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公开(公告)号：CN101589076B
公开(公告)日：2012-05-23
申请号：CN200880002664.4
申请日：2008-01-18
Applicant: 3M创新有限公司
Inventor： 帕特里西亚·M·萨武 , 迈克尔·J·西尔阿科斯基
IPC: C08F220/68 , C08F220/24 , C08L33/16 , C09K8/38 , C09K8/584 , C09K8/70 , C09K8/94 , C09K8/518 , C09K8/536 , C09K8/60 , A61D1/00
CPC classification number: C09K8/38 , B01F17/0035 , B01F17/0042 , B01F17/0057 , C08F220/24 , C08F220/68 , C08L33/24 , C08L53/00 , C09K8/518 , C09K8/536 , C09K8/584 , C09K8/604 , C09K8/703 , C09K8/94 , Y10S507/904 , Y10S507/91 , Y10S507/922 , C08L2666/02
Abstract: 一种组合物，包含重均分子量为至少100,000克每摩尔的非离子氟化聚合物型表面活性剂，所述非离子氟化聚合物型表面活性剂包含：独立地由式I表示的二价单元：基于所述非离子氟化聚合物型表面活性剂的总重量，其含量在30重量％至65重量％的范围内；和独立地由式II表示的二价单元：基于所述非离子氟化聚合物型表面活性剂的总重量，其含量在35重量％至重量70％的范围内。Rf为具有3至4个碳原子的全氟烷基；R和R2各自独立地为氢或1至4个碳原子的烷基；R1为16至24个碳原子的烷基；并且n为2至11的整数。本发明还公开了包含所述非离子氟化聚合物型表面活性剂和液态烃的泡沫及其制备和使用方法。
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公开(公告)号：CN101779274A
公开(公告)日：2010-07-14
申请号：CN200880102726.9
申请日：2008-07-08
Applicant: 3M创新有限公司
Inventor： L·查尔斯·哈迪 , 希瑟·K·克兰兹 , 托马斯·E·伍德 , 戴维·A·凯撒基 , 约翰·J·加格里亚蒂 , 约翰·C·克拉克 , 帕特里西亚·M·萨武 , 菲利普·G·克拉克
IPC: H01L21/304
CPC classification number: H01L21/31053 , B24B37/044 , B24B37/245 , C09G1/02 , H01L21/3212
Abstract: 本发明涉及用于修饰或精修适于制作半导体的晶片表面的组合物和方法。所述组合物包括适用于修饰适于制作半导体器件的晶片表面的工作液体。在一些实施例中，所述工作液体为基本上不含松散磨粒的初始组分的水溶液，所述组分包含水、表面活性剂和至少一种pKa大于7的pH缓冲剂。在某些实施例中，所述pH缓冲剂包括碱性pH调节剂和酸性络合剂，所述工作液体表现约7至约12的pH。在另外的实施例中，本发明提供包括适于修饰晶片表面的表面活性剂的固定的研磨制品以及制造所述固定的研磨制品的方法。另外的实施例描述了可用于修饰晶片表面的方法。
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公开(公告)号：CN101568613A
公开(公告)日：2009-10-28
申请号：CN200780047734.3
申请日：2007-12-10
Applicant: 3M创新有限公司
Inventor： 约翰·J·加格里亚蒂 , 帕特里西亚·M·萨武
IPC: C09K3/14
CPC classification number: B24B7/228 , C09G1/04 , H01L21/31053
Abstract: 本发明涉及化学－机械平面化(CMP)抛光组合物，所述组合物包含脯氨酸和含氟化合物表面活性剂。所述晶片抛光组合物可以基本上不含磨粒的溶液使用，其组成可经过调节，以控制使用固定磨料CMP工艺进行半导体晶片浅沟槽隔离(STI)加工中的氧化物移除速率和氧化物对氮化物选择性比率。在某些实施例中，本发明提供了用于固定磨料CMP的工作液，所述工作液包含脯氨酸和含氟化合物表面活性剂，所述工作液的pH值为9至11。当用于固定磨料CMP系统和STI方法中时，示例性工作液可以产生至少500埃/分的氧化物移除速率，以及至少5的氧化物对氮化物选择性比率。
