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公开(公告)号：CN118631213A
公开(公告)日：2024-09-10
申请号：CN202410861162.8
申请日：2024-06-28
申请人： 麦斯塔微电子(深圳)有限公司
摘要： 本申请涉及微机电技术领域，公开了一种MEMS谐振器TCF调整方法，包括：获取MEMS谐振器的设计频率且确定MEMS谐振器的目标模态后，计算得到MEMS谐振器的1阶、2阶TCF系数；提升MEMS谐振器的堆叠结构层中的器件层的掺杂浓度，且测算MEMS谐振器的2阶TCF系数是否为第一目标值，若否，则重复提升器件层的掺杂浓度，直至2阶TCF系数为第一目标值；调整MEMS谐振器的实时频率至设计频率；基于2阶TCF系数为第一目标值，MEMS谐振器的实时频率为设计频率，测算MEMS谐振器的1阶TCF系数，调整1阶TCF系数为第二目标值；获得MEMS谐振器的目标TCF曲线，从而提高MEMS谐振器的频率稳定性。
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公开(公告)号：CN118399919A
公开(公告)日：2024-07-26
申请号：CN202410647894.7
申请日：2024-05-23
申请人： 麦斯塔微电子(深圳)有限公司
摘要： 本申请公开了一种压电谐振器及制作方法，制作方法包括：提供基底，基底包括衬底层、形成在衬底层上的绝缘层，以及形成在绝缘层上的器件层；在器件层上形成驱动功能层；由驱动功能层进行纵向刻蚀并停止在绝缘层上，以在绝缘层以上的部分形成谐振主体、若干分离设置的锚定部以及与锚定部一一对应的柔性连接梁，锚定部位于谐振主体周侧且与谐振主体间隔设置，锚定部通过对应的柔性连接梁与谐振主体连接；由衬底层一侧对衬底层和绝缘层进行纵向刻蚀，以形成贯通槽，柔性连接梁和谐振主体在衬底层上的投影位于贯通槽内。本申请制作的压电谐振器可以抑制谐振主体变形或频率偏移等问题，还能够减少锚点损耗提升压电谐振器的品质因数，且制作成本低。
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公开(公告)号：CN116599492A
公开(公告)日：2023-08-15
申请号：CN202310800959.2
申请日：2023-06-30
申请人： 麦斯塔微电子(深圳)有限公司
摘要： 本申请涉及谐振器技术领域，公开了一种谐振器及其调整方法，包括：衬底以及通过固定锚点与所述衬底连接的N个振动单元，N个所述振动单元包括基准单元以及嵌套于所述基准单元外围的N‑1个嵌套单元，所述基准单元与所述嵌套单元之间通过内连接梁进行连接，N‑1个所述嵌套单元之间通过外连接梁进行连接；在所述基准单元与所述嵌套单元之间和/或N‑1个所述嵌套单元之间设有用于分时驱动所述基准单元与所述嵌套单元以相同模态振动的驱动单元，所述驱动单元包括驱动电极组以及感测电极组。本申请降低了谐振器的模态耦合，提升了谐振器的品质因数和电路性能指标。
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公开(公告)号：CN118900110A
公开(公告)日：2024-11-05
申请号：CN202410989850.2
申请日：2024-07-23
申请人： 麦斯塔微电子(深圳)有限公司
摘要： 本申请实施例公开了一种MEMS压电谐振器，该MEMS压电谐振器包括谐振体、锚固结构和梳齿组件。其中，谐振体接地；锚固结构与谐振体连接，以锚固谐振体，并使谐振体悬空；梳齿组件包括内梳齿结构和外梳齿结构，内梳齿结构设置于谐振体上，外梳齿结构与内梳齿结构相对设置，且外梳齿结构与内梳齿结构之间具有间隙，外梳齿结构用于接入直流电压，以使外梳齿结构与内梳齿结构之间产生静电力，从而改变MEMS压电谐振器的等效刚度，进而调整MEMS压电谐振器的谐振频率。
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公开(公告)号：CN118631212A
公开(公告)日：2024-09-10
申请号：CN202410861160.9
申请日：2024-06-28
申请人： 麦斯塔微电子(深圳)有限公司
摘要： 本申请涉及微机电技术领域，公开了一种MEMS谐振器频率调整方法，应用于含有1阶、2阶正TCF系数的MEMS谐振器，包括：获取MEMS谐振器的目标信息且确定所述MEMS谐振器的目标模态后，在所述MEMS谐振器的堆叠结构层中形成至少一层正TCF调节层；调整所述正TCF调节层的厚度，且测算所述MEMS谐振器的1阶TCF系数是否为第一目标值，若否，则重复调整所述正TCF调节层的厚度，直至所述1阶TCF系数为所述第一目标值；基于所述1阶TCF系数为所述第一目标值，测算所述MEMS谐振器的2阶TCF系数，且调整所述2阶TCF系数为第二目标值；获得所述MEMS谐振器的目标TCF曲线。本申请提高MEMS谐振器的频率稳定性。
