公开(公告)号：CN102217109A

公开(公告)日：2011-10-12

申请号：CN200980145708.3

申请日：2009-11-03

Applicant: 3M创新有限公司

Inventor： 斯科特·M·施诺布利希 ,  罗伯特·S·克拉夫 ,  丹尼斯·E·沃格尔 ,  迈克尔·E·格里芬

IPC: H01L51/05

CPC classification number: H01L51/0558 ,  H01L51/0005

Abstract: 本发明提供了一种制备诸如晶体管之类薄膜半导体器件的方法，所述方法包括以下步骤：a)提供具有第一导电区和第二导电区(10，20)的基材(60)，其中所述第一导电区和所述第二导电区限定了两者间的沟道(50)，并且其中所述沟道(50)不与大于75％的任一导电区(10，20)的周边；以及b)在所述沟道(50)附近或上面沉积包含有机半导体的溶液(40)的不连续等分试样，其中大部分所述溶液沉积在所述沟道(50)一侧且不在所述沟道(50)上。在本发明的一些实施例中，所述溶液完全沉积到所述沟道(50)的一侧，并且不在所述沟道(50)上，此外，所述溶液沉积到具有小于所述沟道长度的长度的带内。本发明另外提供了诸如晶体管之类的薄膜半导体器件。

公开(公告)号：CN101755492A

公开(公告)日：2010-06-23

申请号：CN200880021410.7

申请日：2008-06-05

Applicant: 3M创新有限公司

Inventor： 布赖恩·K·纳尔逊 ,  戴维·L·菲利普斯 ,  唐纳德·J·穆克卢尔 ,  丹尼尔·H·卡尔森 ,  詹姆斯·N·多布斯 ,  斯科特·M·施诺布利希 ,  丹尼尔·J·泰斯

IPC: H05K3/00

CPC classification number: H05K3/0011 ,  H05K1/0313 ,  H05K3/0014 ,  H05K3/1208 ,  H05K3/125 ,  H05K2203/013 ,  H05K2203/0165 ,  H05K2203/085 ,  H05K2203/105 ,  H05K2203/1105

Abstract: 本发明涉及用于在聚合物基底上制作电子器件的设备及方法，用于在位置方面把聚合物基底约束在台板上，并且把被约束的聚合物基底加热到至少为聚合物基底的玻璃化转变温度。把热处理型油墨涂敷到被约束的聚合物基底上，从而在其上形成电子器件层的至少一部分。