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公开(公告)号：CN101945963A
公开(公告)日：2011-01-12
申请号：CN200880126672.X
申请日：2008-12-03
Applicant: 3M创新有限公司
Inventor： 贾森·M·克伦 , 帕特里西亚·M·萨武
IPC: C09D133/16 , G11B5/62
CPC classification number: C09D133/16 , G11B5/82 , Y10T428/11 , Y10T428/1164 , Y10T428/28 , Y10T428/2852 , Y10T428/2891 , Y10T428/3154
Abstract: 本发明内容涉及高纯度设备，如磁性硬盘驱动器，更具体的讲，涉及用于减少这些设备表面的颗粒的涂层。所提供的涂层包含具有反应性侧基以及锚定基板表面以抑制颗粒从基板表面脱落的能力的高分子薄涂层，该反应性侧基具有交联官能团。提供在所述基板的至少一部分上包含涂层的基板，所述涂层包含氟化丙烯酸酯无规共聚物。另外提供减少颗粒污染的方法。
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公开(公告)号：CN101589076A
公开(公告)日：2009-11-25
申请号：CN200880002664.4
申请日：2008-01-18
Applicant: 3M创新有限公司
Inventor： 帕特里西亚·M·萨武 , 迈克尔·J·西尔阿科斯基
IPC: C08F220/68 , C08F220/24 , C08L33/16 , C09K8/38 , C09K8/584 , C09K8/70 , C09K8/94 , C09K8/518 , C09K8/536 , C09K8/60 , A61D1/00
CPC classification number: C09K8/38 , B01F17/0035 , B01F17/0042 , B01F17/0057 , C08F220/24 , C08F220/68 , C08L33/24 , C08L53/00 , C09K8/518 , C09K8/536 , C09K8/584 , C09K8/604 , C09K8/703 , C09K8/94 , Y10S507/904 , Y10S507/91 , Y10S507/922 , C08L2666/02
Abstract: 一种组合物，包含重均分子量为至少100,000克每摩尔的非离子氟化聚合物型表面活性剂，所述非离子氟化聚合物型表面活性剂包含：独立地由式I表示的二价单元：基于所述非离子氟化聚合物型表面活性剂的总重量，其含量在30重量％至65重量％的范围内；和独立地由式II表示的二价单元：基于所述非离子氟化聚合物型表面活性剂的总重量，其含量在35重量％至重量70％的范围内。Rf为具有3至4个碳原子的全氟烷基；R和R2各自独立地为氢或1至4个碳原子的烷基；R1为16至24个碳原子的烷基；并且n为2至11的整数。本发明还公开了包含所述非离子氟化聚合物型表面活性剂和液态烃的泡沫及其制备和使用方法。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1926227A
公开(公告)日：2007-03-07
申请号：CN200580006889.3
申请日：2005-02-01
Applicant: 3M创新有限公司
Inventor： 帕特里西亚·M·萨武 , 威廉姆·M·拉曼纳 , 迈克尔·J·帕伦特
CPC classification number: C11D1/004 , C11D3/042 , C11D3/048 , C11D3/3947 , C11D11/0047
Abstract: 本发明涉及阴离子N－取代的氟化磺酰胺表面活性剂及其在清洗溶液和酸蚀刻溶液中的用途。该清洗和蚀刻溶液适用于多种基材，例如，可以清洗和蚀刻含氧化硅的基材。
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公开(公告)号：CN113166634A
公开(公告)日：2021-07-23
申请号：CN201980080746.9
申请日：2019-12-12
Applicant: 3M创新有限公司
Inventor： 帕特里西亚·M·萨武 , 尼古拉斯·L·翁蒂特 , 贾森·M·克伦
