虚设栅极结构超出该扩散区域延伸第二距离。

    ESD二极管、制造该二极管的方法以及包括该二极管的ESD电路

    公开(公告)号:CN109075163A

    公开(公告)日:2018-12-21

    申请号:CN201780024280.1

    申请日:2017-04-19

    发明人: Y·刘 H·杨 J·鲍

    摘要: 公开了关于在二极管的栅极区中形成自对准单扩散间断(SDB)隔离结构以减小电容、电阻、和/或面积的各方面。在一个方面,提供了一种二极管,其包括具有阱区的半导体基板。在该半导体基板的阱区中形成P掺杂和N掺杂扩散区。在该P掺杂与N掺杂扩散区之间的栅极区中与该栅极区自对准地形成将这些区电隔离的自对准SDB隔离结构。与栅极区中具有导电栅极结构的二极管相比,该自对准SDB隔离结构减小了该二极管的寄生电容。与常规二极管相比,该自对准SDB隔离结构具有减小放电路径的长度的宽度,这减小了该二极管的导通电阻。

    用于调制神经设备的训练的方法和装置

    公开(公告)号:CN105531724B

    公开(公告)日:2018-09-11

    申请号:CN201480044808.8

    申请日:2014-07-29

    IPC分类号: G06N3/08 G06N3/04

    摘要: 提供了用于通过在训练期间调制至少一个训练参数来训练具有人工神经系统的神经设备的方法和装置。一种用于训练具有人工神经系统的神经设备的示例方法一般包括在训练环境中观察神经设备以及至少部分地基于该观察来调制至少一个训练参数。例如,本文所描述的训练装置可修改神经设备的内部学习机制(例如,尖峰发放率、学习速率、神经调质、传感器灵敏度等)和/或训练环境的刺激(例如,将火焰移动到更靠近设备、使布景更暗等)。以此方式,神经设备被训练的速度(即,训练速率)相比于常规神经设备训练系统可被显著增大。

    具有切割栅极应力源的FinFET

    公开(公告)号:CN107438902A

    公开(公告)日:2017-12-05

    申请号:CN201680019955.9

    申请日:2016-04-06

    发明人: H·杨 Y·刘

    IPC分类号: H01L29/78 H01L21/336

    摘要: 一种半导体鳍包括沟道区。由金属形成的栅极应力源部件横贯该鳍延伸并且包括在沟道区中骑跨该鳍的栅极面。栅极应力源部件具有包括与该鳍间隔开切割距离的部分切口的配置。该配置在该鳍中贯穿栅极面促生横向应力,具有与切割距离相对应的量级。由金属形成的横向应力源部件在沟道区外部的区域除骑跨该鳍并在沟道区外部的该区域处促生该鳍中的附加横向应力。与切割距离相对应的量级与附加横向应力相组合地在沟道区中引发纵向压应变。

    中心偏离栅极切割
    8.
    发明公开

    公开(公告)号:CN107210297A

    公开(公告)日:2017-09-26

    申请号:CN201680007996.6

    申请日:2016-01-13

    发明人: Y·刘 S·S·宋

    IPC分类号: H01L27/02 H01L27/092

    摘要: 一种半导体器件包括扩散区域、耦合到该扩散区域的栅极结构、以及耦合到该扩散区域的虚设栅极结构。该栅极结构超出该扩散区域延伸第一距离,并且该虚设栅极结构超出该扩散区域延伸第二距离。