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公开(公告)号：CN116961612A
公开(公告)日：2023-10-27
申请号：CN202310677828.X
申请日：2023-06-08
申请人： 麦斯塔微电子(深圳)有限公司
摘要： 本申请提供一种压电谐振器及其制备方法，其中，该压电谐振器包括沿延伸面分布的谐振区域和梁区域，该压电谐振器包括：基底，基底包括对应谐振区域和梁区域的腔体、以及对应谐振区域的通孔，通孔连通腔体和外部空间；压电组件，压电组件设置于对应梁区域的基底上。通过上述方式，简化了压电谐振器的结构，从而降低了压电谐振器的制作成本。
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公开(公告)号：CN116633296A
公开(公告)日：2023-08-22
申请号：CN202310718823.7
申请日：2023-06-16
申请人： 麦斯塔微电子(深圳)有限公司
摘要： 本发明提供一种双模态谐振器及其制备方法，该方法包括：提供叠层结构；采用刻蚀工艺，于叠层结构的半导体器件层中形成间隙互相隔开的内、外谐振体，内、外谐振体驱动电极，内、外谐振体检测电极；外谐振体设置于内谐振体外周且通过耦合部嵌套连接，内、外谐振体驱动电极，内、外谐振体检测电极设置于外谐振体之内且相对环绕于内谐振体之外；基于内谐振体及外谐振体各自外侧的间隙，采用湿法腐蚀法去除其各自下方的绝缘层，以释放内谐振体及外谐振体。该方法可降低内嵌电极失效率，还可减小内、外谐振体双模态谐振器的总尺寸；同时避免降低内、外谐振体的Q值，提高其阻抗；另外，制备工艺简单，易于实现，降低制造成本。
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公开(公告)号：CN116545382A
公开(公告)日：2023-08-04
申请号：CN202310827252.0
申请日：2023-07-07
申请人： 麦斯塔微电子(深圳)有限公司
摘要： 本申请提供一种MEMS振荡器，包括：第一谐振子和第二谐振子、测温件、加热部件和控制单元；第一谐振子在振动时提供第一频率信号以用于获取所处位置的实时温度，第二谐振子在振动时提供第二频率信号以用于获取预设频率信号；测温件在工作时用于环境测温以提供环境参考温度；加热部件进行加热且为第一谐振子和第二谐振子提供相同的温度环境；控制单元用于控制第一谐振子和测温件的工作状态，并基于实时温度和/或环境参考温度生成温度调节信号，加热部件基于温度调节信号进行加热以使第二谐振子处于设定温度环境。本申请设置有两个相同的谐振子，且第一谐振子高精度测温、第二谐振子高稳定输出频率，提高测温、控温精度。
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公开(公告)号：CN118900107A
公开(公告)日：2024-11-05
申请号：CN202410989853.6
申请日：2024-07-23
申请人： 麦斯塔微电子(深圳)有限公司
摘要： 本申请实施例公开了一种MEMS压电谐振器的频率调整方法，该MEMS压电谐振器的频率调整方法包括提供一半导体结构，半导体结构包括由下至上依次层叠设置的衬底、绝缘层、器件层、电极层、压电层和频率调整层；在半导体结构的表面形成图案化的第一掩膜层，第一掩膜层具有暴露频率调整层的第一区域的第一蚀刻窗；通过第一蚀刻窗对频率调整层进行蚀刻，以调整频率；去除第一掩膜层；在半导体结构的表面形成图案化的第二掩膜层，第二掩膜层具有暴露频率调整层的第二区域的第二蚀刻窗；通过第二蚀刻窗对频率调整层进行蚀刻，以调整频率温度系数。本方案可以通避免调频导致的TCF劣化。
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公开(公告)号：CN117879533A
公开(公告)日：2024-04-12
申请号：CN202410035214.6
申请日：2024-01-09
申请人： 麦斯塔微电子(深圳)有限公司
摘要： 本申请提供一种谐振器及其电子设备，该谐振器包括：谐振体，包括至少一个子谐振体；锚点，被配置为接入偏置电压信号；梁体，连接谐振体和锚点；内电极，设置于子谐振体的一侧，内电极包括多个相互间隔且朝向子谐振体一侧凸起的第一凸台；外电极，设置于子谐振体远离内电极的另一侧，外电极包括多个相互间隔且朝向子谐振体一侧凸起的第二凸台；其中，内电极或外电极配置为接入驱动电压信号。通过上述谐振器的结构设计，可以在保证低阻抗的前提下降低其对Q值的要求，即在较低阻抗的条件下获得较低的阻抗。
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