Abstract: 本发明提供了组合物，该组合物包含一种或多种具有式(I)的含氟化合物表面活性剂：其中Rf为全氟烷基基团，R1、R2和R3中的每一者为C1至C20烷基、烷氧基或芳基；并且R4为亚烷基、亚芳基或它们的组合物。R4优选地为具有1至20个碳的亚烷基，该亚烷基可为环状的或无环的，可任选地包含链中杂原子或末端杂原子，该杂原子选自N、O和S。最优选地，R4为具有2至10个碳原子的亚烷基。本发明描述了阴离子N‑取代的含氟氧化胺表面活性剂及其在清洁和酸蚀刻溶液中的用途。清洁和蚀刻溶液与多种基底一起使用，例如用于含氧化硅基底的清洁和蚀刻。
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公开(公告)号：CN101568613B
公开(公告)日：2013-02-06
申请号：CN200780047734.3
申请日：2007-12-10
Applicant: 3M创新有限公司
Inventor： 约翰·J·加格里亚蒂 , 帕特里西亚·M·萨武
IPC: C09K3/14
CPC classification number: B24B7/228 , C09G1/04 , H01L21/31053
Abstract: 本发明涉及化学-机械平面化(CMP)抛光组合物，所述组合物包含脯氨酸和含氟化合物表面活性剂。所述晶片抛光组合物可以基本上不含磨粒的溶液使用，其组成可经过调节，以控制使用固定磨料CMP工艺进行半导体晶片浅沟槽隔离(STI)加工中的氧化物移除速率和氧化物对氮化物选择性比率。在某些实施例中，本发明提供了用于固定磨料CMP的工作液，所述工作液包含脯氨酸和含氟化合物表面活性剂，所述工作液的pH值为9至11。当用于固定磨料CMP系统和STI方法中时，示例性工作液可以产生至少500埃/分的氧化物移除速率，以及至少5的氧化物对氮化物选择性比率。
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公开(公告)号：CN101779274B
公开(公告)日：2012-09-05
申请号：CN200880102726.9
申请日：2008-07-08
Applicant: 3M创新有限公司
Inventor： L·查尔斯·哈迪 , 希瑟·K·克兰兹 , 托马斯·E·伍德 , 戴维·A·凯撒基 , 约翰·J·加格里亚蒂 , 约翰·C·克拉克 , 帕特里西亚·M·萨武 , 菲利普·G·克拉克
IPC: H01L21/304
CPC classification number: H01L21/31053 , B24B37/044 , B24B37/245 , C09G1/02 , H01L21/3212
Abstract: 本发明涉及用于修饰或精修适于制作半导体的晶片表面的组合物和方法。所述组合物包括适用于修饰适于制作半导体器件的晶片表面的工作液体。在一些实施例中，所述工作液体为基本上不含松散磨粒的初始组分的水溶液，所述组分包含水、表面活性剂和至少一种pKa大于7的pH缓冲剂。在某些实施例中，所述pH缓冲剂包括碱性pH调节剂和酸性络合剂，所述工作液体表现约7至约12的pH。在另外的实施例中，本发明提供包括适于修饰晶片表面的表面活性剂的固定的研磨制品以及制造所述固定的研磨制品的方法。另外的实施例描述了可用于修饰晶片表面的方法。
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公开(公告)号：CN101910353A
公开(公告)日：2010-12-08
申请号：CN200880123618.X
申请日：2008-08-25
Applicant: 3M创新有限公司
Inventor： 李乃朝 , 约翰·J·加格里亚蒂 , 菲利普·G·克拉克 , 帕特里西亚·M·萨武
IPC: C09K3/14 , C09G1/02 , H01L21/302
CPC classification number: H01L21/31053 , B24B37/044 , C09G1/02
Abstract: 本发明公开了一种用于打磨晶片的组合物。所述组合物包括基本上不含松散磨粒的初始组分的水溶液，所述水溶液的pH值在约2至7的范围内，并且所述水溶液包含至少一种高分子电解质和表面活性剂。在某些实施例中，可调整所述晶片打磨组合物以控制使用固定研磨化学机械打磨(CMP)工艺修饰半导体晶片的切削速率和选择性。另外本发明公开了使用所述打磨组合物打磨晶片的化学机械打磨方法和工艺。
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